圖片系AI生成

蘇姿豐終于決定開啟首次訪韓之旅。

據韓媒《每日經濟新聞》報道，美國超威半導體公司（AMD）董事長兼首席執(zhí)行官蘇姿豐將于3月18日訪韓，并會見三星電子會長李在镕和韓國搜索引擎大廠Naver公司高層。這是蘇姿豐2014年上任以來首次。

有意思的是，蘇姿豐訪韓的時間點，選在了英偉達每年最重要的GTC大會期間，芯片巨頭隔空對壘再次復現，雙方恐怕又要在同一時段搶占媒體頭條和熱點話題了。

當然，這背后更顯現的是，存儲芯片超級周期的又一信號。

如今，AI芯片領域競爭愈發(fā)白熱化，以韓國三星、SK海力士為代表的存儲巨頭愈發(fā)成為供應鏈上的關鍵節(jié)點。

就連英偉達CEO黃仁勛，上個月都熱情宴請SK海力士工程師，親自敬酒以保供應，蘇姿豐此次訪韓就顯得更加意味深長。

AI來了，存儲從“周期”走向“超級周期”

蘇姿豐內心想必很清楚，若AMD無法提前鎖定最新一代HBM4的穩(wěn)定供應，公司很可能將在與英偉達GPU，以及，強勢崛起的ASIC芯片的競爭中持續(xù)處于下風。

近年來，AI熱潮持續(xù)沖擊著半導體產業(yè)鏈，其中，存儲是受影響最大的領域。

尤其是DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）領域的高帶寬內存（HBM），其通過與GPU緊密封裝實現超高帶寬，對于大模型訓練至關重要。

以往，存儲行業(yè)的周期大致在3年左右，但AI對算力看起來近乎無限的需求，完全打破了這一節(jié)奏。

2025年，以微軟、谷歌、亞馬遜、Meta等大型云廠商為代表的科技巨頭，已經以超4000億美元的大規(guī)模資本開支（Capex）極大拉動了算力硬件產業(yè)鏈需求，到了2026年，相關資本開支還會繼續(xù)增長到6500億美元的驚人水平。受此影響，產業(yè)鏈需求繼續(xù)高增。

數據來源：美國云巨頭廠商財報及電話會議；作者制圖

高盛預計，2026年，全球HBM需求將同比增長76%。相關報告還指出，AI服務器對內存的消耗是傳統(tǒng)服務器的8倍以上，這種結構性變化，使得存儲需求完全脫離了傳統(tǒng)的經濟周期。

而在供給側，為了滿足激增的HBM訂單，三星、SK海力士和美光科技三大巨頭，不得不將大量原本用于生產通用DRAM的晶圓產能轉向HBM，其他存儲技術如NAND等產能，也全線告急，這導致產業(yè)鏈價格狂飆。

在“擠壓效應”和“漲價潮”的雙重影響下，使用通用存儲芯片的手機、電腦等產品成本驟增，只能紛紛漲價。

HBM卻無法僅靠短期擴產滿足需求。此前，美光科技移動與客戶端業(yè)務部門營銷副總裁克里斯托弗·摩爾（Christopher Moore）表示，該領域市場的供需結構已徹底被重構，盡管行業(yè)已啟動巨額投資擴產，但新建晶圓廠本就需要數年周期，且AI對技術、良率要求極高，產品投產后，還需經歷漫長的客戶認證和設備調試，讓產能釋放的時間進一步拉長。

摩爾還表示，目前存儲產線因客戶對8GB、12GB、16GB等多容量規(guī)格的并行需求而頻繁切換，影響了提產效率，預計產能短缺問題至少將持續(xù)至2028年。

去年以來，多家研究機構報告指出，存儲帶寬或將在一段時間內，成為制約GPU性能釋放的最大瓶頸之一。

激戰(zhàn)HBM4，三星、SK海力士紛紛出手

美國芯片巨頭與韓國存儲巨頭間錯綜復雜的關系，對各自公司的發(fā)展前景和行業(yè)格局有至關重要的影響。

曾經，三星在芯片領域的優(yōu)勢遠超SK海力士，但正是在這輪AI浪潮中，隨著英偉達的崛起，局面發(fā)生了變化。

韓國記者李德周在《英偉達之道》一書中，曾介紹過SK海力士“逆襲”的歷程。

SK海力士與三星均在2013年左右開始開發(fā)HBM，2015年起向英偉達供貨。然而，在2022年底，在ChatGPT引爆這波生成式AI浪潮之前，三星內部判斷，AI市場有限，未像SK海力士那樣積極投入HBM的研發(fā)與產能，也錯過了與英偉達建立更緊密合作的機會。

反觀SK海力士，憑借更高的良率、更充足的產能和更快的迭代速度，持續(xù)為英偉達每一代新產品供應HBM，公司銷售額和股價雙雙飆升，整個2025年營業(yè)利潤已歷史首次超越三星。

在很長一段時間內，英偉達的HBM第二順位供應商是美光科技，直到去年底，三星才有明顯起色。

但在目前HBM4的迭代中，局面又開始洗牌，各家公司開啟了新一輪競爭。

2月中旬，三星宣布率先向英偉達出貨了首批HBM4產品，是行業(yè)首家，同時計劃在5月實現大規(guī)模供貨。

另一邊，SK海力士的進度也較為近似，而且在良率等指標上可能仍有優(yōu)勢。

從目前披露的信息來看，英偉達新一代Rubin架構中，約60-70%的HBM4訂單可能仍會花落SK海力士。也正因為英偉達和SK海力士愈發(fā)深厚綁定，三星和AMD等“追趕者”也加緊了互相合作，以求提升自身競爭力。

與此同時，美光科技在HBM4上的性能和產能進度上并不理想，新技術迭代處于落后。

多家分析機構認為，HBM4的競爭將主要集中在韓系兩巨頭之間。

截圖來自Bernstein今年1月發(fā)布的報告Asia Semiconductors and Global Memory： 2026 is still all about AI

實際上，存儲行業(yè)格局的巨變，正是AI的快速發(fā)展，促使很多格局固化已久產業(yè)重新洗牌的結果之一。

以往，被視為“老成持重”的三星，目前在HMB4和新一代技術方面頗為激進，而后來者SK海力士，風格則趨向穩(wěn)健，注重保持性能與可靠性的平衡。

另外，值得注意的是，標準化HBM4的競爭尚未結束，下一代定制化產品HBM4E的戰(zhàn)火已經燃起，推理需求、定制化芯片更加與這一趨勢相關。

為了爭奪推理、定制化市場，芯片廠商希望，將特定邏輯功能集成到HBM的基礎芯片中，以進一步優(yōu)化性能、降低延遲和功耗，這對存儲廠商邏輯設計與先進封裝的能力提出了新要求。

三星目前已組建專門團隊，計劃在今年中完成定制HBM4E設計，并考慮采用自研2nm工藝以求突破。SK海力士和美光，則繼續(xù)深度綁定臺積電的先進制程生態(tài)，逐步加碼HBM4E產能。

國產存儲崛起，誰在搶跑HBM賽道？

中國國產芯片自然不會錯過這股熱潮，已經有強勢崛起之勢。

雖然國產存儲在高精尖的HBM領域仍面臨較多阻礙，難以短期內追趕國際領先，但在通用存儲領域，不少廠商已取得可觀進展。

其中，當前最引人注目的當屬長鑫存儲。

長鑫存儲是國內市占第一的DRAM芯片設計制造商，主要為移動設備、服務器和消費電子等領域提供內存解決方案。近年來，長鑫存儲發(fā)展速度逐步提升，全球產能占比已超過4%，是“芯片國產替代潮”中的重要力量之一。

而且，長鑫存儲與國際領先水平的技術差距正在縮小。長鑫存儲近期已啟動HBM3樣品送測，并交付給國內頭部客戶進行驗證，計劃今年起全面量產。

長鑫存儲已經計劃走向資本市場。去年末，該公司已正式向上交所遞交招股書，擬在科創(chuàng)板掛牌上市，計劃募資295億元，主要用于存儲器晶圓制造量產線技術升級改造項目、DRAM存儲器技術升級項目、動態(tài)隨機存取存儲器前瞻技術研究與開發(fā)項目。

長鑫存儲募資額是科創(chuàng)板創(chuàng)立以來的歷史第二高，僅次于另一大國產芯片巨頭中芯國際的532.3億元。市場對其上市估值的預測也高達1500億元，可能又將引領一次IPO狂歡。大筆融資和資本市場的反饋，也有望繼續(xù)推動該公司發(fā)展提速，緊追國際領先水平。

此外，主攻3D NAND閃存的長江存儲也已經嶄露頭角。

長江存儲主要業(yè)務集中在消費級SSD和嵌入式存儲市場，在全球3D NAND閃存市場中已穩(wěn)居第一梯隊。目前也正處于產能快速擴張期。

此外，佰維存儲、宏芯宇電子、江波龍等國產存儲廠商，都迎來了自身的業(yè)務高增長期。星辰天合、芯天下等初創(chuàng)公司，在存儲超級周期中受到市場重視，開啟了增產開拓市場和沖刺IPO融資之旅。

不過，應該看到的是，在核心工藝、先進封裝等尚存技術難關，且全球中、美芯片生態(tài)鏈出現隔離、分化趨勢的背景下，國產HBM的突破很難一蹴而就。未來，除了單點的技術攻關、突破瓶頸外，產業(yè)鏈協(xié)同也顯得尤其重要。

尤其在國產芯片替代潮涌，AI算力整體需求爆發(fā)，政策和資本支持逐步加碼，創(chuàng)新動能持續(xù)涌現的情況下，國產設備、材料、設計、制造、封測整個鏈條能實現協(xié)同攻關，將更有利于趕上先進技術的迭代步伐。（作者｜胡珈萌，編輯｜李程程）