1/中微公司,起訴美國(guó)國(guó)防部

2024 年 8 月 16 日，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備大廠、刻蝕設(shè)備龍頭企業(yè)中微公司宣布，已向美國(guó)法院正式提交訴狀，起訴美國(guó)國(guó)防部將其列入中國(guó)軍事企業(yè)清單的決定。

2024 年 1 月 31 日（美國(guó)東部時(shí)間），美國(guó)國(guó)防部根據(jù)《2021 財(cái)年國(guó)防授權(quán)法案》第 1260H 條，將中微公司列入 CMC 清單。此前在 2021 年 1 月 14 日，美國(guó)國(guó)防部也曾將中微公司列入涉軍企業(yè)的 CMC 清單，不過(guò)在其提出申訴并提供充分證據(jù)后，于同年 6 月 3 日成功被移除。而此次美2024 年 國(guó)國(guó)防部再次將中微公司列入 CMC 清單。直接原因是，中微公司曾在 2019 年獲得了由中國(guó)工信部參與頒發(fā)的刻蝕機(jī)系列產(chǎn)品 “制造業(yè)單項(xiàng)冠軍產(chǎn)品獎(jiǎng)”。

中微公司認(rèn)為，該獎(jiǎng)項(xiàng)只是一項(xiàng)榮譽(yù)，并非能夠證明企業(yè)涉軍。美國(guó)國(guó)防部做法是錯(cuò)誤且毫無(wú)根據(jù)的。自被列入 CMC 清單以來(lái)，中微公司積極地同美國(guó)國(guó)防部進(jìn)行溝通、澄清事實(shí)，提供了充分的證據(jù)證明其不符合 CMC 清單的認(rèn)定標(biāo)準(zhǔn)，并要求將其從清單中移除。然而，截至正式起訴之日，中微公司 仍被列入該清單。

中微公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理尹志堯稱：“我們對(duì)美國(guó)國(guó)防部將中微公司再次列入涉軍清單深表震驚。我們相信法院會(huì)作出一個(gè)公正的裁決，將中微公司從 CMC 清單中移除。同時(shí)，我們也愿意繼續(xù)與美國(guó)國(guó)防部保持溝通，友好妥善地解決所存在的爭(zhēng)議。”

2/加州參議員，警告拜登

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，臺(tái)積電亞利桑那州第二工廠的投產(chǎn)時(shí)間由原定的2026年推遲至2027到2028年。英特爾也推遲了作為補(bǔ)貼對(duì)象的俄亥俄州新工廠項(xiàng)目。半導(dǎo)體相關(guān)計(jì)劃也因技術(shù)人員等人才的短缺而停滯不前。

在此背景下，拜登政府推動(dòng)的供應(yīng)體系與中國(guó)的“脫鉤斷鏈”計(jì)劃可能也面臨困難。分析人士認(rèn)為，《芯片與科學(xué)法》和《通脹削減法案》提供的支持不足以支撐美國(guó)與中國(guó)“斷鏈”。

據(jù)路透社 8 月 14 日?qǐng)?bào)道，加州參議員亞歷克斯?帕迪拉（Alex Padilla）和眾議員佐伊?洛夫格倫（Zoe Lofgren）聯(lián)合致信拜登內(nèi)閣的商務(wù)部，信中表示：“我們要求你們暫停額外的單邊出口管制，直到有充分的理由證明這些管制不會(huì)損害美國(guó)在先進(jìn)半導(dǎo)體和半導(dǎo)體制造設(shè)備方面的競(jìng)爭(zhēng)力。”

美國(guó)商務(wù)部對(duì)議員的這一行為頗為震驚，因?yàn)檫@是總統(tǒng)的政策決定，卻遭到了議員的質(zhì)疑。不過(guò)商務(wù)部表示，已按照流程通知了 拜登，等待他的答復(fù)。

報(bào)道稱，此前拜登政府計(jì)劃進(jìn)一步收緊對(duì)華芯片出口限制，預(yù)計(jì)將于 8 月頒布新規(guī)定，批準(zhǔn)美國(guó)對(duì)其他國(guó)家進(jìn)行 “額外管制計(jì)劃”，屆時(shí)中國(guó)的芯片如果被其他國(guó)家進(jìn)口，很可能失去和美國(guó)做生意的機(jī)會(huì)。而議員們此次挑戰(zhàn)該法案，并非是為了中國(guó)考慮，而是在嘗試維護(hù)自身利益，管制政策損害了不少美國(guó)企業(yè)的利益，企業(yè)向議員施壓，且議員的選票和企業(yè)掛鉤。此外也有評(píng)論認(rèn)為，議員們警告拜登，打壓中國(guó)的同時(shí)不能損害關(guān)聯(lián)方的利益。

3/再說(shuō)一下，尹志堯

刻蝕機(jī)與光刻機(jī)并稱為芯片制造的兩大核心設(shè)備。中微公司在刻蝕機(jī)領(lǐng)域取得了顯著成就，其產(chǎn)品已應(yīng)用于全球先進(jìn)的生產(chǎn)線。

尹志堯 在半導(dǎo)體行業(yè)前沿領(lǐng)域是學(xué)術(shù)精英、技術(shù)專家、領(lǐng)軍人物。其個(gè)人在半導(dǎo)體行業(yè)擁有 86 項(xiàng)美國(guó)專利和 200 多項(xiàng)各國(guó)專利，被譽(yù)為 “硅谷最有成就的華人之一”。全世界超過(guò)一半的刻蝕設(shè)備都有他參與領(lǐng)導(dǎo)和開發(fā)的身影。

2024 年 3 月 19 日，中微公司董事長(zhǎng)、總經(jīng)理尹志堯在 2023 年度業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上表示，中微公司絕大部分刻蝕設(shè)備的零部件已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，并且在很短的時(shí)間內(nèi)將全面實(shí)現(xiàn)自主可控。預(yù)計(jì)在 2024 年三季度末實(shí)現(xiàn) 100% 的自主可控。

尹志堯堪稱中國(guó)半導(dǎo)體領(lǐng)域的泰斗，他的一些觀點(diǎn)和言論對(duì)于了解光刻機(jī)及中國(guó)芯片行業(yè)的發(fā)展具有重要參考價(jià)值。尹志堯在近期接受采訪時(shí)稱，基本上在今年夏天左右，中國(guó)芯片將實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈的完全自主可控，這也意味著包括光刻機(jī)等半導(dǎo)體設(shè)備以及光刻膠等半導(dǎo)體材料，我國(guó)都已經(jīng)可以自主化。

他還提到在半導(dǎo)體設(shè)備方面，目前暫時(shí)沒有看到什么發(fā)展瓶頸，接下來(lái)中國(guó)芯在光刻機(jī)等領(lǐng)域的技術(shù)水平還會(huì)有不小的提升和發(fā)展。此前也有一些國(guó)內(nèi)的研究院、高校透露出了關(guān)于國(guó)產(chǎn) EUV 光刻機(jī)核心零部件技術(shù)突破的相關(guān)消息。尹志堯認(rèn)為，國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)在離子注入和電子束領(lǐng)域仍存在短板，有待補(bǔ)齊。

尹志堯，1944 年出生于北京。1967 年，尹志堯畢業(yè)于中國(guó)科技大學(xué)化學(xué)物理系，之后在石油化工部和中科院工作，負(fù)責(zé)催化劑產(chǎn)品的研究。1978 年，他考入北京大學(xué)化學(xué)系，并于 1980 年獲碩士學(xué)位。同年，他前往加利福尼亞大學(xué)洛杉磯分校留學(xué)，僅用三年半時(shí)間就獲得物理化學(xué)博士學(xué)位。

1984 年獲博士后，尹志堯進(jìn)入 英特爾 研發(fā)中心應(yīng)用開發(fā)部，參與關(guān)鍵半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)。1986 年，他加入 Lam 公司，主導(dǎo)研發(fā)了彩虹號(hào) 氧化物 刻蝕機(jī)。1991 年，他加入應(yīng)用材料公司的等離子刻蝕事業(yè)群。2000 年，他成為該事業(yè)群總經(jīng)理，負(fù)責(zé) 16 億美元的生意。在硅谷工作的二十年里，他參與并領(lǐng)導(dǎo)了國(guó)際幾代等離子體刻蝕機(jī)的研發(fā)，成為微觀設(shè)備領(lǐng)域的 “最強(qiáng)大腦” 之一。

盡管在國(guó)外有著優(yōu)越的生活和輝煌的成就，但尹志堯心中的愛國(guó)情懷始終熾熱。2004 年，已經(jīng) 60 歲的他，在時(shí)任上海市經(jīng)委主任江上舟的邀請(qǐng)下，毅然回國(guó)創(chuàng)業(yè)。面對(duì) 江上舟“我們能不能自己把刻蝕機(jī)造出來(lái)” 的詢問，以及 “哪怕豁出命去，也要為國(guó)家造出刻蝕機(jī)” 的決心，他帶著 15 人專業(yè)團(tuán)隊(duì)回到上海，創(chuàng)辦了中微半導(dǎo)體設(shè)備公司并擔(dān)任董事長(zhǎng)兼總裁，主攻薄膜制造設(shè)備與等離子體刻蝕設(shè)備。

中微開發(fā)出的生產(chǎn) 7nm 到 5 納米器件的設(shè)備，已與世界最前沿技術(shù)比肩。中微的等離子體刻蝕設(shè)備應(yīng)用于國(guó)際先進(jìn)的 14 納米、7 納米和 5 納米生產(chǎn)線，短時(shí)間內(nèi)就讓我國(guó)突破了國(guó)際刻蝕機(jī)的技術(shù)壟斷。

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