01 產(chǎn)業(yè)鏈全景圖

02 存儲芯片定義

存儲芯片也叫半導(dǎo)體存儲器，是電子設(shè)備里負(fù)責(zé)存數(shù)據(jù)、讀數(shù)據(jù)的關(guān)鍵零件。半導(dǎo)體產(chǎn)品主要有四大類：分立器件、光電器件、傳感器、集成電路。像存儲芯片、邏輯芯片、微處理芯片這些，都屬于集成電路里的核心成員。

要是按 “斷電后數(shù)據(jù)能不能留在器件里” 來分，存儲芯片能分成易失性和非易失性兩種。易失性存儲芯片就像電腦的內(nèi)存（像 SRAM、DRAM 這類），一斷電，里面的數(shù)據(jù)直接沒了；非易失性的，比如 PROM、Flash 存儲器、EPROM/EEPROM 這些，就跟 U 盤、硬盤一個(gè)道理，哪怕斷電，數(shù)據(jù)也能好好存著。現(xiàn)在市場上主流的是 Flash 和 DRAM 這兩種存儲器，它們倆加起來能占差不多 99% 的市場份額。

03 發(fā)展新契機(jī)

“以存代算” 能出來，本質(zhì)是 AI 發(fā)展和老存儲架構(gòu)鬧矛盾了。首先，老架構(gòu)里存儲和計(jì)算像分開的車間，數(shù)據(jù)搬來搬去特別慢，GPU 大半時(shí)間都在等數(shù)據(jù)，這就是 “存儲墻”，AI 推理根本跑不起來。

再看需求，2025 年中國 AI 推理需求漲了 20 倍，可推理時(shí)要么長文本處理不了，要么比美國的慢一倍、吞吐率差 10 倍，還貴得離譜。關(guān)鍵的 HBM 內(nèi)存雖能救急，但被國外壟斷，美國還限制出口，價(jià)格也高，根本不夠用。

最后，老辦法成本壓不下來，HBM（高帶寬內(nèi)存） 和 DRAM 太貴，SSD 卻沒派上用場。“以存代算” 把推理數(shù)據(jù)從貴的內(nèi)存挪到 SSD，成本降 70%，速度還快了不少，正好解決這些難題。

上游產(chǎn)業(yè)即為半導(dǎo)體芯片上游所需的材料及設(shè)備等，參考中的上游產(chǎn)業(yè)鏈，為當(dāng)下行業(yè)上游的基本格局現(xiàn)狀。

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04 中游產(chǎn)業(yè)鏈

04-1、市場規(guī)模

存儲芯片的周期性堪比 “過山車”。從 2015 到 2024 年 SIA 的數(shù)據(jù)看，存儲芯片的周期波動性比整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)銷售額的波動大得多，賺的時(shí)候盆滿缽滿，調(diào)整的時(shí)候也來得十分迅猛。

存儲芯片是個(gè) “多面手”，體積小、存儲速度快，在內(nèi)存、U 盤、手機(jī)、固態(tài)硬盤這些地方到處都有它的身影。2023 年中國存儲芯片行業(yè)市場規(guī)模達(dá)到 2591 億元人民幣，2018 到 2023 年五年復(fù)合增速高達(dá) 20.38%。2023 年國內(nèi)的 DRAM 產(chǎn)品占國內(nèi)總市場規(guī)模比重約為 56%，這追趕的勢頭很猛。

04-2、競爭格局

NAND Flash：2024 年Q4全球市場規(guī)模 174.1 億美元，環(huán)比降 8.5%，同比增 42.4%；三星、SK 海力士、鎧俠、美光、西部數(shù)據(jù)五家占全球 92.7% 市場份額。

DRAM：2024 年Q4全球市場規(guī)模 293.45 億美元，環(huán)比增 13.5%，同比增 66.1%；三星、SK 海力士、美光、南亞、華邦五家合計(jì)占 95.7% 市場份額。

應(yīng)用來說，手機(jī)和服務(wù)器是兩類大去向。NAND Flash 這邊，2023 年 PC 用的 cSSD 吃掉了 26% 的產(chǎn)能，手機(jī)產(chǎn)品吃掉 34%，服務(wù)器用的 eSSD 吃掉 14%；DRAM 那邊，預(yù)計(jì) 2024 年服務(wù)器應(yīng)用要吃掉全球 32% 的產(chǎn)能，手機(jī)應(yīng)用吃掉 34%，PC 應(yīng)用吃掉 15%。

04-3、DRAM-主機(jī)內(nèi)存

DRAM 是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，讀寫快、延遲低但掉電丟數(shù)據(jù)，用于計(jì)算系統(tǒng)運(yùn)行內(nèi)存。其分類有 DDR（用于 PC、服務(wù)器）、LPDDR（用于移動端）、GDDR（用于圖像處理）及傳統(tǒng)型，其中 DDR 和 LPDDR是最火熱的，合計(jì)占應(yīng)用比例約 90%。

DDR 標(biāo)準(zhǔn)，由固態(tài)技術(shù)協(xié)會（JEDEC）規(guī)矩。從 DDR1 一路升級到 DDR5， 能耗越來越低，傳輸速度越來越快，存儲容量也越來越大，就像手機(jī)從舊款到新款，續(xù)航更持久、運(yùn)行更流暢、存的東西也更多。

ChatGPT 爆火和 AGI 發(fā)展，不僅帶火了 AI 芯片，也讓高帶寬存儲器 HBM 成為 “明星”。HBM 是超微半導(dǎo)體和 SK 海力士搞的 3D 堆疊高性能 DRAM，相當(dāng)于給芯片裝了 “高速數(shù)據(jù)電梯”，專用于顯卡、路由器這類高帶寬需求的場景。

GPU 性能越來越強(qiáng)，得從內(nèi)存里更快取數(shù)據(jù)才能縮短處理時(shí)間。為了打破 “內(nèi)存墻” 這個(gè)瓶頸，提升內(nèi)存帶寬一直是存儲芯片的核心目標(biāo)，而半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)，就像給高性能計(jì)算的內(nèi)存訪問 “開了綠燈”，解決了這一障礙。

2025 年一季度，全球 DRAM 市場規(guī)模同比增 42.5% 至 267.29 億美元（環(huán)比減 8.5%）。SK 海力士憑 HBM 優(yōu)勢首登全球 DRAM 市場第一（份額 36.7%）。HBM 滲透率從 2023 年 9% 升至 2024 年 18%，2025 年有望破 30%，成 DRAM 價(jià)值遷移核心引擎。

04-4、NAND Flash

NAND Flash 是一種非易失性存儲，是大容量存儲的主流方案，有著存儲容量大、讀寫速度快、功耗和單位成本低的特點(diǎn)，主要用在有大容量存儲需求的電子設(shè)備上。隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興場景落地，電子設(shè)備要存的數(shù)據(jù)越來越多，NAND Flash 的需求量和市場前景都很廣闊。

2024 年第三季度 NAND Flash 市場里，三星、SK 海力士 + Solidigm、鎧俠、美光、西部數(shù)據(jù)這幾家 “頭部玩家”，市場份額分別占 32.9%、19.1%、17.0%、12.4% 和 9.9%，差不多把市場給分了。

技術(shù)上更有意思，2024 年各家都量產(chǎn)了 276~321 層的第九代 3D NAND，就跟蓋樓似的，層數(shù)越多存儲容量越能打。下一代 NAND Flash 堆疊層數(shù)預(yù)計(jì)普遍超 300 層，長期甚至要往 1000 層沖，這存儲 “擴(kuò)容” 的勁兒是停不下來了。

04-5、SSD（固態(tài)硬盤）--再次火熱

企業(yè)級 SSD，是由固態(tài)電子存儲芯片陣列構(gòu)建而成的存儲設(shè)備。其核心部件涵蓋主控芯片、固件以及存儲介質(zhì)（NAND Flash、DRAM）。主控芯片猶如 “控制大腦”，掌控?cái)?shù)據(jù)的讀寫流程，直接左右企業(yè)級 SSD 的性能與可靠性；固件則類似 “專屬操作系統(tǒng)”，確保 SSD 高效穩(wěn)定地運(yùn)行；存儲介質(zhì)里的 NAND Flash 是主要的數(shù)據(jù) “存儲倉庫”，用于留存用戶數(shù)據(jù)，DRAM 則充當(dāng) “數(shù)據(jù)緩存樞紐”，為數(shù)據(jù)處理提供臨時(shí)緩沖支持。

數(shù)據(jù)顯示，2022 年全球企業(yè)級 SSD 市場 204.54 億美元，預(yù)計(jì) 2027 年達(dá) 514.18 億美元（年復(fù)合增長率 20.25%），五年規(guī)模翻倍；PCIe 接口是主力，數(shù)據(jù)中心滲透率持續(xù)升。

中國市場 2022 年 44.71 億美元，2027 年預(yù)計(jì) 135.09 億美元（年復(fù)合增長率 24.75%），增速快于全球。

企業(yè)級 SSD 行業(yè)是 “高門檻賽道”，研發(fā)難度高、技術(shù)迭代快、客戶培育周期長、資金投入大。

國外龍頭起步早，在生產(chǎn)技術(shù)、產(chǎn)品性能、品牌知名度上優(yōu)勢顯著，全球市場呈“韓國（三星、SK 海力士）領(lǐng)跑，美日緊隨，中國追趕”的格局。國內(nèi)行業(yè)起步晚，市場份額小，技術(shù)與國際先進(jìn)水平有差距，國產(chǎn)化替代仍需時(shí)間，但發(fā)展空間充足。

全球市場集中度極高，三星、SK 海力士、西部數(shù)據(jù)、美光、鎧俠 5 家龍頭占據(jù)超 90% 份額，它們在半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域技術(shù)積累深厚、產(chǎn)品布局廣、研發(fā)能力強(qiáng)。

AI、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展，既拉動企業(yè)級 SSD 需求、推動技術(shù)進(jìn)步，也為新興廠商提供了提升份額的機(jī)會，進(jìn)而推動行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新與市場多元化。

SSD 主控出貨持續(xù)上升。2024 年生成式 AI 帶火企業(yè)級數(shù)據(jù)中心需求，PC 消費(fèi)類市場亦上揚(yáng)，CFM 數(shù)據(jù)顯示全球出貨 3.885 億顆，同比增 8%。接口上，2024 年全球 PC 前裝 SSD 仍以 PCIe4.0 為主，PCIe5.0 已商用，CFM 預(yù)計(jì) 2025 年占比速升。

全球主控廠商分三類：一是三星等 NAND 原廠，主控自用不售；二是非原廠，自研主控搭外采 NAND，部分外銷；三是慧榮等獨(dú)立廠商，專注售主控。獨(dú)立廠商中，2024 年慧榮出貨 1 億顆（52%）、聯(lián)蕓 4900 萬顆（25%）、得一微 2000 萬顆（10%），其他占 12%。

05 核心公司--聯(lián)蕓科技

聯(lián)蕓科技是國內(nèi)領(lǐng)先的數(shù)據(jù)存儲主控芯片及 AIoT 信號處理芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，業(yè)務(wù)覆蓋消費(fèi)電子、工業(yè)控制、智能物聯(lián)領(lǐng)域，核心主控芯片出貨量全球領(lǐng)先。

在 SSD 主控領(lǐng)域，其已實(shí)現(xiàn)從 SATA 到 PCIe 5.0 的全協(xié)議覆蓋，搭建起消費(fèi)級、企業(yè)級、工業(yè)級全場景產(chǎn)品矩陣 —— 消費(fèi)級全面布局 SATA、PCIe 3.0/4.0 主控產(chǎn)品線，憑高性能、低功耗及優(yōu)兼容性實(shí)現(xiàn)出貨穩(wěn)定增長，且在頭部筆電前裝市場大規(guī)模商用；企業(yè)級高性能 SATA 主控獲主流服務(wù)器與系統(tǒng)客戶認(rèn)可并商用，為下一代 PCIe 產(chǎn)品奠基；工業(yè)級則完成 SATA、PCIe 3.0/4.0 主控全平臺布局。

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