2025年9月30日，荷蘭政府對(duì)中國(guó)聞泰科技旗下全資子公司——安世半導(dǎo)體的一紙“禁令“限制了聞泰科技對(duì)安世半導(dǎo)體的控制權(quán)，直接導(dǎo)致了占安世半導(dǎo)體70%產(chǎn)能的中國(guó)工廠停擺。安世半導(dǎo)體作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)之一，其產(chǎn)品覆蓋MOSFET、IGBT、二極管等關(guān)鍵器件，廣泛應(yīng)用于新能源汽車的電機(jī)控制、車載電源管理、BMS電池管理系統(tǒng)、車燈控制等系統(tǒng)。

尤其在車規(guī)MOSFET領(lǐng)域，安世半導(dǎo)體與英飛凌、安森美、羅姆等一道，被視為全球主流供應(yīng)商。

這樣一家功率半導(dǎo)體廠商突然“被迫停擺”，導(dǎo)致全球多家車企供應(yīng)鏈隨即受到?jīng)_擊，市場(chǎng)甚至傳出部分主機(jī)廠被迫調(diào)整生產(chǎn)計(jì)劃。

無(wú)論是比亞迪、吉利、長(zhǎng)城、蔚來(lái)、小鵬，還是大眾、寶馬、奔馳等國(guó)際車企，都感受到了“缺芯”的寒意。

這一突發(fā)事件，再次敲響了汽車產(chǎn)業(yè)鏈對(duì)外依賴的警鐘。與此同時(shí)，它也引發(fā)了一個(gè)耐人尋味的問(wèn)題——安世半導(dǎo)體停擺之后，中國(guó)國(guó)產(chǎn)車規(guī)MOSFET廠商是否迎來(lái)了“替代窗口”?

一、安世半導(dǎo)體停擺背后：引發(fā)車規(guī)MOSFET行業(yè)震蕩

要理解這次事件的沖擊，就必須了解安世半導(dǎo)體在全球車規(guī)功率器件領(lǐng)域的地位。

安世半導(dǎo)體的前身為恩智浦(NXP)旗下的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品事業(yè)部，2017年被聞泰科技收購(gòu)后，延續(xù)其成熟的晶圓制造、封裝與車規(guī)驗(yàn)證體系，成為全球五大車規(guī)MOSFET供應(yīng)商之一。其客戶遍布大眾、豐田、通用、吉利等車企。

車規(guī)級(jí)MOSFET對(duì)可靠性要求極高，單個(gè)型號(hào)的驗(yàn)證周期往往超過(guò)兩年，且要通過(guò)AEC-Q101、ISO 26262、PPAP等一系列認(rèn)證。安世半導(dǎo)體深耕于車規(guī)MOSFET領(lǐng)域多年，占?xì)W洲汽車芯片供應(yīng)量的15%，已然成為行業(yè)翹楚，所以當(dāng)荷蘭政府的法令讓安世半導(dǎo)體中國(guó)工廠產(chǎn)能受限后，車規(guī)MOSFET市場(chǎng)立即出現(xiàn)供需失衡。

更關(guān)鍵的是，這次“缺芯潮”無(wú)關(guān)產(chǎn)能，而是車規(guī)MOSFET技術(shù)壟斷與供應(yīng)鏈安全的結(jié)構(gòu)性問(wèn)題。

在功率器件領(lǐng)域，歐洲、日本企業(yè)憑借數(shù)十年的工藝積累與驗(yàn)證體系，長(zhǎng)期占據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈上游，而中國(guó)廠商的“追趕”，依然受限于認(rèn)證周期、技術(shù)門檻和客戶信任壁壘。

二、功率MOSFET一線從業(yè)者看法：市場(chǎng)“蛋糕”的被動(dòng)分割

對(duì)于這次安世半導(dǎo)體事件對(duì)國(guó)產(chǎn)車規(guī)MOSFET產(chǎn)業(yè)帶來(lái)的影響，《半導(dǎo)體器件應(yīng)用網(wǎng)》有幸采訪到了一位國(guó)內(nèi)知名功率半導(dǎo)體廠商的一線從業(yè)者。他坦言：“這件事的確給了國(guó)產(chǎn)車規(guī)MOSFET市場(chǎng)一個(gè)機(jī)遇，但這個(gè)機(jī)遇并不是核心性的?！?/p>

安世半導(dǎo)體的停擺，使得車規(guī)MOSFET市場(chǎng)出現(xiàn)供給空缺。尤其在汽車的非關(guān)鍵部件——如車燈控制、電源管理、座椅加熱、車窗升降、信息娛樂(lè)系統(tǒng)等環(huán)節(jié)，主機(jī)廠與Tier1供應(yīng)商開(kāi)始主動(dòng)尋找國(guó)產(chǎn)替代。

目前，國(guó)內(nèi)如揚(yáng)杰科技、捷捷微電、士蘭微、華潤(rùn)微、比亞迪半導(dǎo)體等廠商均已在部分車規(guī)MOSFET領(lǐng)域布局，尤其在60V以下中低壓產(chǎn)品上已有較成熟方案。這使他們?cè)诎彩腊雽?dǎo)體“缺位”的次級(jí)市場(chǎng)上獲得了部分新增訂單。

然而，這種替代更多是“被動(dòng)分割蛋糕”。

真正占據(jù)主導(dǎo)地位、利潤(rùn)更高、認(rèn)證周期更長(zhǎng)的高壓車規(guī)MOSFET——用于主驅(qū)逆變器、BMS主控、電動(dòng)壓縮機(jī)等核心系統(tǒng)的產(chǎn)品，依舊牢牢掌握在英飛凌、安世半導(dǎo)體、羅姆、安森美等國(guó)際廠商手中。

這位功率半導(dǎo)體的一線從業(yè)者認(rèn)為：安世半導(dǎo)體讓出的市場(chǎng)，是它“非關(guān)鍵部件”上的部分份額;而核心控制系統(tǒng)的MOSFET市場(chǎng)，中國(guó)廠商暫時(shí)還沒(méi)有能力大規(guī)模承接。

因此，這場(chǎng)“短期機(jī)遇”，更多體現(xiàn)為市場(chǎng)的結(jié)構(gòu)性調(diào)整，并不能代表國(guó)產(chǎn)廠商已具備全面替代的能力。

三、國(guó)產(chǎn)車規(guī)MOSFET替代困境：四大瓶頸亟需解決

那么，為何在面對(duì)如此明確的市場(chǎng)需求時(shí)，國(guó)產(chǎn)MOSFET仍難以在核心領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破?對(duì)此這位功率半導(dǎo)體一線從業(yè)者也給出了自己的看法。

成本與研發(fā)周期：車規(guī)級(jí)MOSFET的研發(fā)并非一次性投入。產(chǎn)品需要經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)、流片、封測(cè)、失效分析、可靠性驗(yàn)證等多個(gè)階段，還需通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證、ISO26262功能安全評(píng)估、PPAP車企質(zhì)量體系審核等復(fù)雜流程。僅AEC-Q101認(rèn)證周期就長(zhǎng)達(dá)18~36個(gè)月，任何參數(shù)變更或制程改動(dòng)都可能導(dǎo)致重新驗(yàn)證。這意味著國(guó)產(chǎn)廠商在前期投入大、回報(bào)周期長(zhǎng)的研發(fā)模式下，承擔(dān)著極高的成本與資金壓力。

市場(chǎng)生態(tài)壁壘：國(guó)外車規(guī)MOSFET廠商經(jīng)過(guò)幾十年的量產(chǎn)驗(yàn)證，其產(chǎn)品在全球車企體系中已形成穩(wěn)定的生態(tài)。這些芯片在無(wú)數(shù)車型中經(jīng)過(guò)實(shí)車驗(yàn)證和時(shí)間考驗(yàn)，成為主機(jī)廠“默認(rèn)安全選項(xiàng)”。而國(guó)產(chǎn)廠商的車規(guī)MOSFET多數(shù)尚未經(jīng)過(guò)大規(guī)模應(yīng)用驗(yàn)證，即便性能指標(biāo)相近，也難以獲得Tier1和整車廠的導(dǎo)入機(jī)會(huì)。這種“無(wú)驗(yàn)證—無(wú)市場(chǎng)—無(wú)驗(yàn)證”的循環(huán)，讓國(guó)產(chǎn)廠商陷入典型的“冷啟動(dòng)困境”。

生命周期問(wèn)題：車規(guī)級(jí)MOSFET通常要求留樣與供貨周期超過(guò)10年。但在國(guó)內(nèi)，由于市場(chǎng)尚不成熟、需求不穩(wěn)定，很多廠商擔(dān)憂產(chǎn)品“做出來(lái)賣不出去”。這不僅意味著庫(kù)存風(fēng)險(xiǎn)，也直接影響產(chǎn)品線的持續(xù)性。車規(guī)芯片不是消費(fèi)類芯片，必須能十年不變。可如果市場(chǎng)不穩(wěn)定，廠商很難承諾十年供貨，這又讓主機(jī)廠更加猶豫。

技術(shù)積累與系統(tǒng)設(shè)計(jì)壁壘：除了市場(chǎng)與資金問(wèn)題，技術(shù)門檻同樣不容忽視。國(guó)際廠商在溝槽工藝、超結(jié)結(jié)構(gòu)、封裝一致性等方面積累深厚。車企在主驅(qū)系統(tǒng)設(shè)計(jì)階段就已綁定這些供應(yīng)商，替代難度極高。目前國(guó)產(chǎn)廠商雖能量產(chǎn)部分中低壓車規(guī)MOSFET，但在100V以上高壓應(yīng)用中仍難與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)者抗衡。

可以說(shuō)，國(guó)產(chǎn)廠商在次要系統(tǒng)“能用”，但在核心系統(tǒng)“還不敢用”——這正是中國(guó)車規(guī)功率器件產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)實(shí)寫照。

四、總結(jié)與展望：國(guó)產(chǎn)車規(guī)MOSFET產(chǎn)業(yè)任重道遠(yuǎn)

回顧“安世事件”，這場(chǎng)“外部制裁”表面上為國(guó)產(chǎn)廠商打開(kāi)了部分市場(chǎng)窗口，但從深層來(lái)看，它也暴露出國(guó)產(chǎn)MOSFET在車規(guī)應(yīng)用上仍存在“量不穩(wěn)、質(zhì)不強(qiáng)、驗(yàn)證慢”的系統(tǒng)性短板。

要想在未來(lái)的車規(guī)功率器件市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)真正突破，中國(guó)功率半導(dǎo)體廠商應(yīng)從以下幾方面入手：

加速車規(guī)驗(yàn)證體系建設(shè)：推動(dòng)車規(guī)實(shí)驗(yàn)室與第三方驗(yàn)證機(jī)構(gòu)協(xié)同建設(shè)，縮短認(rèn)證周期。比亞迪半導(dǎo)體、華潤(rùn)微等企業(yè)已率先建立內(nèi)部車規(guī)實(shí)驗(yàn)室，為未來(lái)量產(chǎn)打下基礎(chǔ)。

強(qiáng)化工藝與封裝自主化：在溝槽工藝、超結(jié)結(jié)構(gòu)、銅夾封裝、低寄生封裝技術(shù)等方面加大研發(fā)投入，提升產(chǎn)品一致性與熱性能。

深化與車企協(xié)同驗(yàn)證：通過(guò)前裝項(xiàng)目聯(lián)合驗(yàn)證、樣品長(zhǎng)期測(cè)試、共建標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室等方式，讓國(guó)產(chǎn)芯片從“備選方案”轉(zhuǎn)變?yōu)椤膀?yàn)證合作方”。

布局SiC/GaN等新材料功率器件：SiC與GaN正逐步取代硅基MOSFET成為車規(guī)功率器件主流方向。若中國(guó)廠商能在這一代材料上實(shí)現(xiàn)突破，有望實(shí)現(xiàn)“換道超車”。

只有在工藝、驗(yàn)證、封裝、市場(chǎng)信任上實(shí)現(xiàn)突破，中國(guó)的車規(guī)芯片產(chǎn)業(yè)才能真正站穩(wěn)腳跟。

未來(lái)，當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體器件技術(shù)(如SiC、GaN)成為主流時(shí)，中國(guó)廠商或許能以新的姿態(tài)重新定義全球競(jìng)爭(zhēng)格局。

畢竟真正的國(guó)產(chǎn)車規(guī)MOSFET替代，不靠禁令催生，而靠長(zhǎng)期的半導(dǎo)體技術(shù)自立與產(chǎn)業(yè)積淀。

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