前言

充電頭網了解到，德州儀器已推出多款覆蓋不同導阻、封裝、的高壓半橋GaN器件，為工程師在高功率密度、小體積電源設計中的器件選擇提供了更廣范圍與更深層次的靈活性。

在以往電源設計中，工程師往往需要面對驅動器、上下管功率器件、自舉電路等多種元件的獨立布局，導致外圍器件數(shù)量龐大，也增加了驅動匹配難度，進一步擠占了PCB面積。隨著氮化鎵技術的成熟，行業(yè)正朝著更高整合度的方向演進，半橋GaN 產品應運而生。通過將高低側氮化鎵、驅動器等功能封裝進同一芯片，顯著簡化了系統(tǒng)設計，還在效率、開關速度、功率密度乃至EMI控制方面展現(xiàn)出優(yōu)勢，使其在開關電源、USB-PD快充、光伏逆變器、車載電源等高性能場景中快速普及。

本文將對德州儀器的650V半橋GaN芯片進行梳理，為各位讀者朋友參考。

德州儀器高壓半橋GaN

充電頭網了解到，目前德州儀器推出上述多款650V高壓半橋氮化鎵，導阻覆蓋95~248mΩ，封裝提供QFN封裝。

德州儀器LMG2610

LMG2610是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關模式電源應用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉換器。LMG2610 通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器，簡化了設計、減少了元件數(shù)量并減小了布板空間。

非對稱GaN FET電阻針對 ACF 工作條件進行了優(yōu)化?？删幊虒▔簲[率可提供 EMI 和振鈴控制。與傳統(tǒng)的電流檢測電阻相比，低側電流檢測仿真可降低功耗，并允許將低側散熱焊盤連接到冷卻 PCB 電源接地。

高側柵極驅動信號電平轉換器消除了外部解決方案中出現(xiàn)的噪聲和突發(fā)模式功率耗散問題。智能開關 GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降，可避免高側電源過充，并且反向恢復電荷為零。

LMG2610 具有低靜態(tài)電流和快速啟動時間，支持轉換器輕負載效率要求和突發(fā)模式運行。保護特性包括 FET 導通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱關斷。

德州儀器LMG2640

LMG2640 是一款 650V GaN功率FET半橋，適用于開關模式電源應用中。LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器，可簡化設計、減少元件數(shù)量并縮減布板空間。

與傳統(tǒng)的電流檢測電阻相比，低側電流檢測仿真可降低功耗，并允許將低側散熱焊盤連接到 PCB 電源地進行冷卻。高側柵極驅動信號電平轉換器消除了外部解決方案中出現(xiàn)的噪聲和突發(fā)模式功率耗散問題。智能開關 GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降，可避免高側電源過充，并且反向恢復電荷為零。

LMG2640 具有低靜態(tài)電流和快速啟動時間，支持轉換器輕負載效率要求和突發(fā)模式運行。保護特性包括FET 導通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱關斷。

德州儀器LMG2650

LMG2650 是一款 650V、95mΩ 氮化鎵（GaN）功率 FET 半橋器件。它通過在 6mm × 8mm QFN 封裝內集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平移位器，簡化了設計，減少了元件數(shù)量，并節(jié)省了電路板空間。

器件支持 可編程的上升沿開啟速率，用于 抑制 EMI 和振鈴。低側電流檢測仿真功能相比傳統(tǒng)電流檢測電阻能夠降低功耗，并允許低側熱焊盤直接連接到散熱 PCB 電源地。

高側GaN 功率 FET 可通過 低側參考柵極驅動引腳 (INH) 或 高側參考柵極驅動引腳 (GDH) 控制。高側柵極驅動電平移位器能夠在嚴苛的功率開關環(huán)境下，可靠地將 INH 引腳信號傳輸至高側柵極驅動器。

德州儀器LMG2652

LMG2652 是一款650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。LMG2652 通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器，可簡化設計、減少元件數(shù)量并縮減布板空間。

與傳統(tǒng)的電流檢測電阻相比，低側電流檢測仿真可降低功耗，并允許將低側散熱焊盤連接到 PCB 電源地進行冷卻。

高側GaN功率FET可通過低側參考柵極驅動引腳(INH) 或高側參考柵極驅動引腳 (GDH) 進行控制。在具有挑戰(zhàn)性的電源開關環(huán)境中，高側柵極驅動信號電平轉換器能夠可靠地將 INH 引腳信號傳輸?shù)礁邆葨艠O驅動器。智能開關 GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降，可避免高側電源過充，并且反向恢復電荷為零。

LMG2652 具有低靜態(tài)電流和快速啟動時間，可滿足轉換器輕負載效率要求，并實現(xiàn)突發(fā)模式運行。保護特性包括 FET 導通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱關斷。

德州儀器LMG2656

LMG2656是一款650V 230mΩ GaN 功率 FET 半橋。LMG2656 通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉 FET 和高側柵極驅動電平轉換器，可簡化設計、減少元件數(shù)量并縮減布板空間。

可編程導通壓擺率可實現(xiàn) EMI 和振鈴控制。與傳統(tǒng)的電流檢測電阻相比，低側電流檢測仿真可降低功耗，并允許將低側散熱焊盤連接到 PCB 電源地。高側 GaN 功率 FET 可通過低側參考柵極驅動引腳(INH) 或高側參考柵極驅動引腳 (GDH) 進行控制。在具有挑戰(zhàn)性的電源開關環(huán)境中，高側柵極驅動信號電平轉換器能夠可靠地將 INH 引腳信號傳輸?shù)礁邆葨艠O驅動器。

智能開關 GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降，可避免高側電源過充，并且反向恢復電荷為零。

LMG2656 具有低靜態(tài)電流和快速啟動時間，可滿足轉換器輕負載效率要求，并實現(xiàn)突發(fā)模式運行。保護特性包括 FET 導通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱關斷。超低壓擺率設置支持電機驅動應用。

充電頭網總結

文中提及的德州儀器半橋氮化鎵芯片覆蓋650V高壓段電源設計需求，芯片集成上下管和驅動器，可大幅精簡電源系統(tǒng)，工程師可根據(jù)產品實際設計需求，選擇對應型號，以達成性能與成本的平衡點。

綜合來看，半橋氮化鎵芯片已經成為業(yè)界重點發(fā)力的方向之一。通過將功率器件與驅動電路深度集成，它們在降低設計復雜度、提升系統(tǒng)性能、提升功率密度展現(xiàn)出強大潛力。無論是在PD快充和DC適配器等消費級市場，還是在車載OBC、儲能、光伏逆變等應用中，高壓半橋GaN方案都加速滲透高功率電源領域。