12月20日，由半導(dǎo)體投資聯(lián)盟和集成電路投資創(chuàng)新聯(lián)盟主辦、ICT知識產(chǎn)權(quán)發(fā)展聯(lián)盟協(xié)辦、愛集微承辦的“2026半導(dǎo)體投資年會暨IC風(fēng)云榜頒獎典禮”在上海前灘華爾道夫酒店圓滿舉行。

得一微電子（YEESTOR）憑借其創(chuàng)新的AI-MemoryX顯存擴展技術(shù)，榮獲“年度AI優(yōu)秀創(chuàng)新獎”。該獎項旨在表彰本年度在技術(shù)原創(chuàng)性與市場競爭力方面表現(xiàn)突出，特別是在填補國內(nèi)空白或?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)替代方面取得顯著成效的AI產(chǎn)品。此次獲獎，是業(yè)界對得一微電子持續(xù)創(chuàng)新和技術(shù)引領(lǐng)能力的高度認(rèn)可，其AI存力技術(shù)發(fā)展路徑正成為推動產(chǎn)業(yè)智能進(jìn)化的重要力量。

AI-MemoryX顯存擴展技術(shù)，賦能AI智能普惠

得一微電子AI-MemoryX技術(shù)的核心突破在于，以系統(tǒng)級創(chuàng)新破解了大模型訓(xùn)練與微調(diào)中的顯存容量瓶頸。該技術(shù)將單機可用顯存容量從傳統(tǒng)顯卡的幾十GB量級，顯著提升至10TB級別。這一突破大幅降低了對昂貴高速顯存（如HBM）的依賴，使更多企業(yè)、科研機構(gòu)及獨立開發(fā)者都能以更經(jīng)濟的成本，高效開展大模型訓(xùn)練與微調(diào)。

通過打破顯存資源的成本與規(guī)模壁壘，AI-MemoryX技術(shù)正加速在政務(wù)、醫(yī)療、教育、辦公等多個關(guān)鍵領(lǐng)域的落地與普及，更廣泛地賦能千行百業(yè)實現(xiàn)智能化升級。

AI存力芯片設(shè)計，推動產(chǎn)業(yè)智能進(jìn)化

AI-MemoryX技術(shù)是得一微電子“AI存力芯片”技術(shù)路徑下的率先實踐。公司以“AI存力芯片設(shè)計，重構(gòu)計算范式”為使命，通過存儲控制、存算互聯(lián)與存算一體三大技術(shù)支柱，致力于讓每比特數(shù)據(jù)創(chuàng)造更多智能。

目前，得一微電子已構(gòu)建覆蓋AI 手機、AI PC、AIoT、AI汽車及AI Infra基礎(chǔ)設(shè)施五大終端領(lǐng)域的完整產(chǎn)品矩陣，為智慧終端、智能汽車及智算中心提供全場景AI存力解決方案。通過系統(tǒng)級的存力提升，得一微電子助力各行業(yè)構(gòu)建更具韌性、效率與自主性的存力基座，從容應(yīng)對智能化轉(zhuǎn)型中日益增長的數(shù)據(jù)密集型挑戰(zhàn)。

展望未來，隨著AI與實體經(jīng)濟加速融合，得一微電子將持續(xù)深化AI存力芯片的技術(shù)創(chuàng)新，并與產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)伙伴緊密協(xié)作，共同推動存算架構(gòu)演進(jìn)與融合，攜手邁向更高效、普惠、可持續(xù)的智能未來。