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這次是玻璃基板。

近年來，隨著先進制程逐漸逼近物理極限，半導體行業(yè)正經(jīng)歷一場從制程競賽向封裝創(chuàng)新的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)移。在AI、高性能計算等市場需求的驅(qū)動下，傳統(tǒng)有機基板與硅中介層等逐漸顯現(xiàn)性能瓶頸，難以適配先進封裝的嚴苛要求。

在此背景下，玻璃基板憑借其低介電損耗、優(yōu)異熱穩(wěn)定性、高平整度以及與硅相近的熱膨脹系數(shù)等獨特優(yōu)勢，迅速成為突破現(xiàn)有性能瓶頸的關(guān)鍵材料，引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注。三星、英特爾、AMD、博通、英偉達等全球頭部廠商紛紛將其納入下一代芯片研發(fā)規(guī)劃，積極探索應用可能。

尤其近段時間，玻璃基板領(lǐng)域的行業(yè)動態(tài)密集涌現(xiàn)：日本Rapidus全力探索玻璃基板技術(shù)，三星電機計劃與日本住友化學成立合資企業(yè)專攻玻璃基板生產(chǎn)，同時三星通過收購JWMT股份打通全產(chǎn)業(yè)鏈布局。這一系列動作，清晰凸顯出全球產(chǎn)業(yè)界在玻璃基板領(lǐng)域的持續(xù)深耕與戰(zhàn)略布局，一場圍繞先進封裝材料的變革已悄然醞釀。

打破傳統(tǒng)瓶頸，玻璃基板來勢洶洶

長期以來，有機基板因成本低、工藝成熟成為芯片封裝的主流選擇，硅中介層則憑借精細布線能力占據(jù)部分高端市場，但隨著AI芯片、高性能計算芯片對高帶寬、低功耗的需求激增，兩者的局限性日益凸顯，例如有機基板存在信號傳輸損耗大、熱膨脹系數(shù)與硅芯片匹配度差、大尺寸封裝易翹曲等問題；硅中介層則面臨成本高昂、尺寸受限及信號干擾的困擾。

相較之下，玻璃基板憑借天然材料特性實現(xiàn)了性能的全面突破，趙瑾等行業(yè)專家在《玻璃基板技術(shù)研究進展》中指出，其核心優(yōu)勢集中在三大維度，且相關(guān)性能指標均有明確數(shù)據(jù)支撐：

• 卓越的電氣性能：玻璃材料天然具備極低的介電常數(shù)和損耗因子，在高頻高速信號傳輸場景中優(yōu)勢顯著。數(shù)據(jù)顯示，玻璃基板在10GHz頻段的信號傳輸損耗僅為0.3dB/mm，介電損耗較傳統(tǒng)有機基板降低50%以上，能大幅減少信號延遲、衰減和串擾，完美適配AI芯片、5G/6G通信芯片的高頻需求。

• 極佳的尺寸與結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性：通過調(diào)整材料配方，玻璃基板的熱膨脹系數(shù)（CTE）可精準調(diào)控至3-5ppm/℃，與硅芯片高度匹配，這使得基板在芯片工作的冷熱循環(huán)過程中翹曲度減少70%，能有效降低熱應力導致的封裝失效風險。尤其在大尺寸封裝場景中，有機基板良率大幅下滑，玻璃基板的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性優(yōu)勢更為關(guān)鍵。

• 超高的平整度與制造潛力：玻璃基板表面粗糙度可控制在1nm以下，無需額外拋光處理即可為微米級甚至亞微米級布線提供理想基底。目前其已能實現(xiàn)2μm/2μm線寬線距的超精細布線，通孔密度達105個/cm2，是傳統(tǒng)有機基板的10倍以上，為芯片集成度的進一步提升奠定了基礎(chǔ)。此外，玻璃還具備優(yōu)異的耐高溫性和化學穩(wěn)定性，工藝窗口寬、氣密性好，能更好地保護芯片核心器件。

需要明確的是，半導體領(lǐng)域的玻璃基板并非單一概念，其主要分為玻璃中介層（玻璃轉(zhuǎn)接板）和玻璃芯基板兩大類型，二者在先進封裝中承擔不同角色，分別適配2.5D和3D封裝場景。

其中，玻璃中介層（TGV Interposer）主要應用于2.5D封裝。其核心是通過玻璃通孔技術(shù)（TGV），在面板級或晶圓級玻璃上加工貫穿空洞并填充導電材料（銅或鎢），實現(xiàn)縱向電氣連通，再在玻璃正背面采用晶圓級工藝制造精細線路層。

玻璃轉(zhuǎn)接板

作為芯片與基板之間的連接橋梁，玻璃中介層可實現(xiàn)多芯片間的局部高密度互連，能大幅縮短數(shù)據(jù)傳輸路徑，提升帶寬，尤其適合HBM與邏輯芯片的異構(gòu)集成。與成本高昂且尺寸受限的硅中介層相比，玻璃中介層在實現(xiàn)更高互連密度的同時，具備更好的成本擴展性和更優(yōu)的電氣隔離性。

而玻璃芯基板（GCS）則主要面向3D封裝與芯粒集成場景，核心是用玻璃作為芯層材料，替代傳統(tǒng)有機封裝基板中的有機芯層，再通過ABF等材料采用加成/半加成工藝完成增層制備，形成FCBGA封裝基板。

玻璃芯基板

這種結(jié)構(gòu)繼承了玻璃的穩(wěn)定性優(yōu)勢，能有效承載并保護多顆芯片，是應對AI芯片封裝尺寸不斷增大、I/O數(shù)量激增挑戰(zhàn)的理想解決方案。據(jù)《面向芯粒集成的玻璃芯基板應用與關(guān)鍵挑戰(zhàn)》等文獻指出，該技術(shù)目前仍處前沿，是巨頭爭奪的下一代高地。

不過，值得注意的是，玻璃基板與基于玻璃載板的FOPLP（面板級扇出型封裝技術(shù)）常被混淆，二者核心差異在于：FOPLP中玻璃僅作為臨時載體，芯片塑封后需從玻璃載板上分離；而玻璃基板本身就是最終封裝結(jié)構(gòu)的核心組成，需完成通孔制備、電鍍填充、多層布線等完整工藝。

除先進封裝外，玻璃基板在當前火熱的光電合封（CPO）領(lǐng)域也展現(xiàn)出不可替代的優(yōu)勢，成為解決數(shù)據(jù)中心“功耗墻”和“帶寬墻”的關(guān)鍵材料之一。CPO技術(shù)的核心是將光子集成電路與電子集成電路異質(zhì)集成在同一基板上，以光互連取代傳統(tǒng)電互連，縮短信號傳輸路徑、降低傳輸損耗，在2025年光通信大會上，業(yè)界普遍認為CPO是規(guī)?；瘮U展互連的唯一解決方案。

IDTechEx的研究指出，玻璃基板之所以能成為CPO技術(shù)的核心適配材料，關(guān)鍵在于其兩大特性：一是寬光譜透明性，可承載低損耗波導結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)Tb/s級光信號傳輸，功耗降至fJ/bit級別；二是技術(shù)兼容性，用于射頻領(lǐng)域的TGV技術(shù)可直接遷移用于創(chuàng)建垂直光通孔，使單個芯層既能支持跨阻抗放大器、激光驅(qū)動器等電子元件，又能集成光波導，實現(xiàn)電子和光子布線的融合。這種融合不僅簡化了光電器件的對準流程，還能替代昂貴的硅光子中介層，大幅降低CPO方案的封裝結(jié)構(gòu)和整體成本。

調(diào)研數(shù)據(jù)也印證了玻璃基板在CPO領(lǐng)域的潛力——在TGV玻璃基板的優(yōu)先應用領(lǐng)域中，光模塊封裝以23%的占比位居第二，僅次于顯示行業(yè)，充分反映出業(yè)界對其在光電封裝領(lǐng)域價值的認可。

綜合來看，從提升單芯片封裝可靠性到實現(xiàn)多芯粒異構(gòu)集成，再到使能光電合封，玻璃基板憑借其獨特的材料屬性，正從多個維度重新定義先進封裝的性能邊界。

隨著行業(yè)廠商的持續(xù)加碼研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，玻璃基板有望在未來幾年間逐步實現(xiàn)規(guī)?；逃?，成為驅(qū)動下一代算力芯片持續(xù)進化的關(guān)鍵基石。

行業(yè)巨頭，爭相入局

玻璃基板展現(xiàn)出的革命性潛力，已吸引全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的巨頭紛紛入場。從IDM巨頭、晶圓代工龍頭到專業(yè)材料與封裝廠商，一場圍繞技術(shù)路線、產(chǎn)能卡位和生態(tài)聯(lián)盟的激烈競賽已經(jīng)展開。

英特爾：十年深耕的曲折領(lǐng)跑者

作為最早高調(diào)發(fā)布玻璃基板技術(shù)的廠商，英特爾的布局深刻影響著行業(yè)風向。其研發(fā)始于約十年前，將其視為先進封裝的核心支撐與延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵力量。

為突破技術(shù)瓶頸，英特爾在美國亞利桑那州累計投入超10億美元打造專屬研發(fā)線，成功攻克TGV高深寬比加工（>15:1）、多層堆疊等核心工藝，2023年9月正式發(fā)布了業(yè)界首個用于下一代先進封裝的玻璃基板技術(shù)，引發(fā)行業(yè)震動。據(jù)英特爾官方數(shù)據(jù)，該技術(shù)通過實心玻璃芯替代傳統(tǒng)編織玻璃芯，可使芯片裸片放置數(shù)量增加50%，圖案變形減少50%，互連密度較傳統(tǒng)基板提升一個數(shù)量級，同時支持120x120毫米超大尺寸封裝與更高溫度下的穩(wěn)定加工。

不過，英特爾的玻璃基板之路并非一帆風順。2025年新CEO上任后，公司進入戰(zhàn)略收縮階段，將核心資源聚焦于先進工藝晶圓制造和CPU業(yè)務，7月有媒體報道其計劃放棄自主開發(fā)、轉(zhuǎn)向外部采購，這一傳聞引發(fā)行業(yè)對其技術(shù)路線動搖的猜測。

雪上加霜的是，玻璃基板技術(shù)核心推動者、擁有500多項相關(guān)專利的英特爾前年度發(fā)明家段罡，于8月跳槽至三星擔任執(zhí)行副總裁，進一步加劇了市場疑慮。隨后，關(guān)于英特爾計劃授權(quán)玻璃基板專利的消息傳出，談判對象涵蓋韓日多家企業(yè)，被解讀為從供應商向客戶轉(zhuǎn)型的信號。

但行業(yè)猜測在9月迎來反轉(zhuǎn)，英特爾官方明確回應將按原計劃推進玻璃基板的商業(yè)化方案，而英偉達50億美元的戰(zhàn)略投資更注入關(guān)鍵動力，不僅提供研發(fā)資本，更確立了重量級應用場景，加速技術(shù)市場化進程。后續(xù)有消息顯示，蘋果也在與英特爾洽談投資事宜，若合作落地將進一步鞏固其技術(shù)路線價值。

在IMAPS 2025展會上，英特爾再次強調(diào)，玻璃基板解決了先進封裝的關(guān)鍵微縮挑戰(zhàn)，可實現(xiàn)更精細特征微縮、更大封裝尺寸與增強型高速I/O性能，堅定了行業(yè)對其技術(shù)儲備的信心。按照規(guī)劃，英特爾玻璃基板產(chǎn)品預計在2026-2030年間實現(xiàn)大規(guī)模應用。

三星：全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同多線突擊

三星采取了獨特的“內(nèi)部雙線并進”策略，全面押注玻璃基板技術(shù)。由三星電機與三星電子分別主攻不同技術(shù)方向，形成短期商業(yè)化與長期技術(shù)突破的協(xié)同推進格局。這種布局既依托集團內(nèi)部資源協(xié)同，又通過外部合作快速補全供應鏈短板，展現(xiàn)出極強的戰(zhàn)略執(zhí)行力。

具體來看，三星電機聚焦玻璃基板的快速商業(yè)化，于2024年第四季度啟動世宗工廠試產(chǎn)線，計劃2025年第二季度產(chǎn)生業(yè)務收入并向客戶供應樣品，最終目標在2026-2027年間實現(xiàn)量產(chǎn)。其核心技術(shù)是用玻璃芯材料替代傳統(tǒng)基板核心層，可使基板厚度減少40%，顯著改善大尺寸基板高溫翹曲問題。為保障核心材料供應，三星電機于2025年11月與日本住友化學簽署諒解備忘錄，計劃成立合資企業(yè)“玻璃芯”生產(chǎn)玻璃芯材，三星電機持股超50%，生產(chǎn)基地設(shè)在住友化學旗下東宇精細化學平澤工廠。目前，三星電機的樣品已送樣至AMD、博通等大客戶進行認證，并聯(lián)合27家相關(guān)企業(yè)召開技術(shù)研討會，攻克加工、切割、檢測等關(guān)鍵環(huán)節(jié)難題。值得注意的是，英特爾核心專家段罡的加盟，進一步補強了其技術(shù)團隊實力，負責制定技術(shù)路線圖與客戶技術(shù)轉(zhuǎn)移。

三星電子則聚焦更長期的“玻璃中介層”研發(fā)，目標在2028年將其導入先進封裝工藝，替代當前連接GPU與HBM的硅中介層。為加速研發(fā)進程，三星電子采用小于100x100mm的小尺寸單元進行原型設(shè)計，并計劃利用天安園區(qū)現(xiàn)有面板級封裝（PLP）產(chǎn)線實現(xiàn)后續(xù)封裝。集團內(nèi)部，三星電子主導項目推進，協(xié)同三星電機的基板技術(shù)與三星顯示的玻璃工藝；外部則與美國康寧等材料巨頭、多家中小企業(yè)展開合作，構(gòu)建完整供應鏈。這一布局也是三星AI集成解決方案戰(zhàn)略的關(guān)鍵組成，旨在提供涵蓋晶圓代工、HBM與先進封裝的一站式服務。

臺積電：綁定先進封裝路線，精準出擊

作為全球晶圓代工與先進封裝技術(shù)領(lǐng)導者，臺積電將玻璃基板布局與先進封裝技術(shù)演進深度綁定，圍繞核心客戶需求制定清晰技術(shù)路線，通過扇出型面板級封裝（FOPLP）技術(shù)突破，快速推進玻璃基板的商業(yè)化落地。其策略核心是技術(shù)適配+客戶綁定，依托自身封裝產(chǎn)能優(yōu)勢，成為玻璃基板技術(shù)規(guī)?；瘧玫年P(guān)鍵推動者。

2024年9月，臺積電明確宣布將玻璃基板作為FOPLP技術(shù)的核心材料，計劃2025年為英偉達生產(chǎn)首批基于玻璃基板的芯片。據(jù)深圳市半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（SICA）信息，這一布局依托其CoWoS封裝技術(shù)的演進路線：演進版本CoGoS采用玻璃通孔（TGV）玻璃中介層替代硅中介層，利用玻璃更優(yōu)的電氣性能與成本潛力支持更大尺寸集成；更先進的CoGCS技術(shù)則計劃省去中介層與傳統(tǒng)有機基板，實現(xiàn)芯片直接上玻璃的玻璃球柵陣列封裝（GBGA），進一步縮短互連路徑、提升集成度。

在技術(shù)推進節(jié)奏上，臺積電形成了階梯式規(guī)劃：2025年采用Chip-First方法實現(xiàn)初步應用，2026年過渡到更先進的RDL-First工藝，2027年量產(chǎn)復雜TGV工藝，目標實現(xiàn)20:1的高深寬比設(shè)計，與中國臺灣玻璃基板供應鏈的發(fā)展節(jié)奏高度同步。

不難發(fā)現(xiàn)，這種精準的路線規(guī)劃，既保障了技術(shù)成熟度，又能快速響應英偉達等AI芯片巨頭對高性能封裝的需求，鞏固其在先進封裝領(lǐng)域的市場地位。

Rapidus：肩負日本半導體復興使命

作為肩負日本半導體復興使命的新銳企業(yè)，Rapidus選擇玻璃基板作為其差異化競爭的關(guān)鍵。Rapidus以大型玻璃基板+面板級封裝為差異化切入點，計劃打造全球首款由600mm×600mm方形玻璃基板切割而成的中介層原型，計劃2028年投入量產(chǎn)，試圖在玻璃基板賽道實現(xiàn)彎道超車。

據(jù)《日經(jīng)新聞》報道，Rapidus的方形玻璃基板相較傳統(tǒng)硅基板優(yōu)勢顯著，表面積增加30%-100%，可實現(xiàn)更大規(guī)模的Chiplet配置；矩形結(jié)構(gòu)大幅減少切割浪費，提升成本效益；同時具備更優(yōu)的高頻電學性能、熱穩(wěn)定性與化學穩(wěn)定性，通孔密度可提升約10倍。為克服玻璃脆性與翹曲等挑戰(zhàn)，Rapidus充分利用日本顯示產(chǎn)業(yè)積累，積極吸納日本在顯示面板領(lǐng)域的玻璃技術(shù)人才，試圖將日本在材料科學和精密制造方面的傳統(tǒng)優(yōu)勢轉(zhuǎn)化為半導體封裝領(lǐng)域的新競爭力。

Rapidus的布局并非孤立推進，而是與自身2nm Chiplet封裝戰(zhàn)略深度融合，重點關(guān)注混合鍵合等關(guān)鍵技術(shù)，通過前端與后端工藝融合提升大規(guī)模生產(chǎn)能力。其玻璃基板中介層主要用于承載AI加速器中的GPU與HBM，負責元件間高速互連，投產(chǎn)后有望大幅降低AI芯片組裝成本，拉近與臺積電等頭部代工廠的差距。

SKC：全球玻璃基板率先商業(yè)化

SKC集團通過子公司Absolics成為玻璃基板商業(yè)化進程最快的企業(yè)之一，其核心策略是產(chǎn)能先行+客戶綁定，在美國佐治亞州建成全球首條半導體玻璃基板量產(chǎn)線，全力搶占市場先機。

據(jù)ETNews報道，Absolics的佐治亞州工廠年產(chǎn)能達12000平方米，2025年已啟動量產(chǎn)樣品生產(chǎn)與客戶認證流程，目前正與AMD、AWS推進資格預審，驗證基本性能與質(zhì)量指標。

為加速商業(yè)化進程，Absolics采取了多重舉措：資金層面，2025年上半年通過債務融資借入5000萬美元，并獲得美國《芯片法案》4000萬美元首期補貼，后續(xù)計劃通過股東配股進一步增資；產(chǎn)能層面，計劃2025年底前完成量產(chǎn)準備，下半年將玻璃基板加工材料與零部件采購量增加60%以上；團隊層面，任命前英特爾高管、SK海力士副總裁姜智鎬擔任CEO，凸顯加速商業(yè)化的戰(zhàn)略決心。SKC集團更于2025年10月宣布吸收合并子公司SK Enpulse，獲得約2.66億美元現(xiàn)金，專項用于玻璃基板商業(yè)化。據(jù)行業(yè)預測，Absolics有望成為全球首家實現(xiàn)玻璃基板商業(yè)化的企業(yè)。

LG Innotek：后發(fā)追趕的技術(shù)攻堅者

作為玻璃基板領(lǐng)域的后起之秀，LG Innotek依托自身在精密玻璃加工的傳統(tǒng)優(yōu)勢，采取“技術(shù)攻堅+場景聚焦”的策略，重點開發(fā)面向FOWLP、射頻及車載芯片的玻璃基板技術(shù)，試圖在細分市場實現(xiàn)突破。

LG Innotek將玻璃基板業(yè)務劃歸CTO直管，在研發(fā)中心配備專用樣品生產(chǎn)設(shè)備，現(xiàn)階段集中資源攻克核心技術(shù)。公司計劃2025年底前產(chǎn)出玻璃基板樣品并進入驗證階段，長期目標是2026年實現(xiàn)商用，同時將FCBGA業(yè)務規(guī)模擴大至2030年7億美元。為保障研發(fā)進度，LG Innotek在龜尾工廠建設(shè)試點生產(chǎn)線，計劃2025年底前啟動原型生產(chǎn)，并尋求與北美大型客戶建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，依托客戶需求反向推動技術(shù)迭代。其研發(fā)重點是超?。?lt;100μm）大尺寸基板技術(shù)，試圖通過材料配方與制造工藝創(chuàng)新，打破現(xiàn)有扇出型封裝基板的材料局限。

行業(yè)巨頭的密集布局，本質(zhì)上是對玻璃基板技術(shù)價值與市場潛力的集體認可。

綜觀全球，玻璃基板競賽已呈現(xiàn)多路徑并行、生態(tài)合作與垂直整合并舉的復雜格局。英特爾在探索開放路線，三星在強化內(nèi)部閉環(huán)，臺積電在綁定封裝技術(shù)演進，而Absolics、Rapidus等公司則在各自優(yōu)勢領(lǐng)域?qū)で笸黄啤?/p>

這場由AI算力和先進封裝需求驅(qū)動的靜默革命，其勝負不僅取決于單一技術(shù)的突破，更取決于整個產(chǎn)業(yè)生態(tài)的構(gòu)建速度和協(xié)同效率。各巨頭的密集布局與策略調(diào)整，無不凸顯出這項技術(shù)承載著決定未來十年高端芯片產(chǎn)業(yè)格局的戰(zhàn)略分量。

國內(nèi)廠商，多點突破

在海外巨頭加速布局的同時，國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)也在緊抓玻璃基板產(chǎn)業(yè)機遇，圍繞材料制備、核心工藝、封裝應用等關(guān)鍵環(huán)節(jié)全面發(fā)力，涌現(xiàn)出一批具備核心競爭力的本土企業(yè)，推動玻璃基板技術(shù)持續(xù)發(fā)展與突破。

材料與設(shè)備端

國內(nèi)材料與設(shè)備企業(yè)憑借在玻璃加工、精密制造等領(lǐng)域的技術(shù)積累，在TGV（玻璃通孔）工藝、玻璃基板制備等核心環(huán)節(jié)持續(xù)突破，部分技術(shù)指標已達到國際先進水平，并啟動產(chǎn)能建設(shè)規(guī)劃。

京東方：作為顯示面板龍頭，京東方依托二十余年玻璃基板技術(shù)積累跨界布局半導體先進封裝領(lǐng)域，成為中國大陸首家從顯示領(lǐng)域轉(zhuǎn)型先進封裝玻璃基板的企業(yè)。

2024年9月，京東方正式發(fā)布專為半導體封裝設(shè)計的玻璃基面板級封裝載板，并公布2024-2032年玻璃基板路線圖：2027年實現(xiàn)深寬比20:1、細微間距8/8μm、封裝尺寸110x110mm的玻璃基板量產(chǎn)；2029年精進到5/5μm以內(nèi)線寬線距、120x120mm以上封裝尺寸，技術(shù)演進節(jié)奏與國際同步，精準匹配下一代AI芯片需求。

根據(jù)規(guī)劃，2027/28年樹立BOE玻璃基半導體品牌，打造上下游伙伴供應產(chǎn)業(yè)鏈，2028/2030構(gòu)建全球玻璃基半導體生態(tài)鏈，加速玻璃基用于AI芯片的高端基板量產(chǎn)。

2025年6月，京東方在北京亦莊基地舉行“玻璃基先進封裝項目工藝設(shè)備搬入儀式”，由子公司北京京東方傳感器科技推進的研發(fā)測試線項目正式落地，搬入的AOI檢測、無電鍍銅等關(guān)鍵設(shè)備涵蓋國內(nèi)外優(yōu)質(zhì)供應商，為技術(shù)研發(fā)提供保障。目前其試驗線月產(chǎn)能約3000片，已產(chǎn)出超大尺寸7-2-7玻璃載板，封裝集成度顯著提升；計劃2026年底研判市場后啟動50億元新產(chǎn)線建設(shè)，目標2028年躋身國內(nèi)玻璃基載板第一梯隊，2030年成為全球量產(chǎn)標桿。

沃格光電：沃格光電成立于2009年，作為國內(nèi)領(lǐng)先的玻璃基板企業(yè)，是全球極少數(shù)擁有全制程工藝能力和制備裝備的公司，業(yè)務覆蓋光電玻璃精加工、玻璃基Mini/Micro LED及半導體先進封裝載板等多領(lǐng)域。其子公司通格微在TGV技術(shù)領(lǐng)域表現(xiàn)突出，實現(xiàn)通孔孔徑最小至3微米、深徑比高達150:1，支持四層線路堆疊，可替代傳統(tǒng)硅基TSV技術(shù)，廣泛適用于高算力芯片、射頻器件、直顯基板、微流控芯片等領(lǐng)域。

目前，沃格光電已建成TGV中試線，實現(xiàn)3μm/3μm線寬線距超精細加工，規(guī)劃產(chǎn)能達100萬平米/年，2026年產(chǎn)能開始逐步爬坡；通格微作為全球最早產(chǎn)業(yè)化TGV玻璃基多層線路板的企業(yè)之一，2025年上半年玻璃基TGV線路板產(chǎn)品實現(xiàn)營收約800萬元，多個客戶項目持續(xù)送樣驗證，并與北極雄芯簽約合作，共同推進異構(gòu)芯粒與多層玻璃基堆疊的高集成AI計算芯片開發(fā)，加速技術(shù)商用化進程。

值得關(guān)注的是，沃格光電在深耕TGV先進封裝的同時，其投資建設(shè)的全球首批、國內(nèi)首條8.6代AMOLED玻璃基光刻蝕精加工產(chǎn)線已于今年12月首臺設(shè)備進場，預計2026年1月中旬試運行。這條產(chǎn)線不僅服務于京東方等顯示巨頭，其積累的超薄玻璃精密加工經(jīng)驗與半導體TGV技術(shù)同源，形成了強大的技術(shù)協(xié)同效應。

其他國內(nèi)材料設(shè)備企業(yè)也各有突破：

• 三疊紀（廣東）科技前身為電子科技大學科研團隊，率先提出TGV3.0技術(shù)，是國內(nèi)玻璃通孔技術(shù)的倡導者與引領(lǐng)者，其率先部署建設(shè)TGV板級玻璃基封裝試驗線，在晶圓級10μm孔徑、50:1深徑比100%通孔鍍實的工藝基礎(chǔ)上，將TGV3.0技術(shù)的領(lǐng)先技術(shù)拓展至板級封裝芯板領(lǐng)域，將引領(lǐng)國內(nèi)TGV行業(yè)步伐，為高端SiP和高算力芯片封裝、新型顯示等領(lǐng)域奠定基礎(chǔ)；

• 廣東佛智芯掌握玻璃微孔加工與金屬化核心技術(shù)，TGV最小孔徑1微米、深徑比150:1，2024年一季度產(chǎn)能達3600片/月，其大板級玻璃封裝產(chǎn)線有望助力國內(nèi)AI芯片量產(chǎn)；

• 廈門云天半導體特色的玻璃通孔技術(shù)（TGV）與2.5D/3D集成，率先實現(xiàn)國內(nèi)規(guī)?；慨a(chǎn)TGV技術(shù)，深寬比突破100:1，支持高密度互連與高頻信號傳輸，應用于光電器件、射頻模組等領(lǐng)域；

• 五方光電完成4-8英寸晶圓玻璃基板樣品制備，TGV金屬填充良率突破95%，加速向量產(chǎn)邁進。

• 深光谷科技聯(lián)合上海交通大學和深圳大學，合作開發(fā)了晶圓級TGV光電interposer工藝，實現(xiàn)了國產(chǎn)首個8英寸晶圓級TGV interposer加工，實測帶寬達到110GHz，可以面向2.5D和3D光電集成封裝應用，為VCSEL、DML、EML、硅光、鈮酸鋰等技術(shù)路線的光模塊產(chǎn)品提供高速、高密度、高可靠性和低成本的光電共封裝（CPO）解決方案。

此外，玻芯成（重慶）、湖南越摩先進、蘇州森丸電子、合肥中科島晶、東旭集團等諸多國內(nèi)企業(yè)也在玻璃基板特色工藝、超大尺寸樣品試制、晶圓級加工、玻璃基板芯片與三維封裝等領(lǐng)域取得階段性成果。

封裝與系統(tǒng)端

另一方面，國內(nèi)封測巨頭憑借封裝工藝的積累，也在積極推動玻璃基板與先進封裝技術(shù)的融合驗證，加速玻璃基板在Chiplet、2.5D/3D集成等場景的應用落地。

通富微電此前表示，公司已具有玻璃基板封裝相關(guān)技術(shù)儲備，具備使用TGV玻璃基板進行封裝的技術(shù)能力，預計在2026-2027年可以看到玻璃基板技術(shù)的相關(guān)產(chǎn)品應用。

晶方科技在互動平臺表示，其專注于傳感器領(lǐng)域晶圓級封裝技術(shù)服務，TSV、TGV等是晶圓級封裝電互連的主要技術(shù)工藝手段。結(jié)合傳感器需求及自身工藝積累，公司具有多樣化的玻璃加工技術(shù)，包括制作微結(jié)構(gòu)，光學結(jié)構(gòu)，鍍膜，通孔，盲孔等，且公司自主開發(fā)的玻璃基板，在Fanout等封裝工藝上已有多年量產(chǎn)經(jīng)驗。

長電科技、華天科技等也對外表示在該領(lǐng)域已有研發(fā)布局，已將玻璃基板納入其先進封裝技術(shù)平臺的研發(fā)范疇。

此外，奕成科技作為中國大陸首批玻璃面板級封裝量產(chǎn)廠家之一，2024年實現(xiàn)板級高密FOMCM平臺批量量產(chǎn)，成為國內(nèi)唯一具備該產(chǎn)品量產(chǎn)能力的企業(yè)。

芯德半導體在布局2.5D封裝等高端產(chǎn)品的同時，推進玻璃基板埋入、2.5D玻璃轉(zhuǎn)接板等技術(shù)研發(fā)；安捷利美維在玻璃通孔量產(chǎn)規(guī)模上走在國內(nèi)前列，可提供TGV與ABF多層板結(jié)合的解決方案，支持8+2+8及以上規(guī)格的樣板制作。

這些企業(yè)的布局正在加速推動玻璃基板與封裝工藝的深度融合，加速國產(chǎn)先進封裝技術(shù)升級。

生態(tài)建設(shè)：產(chǎn)業(yè)集群集聚，產(chǎn)學研協(xié)同賦能

與海外巨頭依靠自身財力和技術(shù)積累進行垂直整合不同，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)更注重通過生態(tài)聯(lián)盟實現(xiàn)協(xié)同突破。例如在2025年5月，全國首個聚焦玻璃通孔（TGV）技術(shù)的產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟在東莞松山湖成立，旨在匯聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游資源，共同推動玻璃封裝基板從中試走向規(guī)模化量產(chǎn)。

這一舉措標志著國內(nèi)產(chǎn)業(yè)開始從企業(yè)單打獨斗轉(zhuǎn)向有組織的生態(tài)協(xié)同，以應對從實驗室到大規(guī)模量產(chǎn)過程中的共性技術(shù)挑戰(zhàn)。

與此同時，產(chǎn)學研合作成為技術(shù)攻堅的核心引擎，復旦大學、電子科技大學、上海交通大學、中科大等高校與企業(yè)共建聯(lián)合實驗室，重點攻克高精度鉆孔、納米級介電層沉積、TGV金屬化等關(guān)鍵技術(shù)。例如，深光谷科技聯(lián)合上海交通大學、深圳大學開發(fā)晶圓級TGV光電interposer工藝，實現(xiàn)國產(chǎn)首個8英寸晶圓級TGV interposer加工，實測帶寬達110GHz，為CPO光電共封提供解決方案；合肥中科島晶與中科大、中科院合肥物質(zhì)院、北京大學等深度合作，推動玻璃基混合封測工藝開發(fā)，適配Chiplet高密度集成封裝需求。

此外，國內(nèi)玻璃基板產(chǎn)業(yè)生態(tài)正在加速成型，長三角、珠三角等半導體產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)已形成企業(yè)集聚效應，同時高校與企業(yè)共建聯(lián)合實驗室，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供技術(shù)支撐。

近段時間來，產(chǎn)業(yè)動態(tài)不斷。例如，總投資12億元的長三角半導體玻璃基板TGV工藝裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地項目于2025年12月完成一期主體封頂，由蘇州晶洲裝備主導建設(shè)，投產(chǎn)后將形成年產(chǎn)150套TGV玻璃基板半導體工藝裝備的產(chǎn)能，填補國內(nèi)高端核心裝備制造空白；佛山依托佛智芯等企業(yè)，聚焦大板級玻璃封裝技術(shù)，打造玻璃基板加工制造產(chǎn)業(yè)集群。

整體來看，國內(nèi)玻璃基板生態(tài)已涌現(xiàn)出眾多在不同細分領(lǐng)域發(fā)力的參與者，基于中國龐大的下游應用市場、全球最完整的顯示面板產(chǎn)業(yè)鏈帶來的材料工藝基礎(chǔ)，使得國內(nèi)企業(yè)能夠快速響應AI、高端顯示等本土創(chuàng)新需求，進行場景化的應用創(chuàng)新，呈現(xiàn)出技術(shù)路徑的多樣性與生態(tài)豐富性，成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的中堅力量。

不過，當前玻璃基板產(chǎn)業(yè)整體仍處于從技術(shù)突破到規(guī)模量產(chǎn)的關(guān)鍵爬坡期，行業(yè)標準尚未統(tǒng)一，成熟的供應鏈生態(tài)仍在建設(shè)之中。國內(nèi)企業(yè)應利用技術(shù)尚未被完全壟斷的窗口期，協(xié)力加強生態(tài)建設(shè)，加速標準制定與專利布局，力圖在下一代半導體封裝材料領(lǐng)域構(gòu)建自主可控的產(chǎn)業(yè)競爭力。

潛力之下，挑戰(zhàn)仍在

盡管玻璃基板憑借性能優(yōu)勢被視為后摩爾時代的核心賽道，市場前景被廣泛看好，但從技術(shù)研發(fā)走向規(guī)模化量產(chǎn)的過程中，仍面臨多重挑戰(zhàn)與壁壘。目前，整個行業(yè)仍處于從實驗室突破、小批量驗證邁向規(guī)模化量產(chǎn)的關(guān)鍵爬坡期，面臨著來自核心技術(shù)、產(chǎn)業(yè)生態(tài)和市場接受度等多重維度的嚴峻挑戰(zhàn)。

這些現(xiàn)實存在的瓶頸，也印證了為何行業(yè)聲勢浩蕩之下，玻璃基板的市場商業(yè)化進展依舊相對緩慢的行業(yè)現(xiàn)狀。

據(jù)艾邦半導體2026年TGV玻璃基板量產(chǎn)預測調(diào)研顯示，63%的被調(diào)研者認為屆時僅能實現(xiàn)“小批量量產(chǎn)”，認為會“大規(guī)模上量”的比例僅12%，另有25%判斷仍將“處于研發(fā)階段”，這一數(shù)據(jù)直觀反映了產(chǎn)業(yè)界對其發(fā)展難度的審慎認知。

技術(shù)攻堅：核心工藝多重瓶頸制約

玻璃基板的技術(shù)挑戰(zhàn)集中于核心工藝的成熟度突破，從TGV通孔制備到高密度布線，再到鍵合連接，每一環(huán)都存在嚴苛的技術(shù)門檻，成為制約其性能升級的關(guān)鍵。

• 首當其沖的是TGV工藝瓶頸：作為玻璃基板實現(xiàn)垂直互連的核心技術(shù)，TGV雖已取得階段性進展，但大規(guī)模量產(chǎn)所需的效率、良率與精度仍未達標。當前主流的激光鉆孔技術(shù)效率普遍低于1000孔/秒，難以匹配大規(guī)模生產(chǎn)需求；而高深寬比（>15:1）通孔的金屬填充更是行業(yè)難題，銅填充空洞率常超過5%，嚴重影響電氣性能穩(wěn)定性。在孔徑微縮方向，10μm以下孔徑的加工良率不足80%，直接制約封裝密度的進一步提升，臺積電早期開發(fā)玻璃基板封裝時，就曾因TGV良率問題導致項目進度受阻。當前行業(yè)在數(shù)十萬級通孔批量加工時，良率控制仍面臨巨大挑戰(zhàn)。

• 其次是高密度布線挑戰(zhàn)：隨著AI芯片等高性能器件I/O數(shù)量激增，對玻璃基板的布線密度提出更高要求，5μm以下線寬已成為主流需求。傳統(tǒng)半加成法在實現(xiàn)這一精度時，易出現(xiàn)種子層殘留、蝕刻精度不足等問題，導致線路短路或開路風險顯著增加；納米壓印、激光直寫等新型工藝雖具備技術(shù)潛力，但存在設(shè)備昂貴、工藝窗口窄等問題，尚未在量產(chǎn)中成熟應用。此外，布線與通孔的協(xié)同匹配也面臨考驗，如何在高密度布線場景下保障信號傳輸?shù)耐暾裕苊獯當_與延遲，成為亟待解決的技術(shù)難題。

• 另外是鍵合可靠性難題：芯片與玻璃基板的鍵合過程中，熱膨脹系數(shù)差異引發(fā)的應力問題尤為突出。玻璃與金屬的熱膨脹系數(shù)不匹配，在250℃回流焊等傳統(tǒng)高溫工藝中，界面應力集中易導致焊點開裂、芯片位移等失效模式，焊點失效概率較有機基板高出30%。激光輔助鍵合（LAB）等低溫鍵合工藝雖能緩解這一問題，但目前該技術(shù)設(shè)備成本高、工藝參數(shù)調(diào)控難度大，難以實現(xiàn)規(guī)模化推廣。同時，玻璃基板的脆性特質(zhì)也增加了鍵合過程中的操作難度，輕微外力就可能導致基板開裂，進一步提升了工藝控制門檻。

成本與生態(tài)：規(guī)?；耙沟碾p重壁壘

玻璃基板要實現(xiàn)大規(guī)模普及，不僅需要突破技術(shù)瓶頸，還需跨越成本高企與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同不足的雙重壁壘，這兩大問題共同構(gòu)成了其商業(yè)化進程中的核心阻礙。

成本方面，玻璃基板的全鏈條成本均處于高位。原材料層面，高純度硼硅玻璃作為核心基材，制備工藝復雜且純度要求超過99.99%，單價高達2000元/片以上，是傳統(tǒng)有機基板的5-10倍；加工層面，TGV鉆孔、金屬填充、高精度布線等工藝的設(shè)備折舊與耗材成本高昂，進一步推高單位制造成本。以消費級手機芯片封裝為例，行業(yè)普遍將成本控制在1-2美元/片，玻璃基板短期內(nèi)難以滿足這一成本要求，使其在價格敏感型市場的應用受到嚴重限制。即便在高算力芯片等高端領(lǐng)域，成本壓力也成為制約其快速滲透的關(guān)鍵因素。

產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)不完善則加劇了發(fā)展困境。

上游材料端，康寧、肖特等海外企業(yè)壟斷高純度玻璃晶圓供應，國內(nèi)廠商雖在積極追趕，但多數(shù)產(chǎn)品的電學性能、熱學性能仍無法滿足下一代AI芯片封裝需求，核心原材配方與LowCTE玻璃材料技術(shù)亟待攻克；設(shè)備端，LPKF的激光鉆孔機、應用材料的沉積設(shè)備等關(guān)鍵設(shè)備被海外企業(yè)主導，國內(nèi)設(shè)備商的產(chǎn)品在精度、效率上仍有差距，導致國內(nèi)企業(yè)工藝開發(fā)需依賴海外供應商，迭代周期長達12-18個月。

同時，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈存在單點突破多、協(xié)同聯(lián)動少的現(xiàn)象，中小企業(yè)研發(fā)投入有限，易出現(xiàn)早期內(nèi)卷，難以形成系統(tǒng)化的產(chǎn)業(yè)合力，進一步制約了產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度。

可靠性與標準：極端場景驗證與規(guī)范缺失

玻璃基板的長期可靠性驗證不足，以及行業(yè)標準體系的缺失，使其在高要求應用場景的推廣中面臨障礙，也延緩了其商業(yè)化進程。

現(xiàn)有行業(yè)標準體系主要針對傳統(tǒng)有機基板和硅基材料建立，缺乏對玻璃基板的專項測試規(guī)范，尤其是在極端環(huán)境下的可靠性驗證標準。在汽車電子、航空航天等高端應用領(lǐng)域，基板需滿足-55℃~150℃的寬溫域熱循環(huán)、85%RH高濕度等嚴苛條件，但目前玻璃基板在這些環(huán)境下的長期可靠性數(shù)據(jù)嚴重匱乏。

實驗數(shù)據(jù)顯示，玻璃基板經(jīng)過500次熱循環(huán)測試后，部分樣品會出現(xiàn)介電性能劣化、結(jié)構(gòu)開裂等問題，難以滿足高可靠性場景的應用要求。此外，玻璃基板的散熱性能相對較弱，熱導率較低，在高功率芯片封裝中易出現(xiàn)熱量積聚問題，需搭配新型熱管理材料或優(yōu)化散熱設(shè)計，進一步增加了應用復雜度。

標準缺失還導致產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的適配成本居高不下。設(shè)計端，EDA工具缺乏對玻璃基板特性的針對性支持，芯片與封裝設(shè)計者需要重新學習并適配新材料的特性，增加了設(shè)計周期與研發(fā)成本；檢測端，玻璃的透明性和反射率特性與硅材料差異顯著，傳統(tǒng)AOI檢測技術(shù)無法滿足精度要求，需開發(fā)全階段定量分析的專用檢測方案，進一步推高了產(chǎn)業(yè)門檻。

這些問題共同導致玻璃基板的可靠性驗證周期長、成本高，延緩了其在各類應用場景的落地進程。

還需要關(guān)注的是，半導體行業(yè)對新材料的采納歷來以謹慎和緩慢著稱，玻璃基板從技術(shù)驗證到大規(guī)模商用，仍需經(jīng)歷漫長的市場導入周期。

因為芯片封裝直接關(guān)系到終端產(chǎn)品的性能與可靠性，芯片客戶對導入新材料極為審慎。玻璃基板需要經(jīng)歷從仿真、樣品測試、小批量試產(chǎn)到最終量產(chǎn)導入的全流程驗證，這一過程通常長達2-3年甚至更久，以充分評估其在熱循環(huán)、機械應力、長期老化等極端場景下的表現(xiàn)。

另一方面，產(chǎn)業(yè)龍頭的戰(zhàn)略動向深刻影響著市場預期。此前英特爾曾考慮調(diào)整其玻璃基板策略的傳聞，雖然后續(xù)公司澄清持續(xù)推進，但這一插曲折射出即便巨頭也需在技術(shù)理想與財務現(xiàn)實、自主開發(fā)與開放生態(tài)之間艱難權(quán)衡。

這促使整個行業(yè)以更務實、理性的態(tài)度審視玻璃基板的商業(yè)化節(jié)奏。IC載板大廠欣興電子董事長曾子章即指出，由于供應鏈建設(shè)和驗證期長，玻璃載板真正量產(chǎn)的時間點可能落于2028年之后。而行業(yè)調(diào)研也顯示，大多數(shù)從業(yè)者對2026年的量產(chǎn)前景持“小批量試產(chǎn)”的審慎樂觀態(tài)度，而非大規(guī)模上量。

玻璃基板的技術(shù)革命并非一蹴而就。

市場機遇之下，行業(yè)廠商的研發(fā)投入與產(chǎn)業(yè)布局正與上述嚴峻的現(xiàn)實挑戰(zhàn)進行激烈博弈。這場博弈的勝負，不僅取決于單項技術(shù)的突破，更依賴于跨學科、跨企業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈深度協(xié)同，以及市場在性能與成本之間做出的最終權(quán)衡。、

可以預見，在未來幾年內(nèi)，玻璃基板將首先在性能優(yōu)先、對成本相對不敏感的高端AI芯片、高頻通信等細分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破性應用，而后才能逐步向更廣闊的市場滲透。

而這段“量產(chǎn)前夜”的爬坡期，正是檢驗技術(shù)成熟度、構(gòu)建產(chǎn)業(yè)生態(tài)的關(guān)鍵階段。

*免責聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個人觀點，半導體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業(yè)觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導體行業(yè)觀察。

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