上海
《科創(chuàng)板日報》19日訊，據摩根士丹利研究報告指出，傳統(tǒng)存儲芯片供需缺口正持續(xù)擴大，2025年二季度至2026年行業(yè)將迎來新一波超級周期，DDR4、DDR3、NOR Flash及SLC/MLC NAND等產品供應緊張態(tài)勢加劇，市場暫無悲觀理由。報告指出，先進制程存儲產品（如 DDR5、HBM）產能需求強勁，擠壓了成熟制程產能分配。2026年1月，頭部企業(yè)對DDR4采購態(tài)度積極，受供應限制，其一季度價格漲幅可能達50%，漲勢將延續(xù)至二季度；而產能向DDR4轉移，也導致高密度DDR3嚴重短缺，帶動相關供應商業(yè)績增長。閃存芯片領域，NOR Flash一季度報價預計上漲20%-30%，漲價趨勢或延續(xù)至2026年下半年。
特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發(fā)布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
