文源 | 源Sight

作者 | 白河

AI算力缺口推動全球內存市場升溫，SK海力士一筆150億美元擴產(chǎn)公告，進一步引燃本就瘋狂的存儲行情。

日前，SK海力士宣布要在2030年底前追加150億美元投入龍仁半導體集群首座晶圓廠建設，資金將用于完成工廠主體結構建設及核心生產(chǎn)設施部署，目標是進一步擴大先進制程晶圓產(chǎn)能，以應對全球AI、高性能計算等領域爆發(fā)式增長的存儲芯片需求。

在這一輪追投后，龍仁晶圓廠項目的總投資金額將會達到215億美元，工廠首條產(chǎn)線投產(chǎn)時間預計將提前至2027年2月。

受這個利好消息影響，SK海力士股價一度突破109萬韓元/股，總市值創(chuàng)下783.3萬億韓元的歷史新高。

得益于AI大基建帶來超級周期，近期內存行業(yè)暫時跳出了“擴產(chǎn)即過?！钡漠a(chǎn)能魔咒，回歸久違的賣方市場，而縱觀2025年，押注AI高端產(chǎn)能的SK海力士全年營業(yè)利潤高達47.21萬億韓元，首次反超三星成為韓國存儲新王。

在完成從“千年老二”到行業(yè)一哥的身份躍遷后，SK海力士并沒有躺在功勞簿上數(shù)錢的心思，而是選擇主動出擊，試圖通過積極配置上游產(chǎn)能布局，將后續(xù)盈利空間和風險可控性掌握在自己手中。

然而激進與冒進只有一字之差，追投150億美元擴產(chǎn)豪賭AI需求的另一面，SK海力士產(chǎn)品結構漸趨單一、對手反擊、國產(chǎn)替代加速推進等潛在風險，也值得客觀審視。

01

豪擲150億美元的底氣何在

SK海力士這輪豪擲150億美元擴產(chǎn)的底氣，幾乎都寫在前不久發(fā)布的那份“歷史最強”財報。

公司2025年財報顯示，過去一年SK海力士三大核心經(jīng)營指標均創(chuàng)下新高，是AI掘金潮中的最強賣鏟人。

具體來看，SK海力士去年全年營收達97.15萬億韓元（約合人民幣4528億元），同比增長47%；營業(yè)利潤為47.21萬億韓元（約合人民幣2199億元），同比增長101%，營業(yè)利潤率達49%；凈利潤42.95萬億韓元（約合人民幣2001億元），同比增長117%。

圖示：SK海力士2025年財報

值得關注的是，在AI大基建需求驅動下，公司HBM產(chǎn)品銷售額同比增長逾一倍，成為SK海力士這次創(chuàng)下歷史最高業(yè)績的核心增長引擎。

圖示：SK海力士官網(wǎng)展示的HBM4形態(tài)

同時，這也是自SK海力士創(chuàng)立以來營業(yè)利潤首次超過三星電子，公司因此一躍成為全球存儲行業(yè)盈利榜首，自去年6月DRAM市占率超過三星后，SK海力士在又一關鍵指標上完成對三星的反殺。

盈利能力的持續(xù)改善，直接轉化為充沛的現(xiàn)金流支撐，標普預測公司2026年營運現(xiàn)金流將高達82萬億韓元，SK海力士亦深諳“錢花出去才是自己的”道理，在這輪150億美元追投計劃公布之前，其已經(jīng)掏出去年營業(yè)利潤的10%用作員工分紅，預計全球3.3萬名員工平均可獲得超過1.36億韓元（約合人民幣64萬元）的獎勵。

除了亮眼的業(yè)績，推動SK這次擴產(chǎn)追投的另一關鍵因素，是全球存儲行業(yè)仍在不斷擴大的產(chǎn)能缺口。

SK海力士年初表示，2026年全年包括HBM與高端DRAM在內的存儲產(chǎn)品產(chǎn)能已全部售罄，并且已經(jīng)提前和英偉達、AMD等頭部廠商簽訂了長期供應協(xié)議。

其中，據(jù)媒體最新綜合報道，作為英偉達的核心供應商，2026年SK海力士有望獲得英偉達Vera Rubin平臺約七成HBM4訂單，遠超此前市場預期。

而從全球市場來看，據(jù)Counterpoint統(tǒng)計，SK海力士的HBM產(chǎn)品市占率接近60%，顯著高于三星與美光，在市場中擁有明顯的主導權，隨著AI基建狂熱持續(xù)，這一主導權將會繼續(xù)轉換為直接產(chǎn)能需求。

為此，SK海力士正逐步縮減低毛利消費級存儲產(chǎn)品的產(chǎn)能，將有限的晶圓資源和加工能力向高附加值的高端存儲產(chǎn)品傾斜，而這次追投龍仁晶圓廠的舉措，則是SK海力士主動優(yōu)化產(chǎn)能結構戰(zhàn)略的重要一環(huán)。

隨著龍仁晶圓廠的加速落地，SK海力士前后端全球一體化制造能力已經(jīng)初步成型。

具體來看，當前利川M16與清州M15X負責滿足當前的HBM市場需求，規(guī)劃中的龍仁首廠則定位為HBM4及更高代次產(chǎn)品的旗艦基地，中國無錫、大連工廠將繼續(xù)聚焦成熟制程，穩(wěn)定提供現(xiàn)金流，而清州P&T7工廠和美國印第安納州先進封裝工廠則主要負責后段封裝工藝。

02

該如何理解SK海力士的決心

要進一步理解SK海力士這輪激進的擴產(chǎn)計劃，還要從公司“千年老二”的定位說起。

SK海力士的前身是1983年成立的現(xiàn)代電子半導體部門，作為韓國存儲產(chǎn)業(yè)的早期參與者，其初期發(fā)展始終受行業(yè)周期波動與巨頭競爭的雙重擠壓，多次陷入經(jīng)營困境。

亞洲金融風暴期間，現(xiàn)代電子由于身負巨額債務，正處于行業(yè)下行周期的半導體部門成為集團的經(jīng)營負擔；當現(xiàn)代電子脫離現(xiàn)代集團正式更名為海力士時，公司已經(jīng)資不抵債，瀕臨破產(chǎn)，后續(xù)在韓國行業(yè)協(xié)會的支持下，才勉強擺脫被收購的命運，得以存續(xù)。

此后十年，海力士始終在行業(yè)周期中掙扎求生。

行業(yè)下行期時，被迫縮減研發(fā)投入、變賣資產(chǎn)以維持經(jīng)營，甚至關停部分低效原有產(chǎn)線；好不容易熬到行業(yè)復蘇期，又因業(yè)務布局分散、缺乏核心優(yōu)勢，被三星憑借規(guī)模優(yōu)勢持續(xù)壓制，長期處于行業(yè)第二梯隊，盈利水平極不穩(wěn)定。

這些反復出現(xiàn)的經(jīng)營問題讓海力士逐漸意識到，縱觀半導體行業(yè)競爭歷史，長期缺席高附加值核心賽道，終究難以在行業(yè)站穩(wěn)陣腳。

2012年，SK集團以約30億美元的代價收購海力士，將其更名為“SK海力士”，此次收購成為公司戰(zhàn)略轉向的關鍵節(jié)點，基于此前的經(jīng)營教訓，完成整合后的SK海力士開始圍繞核心關鍵業(yè)務和自主技術做文章。

一邊主動收縮分散業(yè)務，一邊圍繞“未來愿景”進行了大規(guī)模產(chǎn)線升級，與此同時SK海力士還將目光投向了當時小眾但潛力巨大的HBM領域。

彼時HBM尚屬于高性能計算領域的小眾產(chǎn)品，市場需求有限，長期投入難以快速看到回報，但SK海力士認為隨著全球科技行業(yè)的高速發(fā)展，服務器級別的DRAM產(chǎn)品有望迎來爆發(fā)，依托世宗、利川原有工廠的研發(fā)與生產(chǎn)能力，SK海力士開始逐步積累相關技術優(yōu)勢。

2013年，工程師出身的CEO樸星昱上任后，SK海力士開始進一步聚焦存儲核心業(yè)務，精簡冗余業(yè)務板塊，將有限的資源集中投入到HBM等前沿技術研發(fā)中。

圖示：Sk海力士押注HBM的關鍵節(jié)點

此后，在HBM市場需求尚未爆發(fā)的長達十多年間，SK海力士逐步完成從HBM2到HBM3、HBM3E、HBM4的技術迭代，而隨著AI產(chǎn)業(yè)初露端倪，HBM需求開始緩慢釋放，SK海力士這一早期布局逐步收獲回報。

從市場需求結構來看，押注AI高性能產(chǎn)品是一門高風險高回報的投資藝術，AI服務器對HBM的需求量遠高于普通服務器，單臺AI服務器的HBM需求量約為普通服務器的8到10倍，需求一旦爆發(fā)規(guī)模將相當可觀，2025年全球持續(xù)性缺貨驗證了SK海力士當年的超前眼光。

如今看來，SK海力士的對于AI爆發(fā)、高性能DRAM產(chǎn)品市場需求的判斷，早在14年前已經(jīng)寫下，2025年能夠一舉拿下HBM細分賽道超過60%的市場份額，更多是對公司長期堅持低回報投入的回收。

至于如今的激進追投，不過是SK海力士長期押注這條AI賽道的必然延伸。

03

是護城河，也是雙刃劍

SK海力士的擴產(chǎn)，不僅體現(xiàn)了自身的戰(zhàn)略布局，在全球AI基建狂熱正盛的當下，更直接牽動全球存儲行業(yè)的格局。

隨著SK海力士打破行業(yè)平衡，并且繼續(xù)加速AI產(chǎn)品產(chǎn)能布局，三星、美光相繼啟動反擊回應，行業(yè)競爭日趨激烈。

就在2月12日，三星宣布HBM4提前商業(yè)化量產(chǎn)，目標顯然是針對SK海力士在去年9月宣布的HBM4量產(chǎn)體系，據(jù)了解，三星的HBM4產(chǎn)品將采用1c DRAM工藝和混合鍵合封裝技術，帶寬11.7Gbps，目前采用12層堆疊技術可提供36GB容量，未來若采用16層堆疊，容量可擴展至48GB。

雖然目前三星HBM4良率僅為60%，但也總算趕上第一波HBM4交付時間節(jié)點。

不僅如此，三星還計劃進一步關停落后產(chǎn)線，將資源集中投向HBM4和1c DRAM產(chǎn)能，希望2026年HBM銷量較2025年增長3倍以上，目標將市占率從17%提升至25%到30%，并計劃在2027年推出定制化HBM，試圖從SK海力士中奪回市場優(yōu)勢。

至于美光則采取差異化競爭策略，嘗試通過重點布局多區(qū)域供應鏈，避開與韓系廠商正面抗衡。

按照美光公告，公司正積極推進紐約、愛達荷州晶圓廠建設，同時收購臺灣力積電銅鑼廠、投資日本廣島工廠，以此降低單一區(qū)域的風險，縮小與韓系廠商的技術差距，行業(yè)消息稱，美光計劃在2026年內將其HBM4產(chǎn)能提升至1.5萬片，這將占到其本身HBM總產(chǎn)能近30%。

全球DRAM市場格局已經(jīng)從過往三足鼎立，變成“韓系雙雄+美光”的局面，在這其中，SK海力士又以半斷層的優(yōu)勢遙遙領先，然而這一切都是建立在AI需求持續(xù)保持高度繁榮前提上。

需要明確的是存儲行業(yè)的周期性并未消失，只是被AI需求的熱度暫時掩蓋，SK海力士將發(fā)展重心高度集中于AI存儲，一旦AI周期出現(xiàn)反轉，巨額擴產(chǎn)帶來的產(chǎn)能與資金壓力，可能使其陷入經(jīng)營被動。

特別是若未來AI資本開支降溫、需求調整或技術路線迭代，SK海力士產(chǎn)品結構單一的短板有可能造成業(yè)績大幅下滑。

值得關注的是，當SK海力士聚焦高端AI存儲、收縮中低端業(yè)務的同時，客觀上也在為國產(chǎn)存儲廠商提供了一個難得的突圍窗口。

中國國產(chǎn)替代進程持續(xù)加速，這可能是目前全球存儲市場最具長期影響力的變量，因為當全球視野聚焦在高端HBM產(chǎn)品領域時，國產(chǎn)存儲在消費端產(chǎn)品的替代步伐正在以肉眼可見的速度變強。

其中，長鑫存儲的DDR5良率已經(jīng)突破90%，全球市占率達8%，依托成本優(yōu)勢，正逐步實現(xiàn)中低端DDR5的替代，同時公司加速先進制程研發(fā)，未來有望滲透高端服務器DRAM市場，進一步擠壓SK海力士的市場空間

而在NAND領域，長江存儲的3D NAND產(chǎn)能持續(xù)提升，特別是其原定于2027年實現(xiàn)量產(chǎn)的武漢三期晶圓廠，有望提前至2026年下半年正式啟動，比原計劃整整提前一年。

數(shù)據(jù)顯示，長江存儲全球市占率已從2024年的9%躍升至2025年第三季度的13%，首次突破10%大關，若三期項目如期在2026年下半年量產(chǎn)，其市場份額有望沖擊15%以上，進一步逼近全球前四。

對于SK海力士而言，盡管AI存儲的高景氣周期仍在持續(xù)，行業(yè)競爭與市場風險也在逐步累積。

追投150億美元擴產(chǎn)體現(xiàn)了如今貴為行業(yè)一哥的SK海力士戰(zhàn)略魄力和對AI行業(yè)未來的樂觀預期，然而在半導體行業(yè)沒有永恒的領先者，唯有持續(xù)適應市場變化、優(yōu)化戰(zhàn)略布局、堅守技術創(chuàng)新，同時兼顧全球產(chǎn)能的合理分配與風險對沖，才能在行業(yè)迭代中保持競爭力。

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