一片直徑300毫米、厚度僅0.775毫米的圓形硅片，看似普通，卻是現(xiàn)代芯片產(chǎn)業(yè)不可或缺的物理基石。沒有它，先進(jìn)制程無法落地，AI算力無從談起，數(shù)字經(jīng)濟(jì)的諸多應(yīng)用便失去了物質(zhì)支撐。12英寸半導(dǎo)體硅片是支撐整個(gè)芯片制造體系的“第一基石”。

截至2026年，我國(guó)12英寸硅片月度需求量已突破300萬片，約占全球總需求的三分之一。但產(chǎn)業(yè)自主可控水平仍有明顯短板，整體國(guó)產(chǎn)化率約42%，近六成供給高度依賴進(jìn)口，其中日本企業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位。信越化學(xué)與SUMCO兩家日本廠商，合計(jì)控制全球60%以上的12英寸硅片產(chǎn)能，形成高度集中的供應(yīng)格局。

從被動(dòng)依賴到主動(dòng)突圍，我國(guó)12英寸硅片產(chǎn)業(yè)正打響一場(chǎng)事關(guān)長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展的關(guān)鍵攻堅(jiān)戰(zhàn)。工信部明確提出，到2030年實(shí)現(xiàn)12英寸硅片國(guó)產(chǎn)化率超過70%的戰(zhàn)略目標(biāo)。對(duì)國(guó)內(nèi)企業(yè)而言，攻堅(jiān)時(shí)間緊、任務(wù)重，不容絲毫松懈。

全球格局：日本雙寡頭構(gòu)筑的技術(shù)與市場(chǎng)壁壘

在12英寸硅片領(lǐng)域，日本企業(yè)長(zhǎng)期占據(jù)主導(dǎo)，信越化學(xué)與SUMCO形成的雙寡頭格局尤為穩(wěn)固。

信越化學(xué)為全球最大半導(dǎo)體硅片供應(yīng)商，2026年12英寸硅片月產(chǎn)能約300萬片，占全球近30%市場(chǎng)份額。作為3nm、2nm先進(jìn)制程退火片、外延片的核心供貨商，其產(chǎn)品深度嵌入三星、SK海力士等國(guó)際龍頭供應(yīng)鏈，2026年產(chǎn)能已被長(zhǎng)期訂單鎖定，成為全球先進(jìn)芯片制造的重要支撐。

SUMCO以約25%的全球份額緊隨其后，月產(chǎn)能超過200萬片，在重?fù)诫s硅片、汽車電子用硅片等領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)突出，與臺(tái)積電、英特爾保持長(zhǎng)期穩(wěn)定合作。

兩家日企合計(jì)占據(jù)全球六成以上產(chǎn)能，疊加德國(guó)Siltronic、韓國(guó)SKSiltron、中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)環(huán)球晶圓，前五家企業(yè)控制全球超過85%市場(chǎng)份額。這一格局并非短期形成，而是依靠數(shù)十年技術(shù)積累、持續(xù)研發(fā)投入與嚴(yán)密專利布局構(gòu)筑而成，工藝覆蓋單晶生長(zhǎng)、切磨拋、清洗、外延等全流程，后來者極易陷入專利糾紛。

成本優(yōu)勢(shì)進(jìn)一步強(qiáng)化了壟斷地位。日本企業(yè)產(chǎn)線建設(shè)較早，大額設(shè)備折舊已基本完成，單位成本穩(wěn)定可控。與之相比，國(guó)內(nèi)單條12英寸硅片產(chǎn)線投資動(dòng)輒百億元，在產(chǎn)能爬坡未達(dá)滿產(chǎn)階段，折舊成本居高不下，盈利壓力顯著。先發(fā)企業(yè)低成本穩(wěn)定盈利、后發(fā)企業(yè)高投入持續(xù)承壓，成為國(guó)產(chǎn)硅片發(fā)展必須面對(duì)的現(xiàn)實(shí)挑戰(zhàn)。

本土攻堅(jiān)：一批龍頭企業(yè)加速突破與規(guī)模化擴(kuò)產(chǎn)

面對(duì)技術(shù)壁壘與成本壓力，國(guó)內(nèi)企業(yè)在國(guó)家戰(zhàn)略引導(dǎo)與產(chǎn)業(yè)基金支持下，加快技術(shù)攻關(guān)與產(chǎn)能建設(shè)，逐步形成多主體協(xié)同突破的格局。

滬硅產(chǎn)業(yè)是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體硅片領(lǐng)域龍頭，通過自主研發(fā)與海外技術(shù)整合，率先實(shí)現(xiàn)12英寸硅片規(guī)模化量產(chǎn)。2026年，其12英寸硅片月產(chǎn)能達(dá)65萬片，通過中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體等主流晶圓廠認(rèn)證，主要覆蓋28nm、40nm成熟制程。在先進(jìn)制程方面，已完成14nm邏輯芯片用硅片研發(fā)驗(yàn)證，并向7nm方向延伸。其SOI硅片達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，在射頻、硅光及車規(guī)級(jí)高壓器件領(lǐng)域形成差異化競(jìng)爭(zhēng)力。按照規(guī)劃，2027年月產(chǎn)能將提升至200萬片，2030年突破300萬片，力爭(zhēng)躋身全球前三。

西安奕材是近年來快速崛起的骨干企業(yè)，專注12英寸硅片自主研發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。截至2024年末，其12英寸硅片出貨量與產(chǎn)能規(guī)模均居國(guó)內(nèi)前列、全球第六。西安基地已建成兩座工廠，單廠設(shè)計(jì)產(chǎn)能50萬片/月，第一廠于2023年滿產(chǎn)，第二廠于2024年投產(chǎn)，重點(diǎn)布局邏輯外延片與功率器件硅片，2026年底有望全面達(dá)產(chǎn)。

2026年，西安奕材西安兩廠合計(jì)月產(chǎn)能達(dá)120萬片，全球市場(chǎng)份額超過10%。2024至2026年出貨量復(fù)合增速約63%，外銷占比穩(wěn)定在30%左右。產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)200層以上NANDFlash、先進(jìn)DRAM及邏輯芯片用12英寸硅片量產(chǎn)，更先進(jìn)制程產(chǎn)品正在主流客戶驗(yàn)證中。截至2025年6月，公司累計(jì)申請(qǐng)國(guó)內(nèi)外專利1843項(xiàng)，授權(quán)799項(xiàng)，是國(guó)內(nèi)大硅片領(lǐng)域?qū)＠季肿蠲芗钠髽I(yè)之一?？偼顿Y125億元的武漢第三工廠規(guī)劃月產(chǎn)能60萬片，2027年總產(chǎn)能將達(dá)180萬片，可滿足國(guó)內(nèi)近四成需求。

西安奕材的成長(zhǎng)，得益于“政府引導(dǎo)+資本賦能+產(chǎn)學(xué)研協(xié)同”的模式。西安高新金控通過省集成電路基金累計(jì)投入35.5億元，西安高新區(qū)推動(dòng)西安理工大學(xué)劉丁團(tuán)隊(duì)與企業(yè)合作，以31項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)作價(jià)入股設(shè)立設(shè)備公司，補(bǔ)齊大尺寸硅棒關(guān)鍵裝備短板，成為地方培育硬科技企業(yè)的典型實(shí)踐。

除此以外，上海合晶、TCL中環(huán)、立昂微、中欣晶圓等企業(yè)形成梯次發(fā)展格局，在外延片、輕摻片、特色工藝片等領(lǐng)域多點(diǎn)突破，與頭部企業(yè)協(xié)同發(fā)力。

產(chǎn)能擴(kuò)張的背后，是行業(yè)緊缺的工藝人才爭(zhēng)奪。硅片制造工藝復(fù)雜、經(jīng)驗(yàn)依賴性強(qiáng)，日本企業(yè)憑借薪酬與職業(yè)穩(wěn)定性吸引大量高端人才。國(guó)內(nèi)企業(yè)一方面加快全球引才，一方面深化校企聯(lián)合培養(yǎng)，西安奕材與高校的合作模式，正是破解人才瓶頸的有益探索。

現(xiàn)實(shí)困境：規(guī)?？焖贁U(kuò)張與盈利持續(xù)承壓的深層矛盾

在產(chǎn)能與技術(shù)同步突破的同時(shí)，國(guó)產(chǎn)硅片企業(yè)普遍面臨持續(xù)虧損壓力。這種普遍性虧損，并非經(jīng)營(yíng)不善，而是重資產(chǎn)行業(yè)發(fā)展階段的客觀規(guī)律。

一是巨額折舊壓力。單座12英寸硅片工廠投資超百億元，設(shè)備投資占比超八成。固定資產(chǎn)與在建工程減值壓力突出。

二是市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下行。產(chǎn)能爬坡階段成本高于售價(jià)，疊加存貨跌價(jià)準(zhǔn)備，進(jìn)一步侵蝕利潤(rùn)。

三是結(jié)構(gòu)性供需失衡。一邊是成熟制程潛在過剩風(fēng)險(xiǎn)，一邊是高端供給嚴(yán)重不足，成為制約產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的關(guān)鍵癥結(jié)。

“擴(kuò)產(chǎn)越快、虧損越甚”的困境，折射出國(guó)產(chǎn)硅片產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略兩難。既要快速擴(kuò)產(chǎn)滿足替代需求，又要在高投入與價(jià)格壓力下維持財(cái)務(wù)可持續(xù)。這是一場(chǎng)必須保持戰(zhàn)略定力的持久戰(zhàn)。

全鏈協(xié)同：從材料、裝備到制造的生態(tài)化突破

12英寸硅片自主可控，絕非單一企業(yè)能夠完成，而是全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同作戰(zhàn)的結(jié)果。目前，我國(guó)已初步形成“上游材料—關(guān)鍵裝備與耗材—硅片制造—芯片生產(chǎn)”協(xié)同發(fā)展的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

上游電子級(jí)多晶硅長(zhǎng)期被海外寡頭壟斷，純度要求高達(dá)9N至11N。鑫華科技實(shí)現(xiàn)規(guī)?；€(wěn)定供應(yīng)，國(guó)內(nèi)市占率超50%，成為打破源頭封鎖的重要力量。2026年3月，鑫華科技科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)獲受理。企業(yè)與滬硅產(chǎn)業(yè)、TCL中環(huán)、西安奕材等下游客戶形成深度股權(quán)與業(yè)務(wù)綁定，保障原料穩(wěn)定供給，加速國(guó)產(chǎn)硅片認(rèn)證進(jìn)程。

裝備與耗材領(lǐng)域逐步實(shí)現(xiàn)突破。北方華創(chuàng)切片、拋光設(shè)備批量應(yīng)用，CMP設(shè)備穩(wěn)步替代；晶盛機(jī)電布局裝備、材料、耗材一體化；華海清科、中科飛測(cè)在平坦化、檢測(cè)環(huán)節(jié)形成競(jìng)爭(zhēng)力。耗材方面，安集科技、鼎龍股份在拋光液與拋光墊領(lǐng)域突破，石英股份高純石英坩堝實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。西安奕材在晶體生長(zhǎng)、磨拋、量測(cè)等環(huán)節(jié)大量采用國(guó)產(chǎn)裝備，成為產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同的示范樣本。

下游需求持續(xù)拉動(dòng)。根據(jù)SEMI預(yù)測(cè)，2026年中國(guó)內(nèi)地12英寸晶圓廠月產(chǎn)能將達(dá)321萬片，其中國(guó)內(nèi)資晶圓廠需求超250萬片。中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等與國(guó)產(chǎn)硅片企業(yè)深化合作，穩(wěn)步提升國(guó)產(chǎn)硅片導(dǎo)入比例。

政策層面持續(xù)發(fā)力。2026年1月，商務(wù)部對(duì)原產(chǎn)于日本的進(jìn)口二氯二氫硅發(fā)起反傾銷調(diào)查。該材料是硅片制備關(guān)鍵環(huán)節(jié)原料，此舉體現(xiàn)了國(guó)家維護(hù)產(chǎn)業(yè)鏈公平競(jìng)爭(zhēng)、保障供應(yīng)鏈安全的堅(jiān)定導(dǎo)向。

在上下游協(xié)同、資本紐帶與政策支持共同作用下，國(guó)產(chǎn)硅片認(rèn)證周期明顯縮短。過去1—2年的驗(yàn)證周期逐步壓縮，先進(jìn)制程認(rèn)證進(jìn)程加快，國(guó)產(chǎn)硅片正穩(wěn)步獲得市場(chǎng)認(rèn)可。

安全風(fēng)險(xiǎn)：外部管制升級(jí)與斷供沖擊的現(xiàn)實(shí)壓力

2025年10月，日本將110家中國(guó)實(shí)體納入出口管制清單，半導(dǎo)體材料審批周期從7—10天延長(zhǎng)至30—90天，供應(yīng)鏈不確定性顯著上升。

12英寸硅片是芯片生產(chǎn)的一次性基礎(chǔ)材料，幾乎無庫存緩沖，一旦斷供，產(chǎn)線將直接停擺。高端硅片斷供，將導(dǎo)致14nm及以下先進(jìn)制程產(chǎn)能歸零，中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體等先進(jìn)產(chǎn)能面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。

即便未發(fā)生極端斷供，日本供應(yīng)商提價(jià)10%—20%已推動(dòng)芯片成本上升約5%。若市場(chǎng)環(huán)境變化，成本與交付風(fēng)險(xiǎn)將成倍放大。信越、SUMCO既是我國(guó)主要供給方，也是全球價(jià)格主導(dǎo)者，其供給收縮不僅沖擊國(guó)內(nèi)，還可能引發(fā)全球硅片價(jià)格上漲，形成連鎖反應(yīng)。

攻堅(jiān)瓶頸：實(shí)現(xiàn)2030目標(biāo)仍需跨越四道關(guān)口

盡管國(guó)產(chǎn)12英寸硅片取得長(zhǎng)足進(jìn)步，但要在2030年實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化率超70%，仍需突破多重制約。

一是先進(jìn)制程技術(shù)差距依然存在。在14nm以下硅片的晶體缺陷、表面平坦度、均勻性等核心指標(biāo)上，國(guó)內(nèi)企業(yè)與日本雙寡頭仍存在2—3年差距。國(guó)內(nèi)企業(yè)良率多在85%—90%，日本企業(yè)穩(wěn)定在95%以上。邊緣處理、外延生長(zhǎng)等關(guān)鍵工藝仍依賴進(jìn)口裝備，超高純石英坩堝、特種研磨液等核心耗材國(guó)產(chǎn)化率不足20%。

二是市場(chǎng)信任構(gòu)建尚需時(shí)日。芯片制造對(duì)硅片可靠性要求極高，認(rèn)證周期長(zhǎng)、門檻高。國(guó)內(nèi)晶圓廠長(zhǎng)期使用日、韓產(chǎn)品，對(duì)國(guó)產(chǎn)硅片的穩(wěn)定性、一致性仍持謹(jǐn)慎態(tài)度，這種信任差距需要長(zhǎng)期批量穩(wěn)定供貨來逐步彌補(bǔ)。

三是結(jié)構(gòu)性產(chǎn)能過剩風(fēng)險(xiǎn)隱現(xiàn)。預(yù)計(jì)2028年全球12英寸硅片月產(chǎn)能將達(dá)2200萬片，需求約1800萬片，供大于求格局初步顯現(xiàn)。若國(guó)內(nèi)企業(yè)集中在成熟制程同質(zhì)化擴(kuò)產(chǎn)，而高端突破滯后，將加劇結(jié)構(gòu)失衡，降低整體產(chǎn)業(yè)效益。

四是國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)與技術(shù)封鎖持續(xù)加劇。日、韓企業(yè)持續(xù)加大研發(fā)投入，信越化學(xué)2025年研發(fā)投入占比達(dá)8.2%，高于國(guó)內(nèi)龍頭水平。同時(shí)，海外企業(yè)通過專利壁壘、技術(shù)管制、長(zhǎng)協(xié)鎖定等方式，壓制國(guó)內(nèi)企業(yè)上升空間。

戰(zhàn)略路徑：2030年國(guó)產(chǎn)化率70%攻堅(jiān)實(shí)施方案

實(shí)現(xiàn)2030年目標(biāo)，必須堅(jiān)持高端引領(lǐng)、鏈?zhǔn)絽f(xié)同、風(fēng)險(xiǎn)可控，統(tǒng)籌推進(jìn)四大攻堅(jiān)行動(dòng)。

一是實(shí)施先進(jìn)制程協(xié)同突破。聚焦14nm及以下硅片，支持滬硅產(chǎn)業(yè)、西安奕材聯(lián)合鑫華科技、北方華創(chuàng)等組建創(chuàng)新聯(lián)合體，集中突破低缺陷、高平坦度、外延片等關(guān)鍵技術(shù)，建設(shè)高端硅片研發(fā)與中試平臺(tái)，布局下一代技術(shù)方向。

二是實(shí)施全產(chǎn)業(yè)鏈強(qiáng)基工程。強(qiáng)化電子級(jí)多晶硅、特種氣體、拋光液、高純石英坩堝等關(guān)鍵材料保障，推動(dòng)裝備企業(yè)攻克先進(jìn)制程設(shè)備，建立上下游長(zhǎng)期替代協(xié)議與首批次應(yīng)用補(bǔ)償機(jī)制，引導(dǎo)晶圓廠擴(kuò)大國(guó)產(chǎn)硅片使用比例。

三是實(shí)施產(chǎn)能結(jié)構(gòu)優(yōu)化調(diào)控。嚴(yán)控低水平同質(zhì)化擴(kuò)產(chǎn)，引導(dǎo)資源向先進(jìn)制程、車規(guī)級(jí)、功率器件用高端硅片集中，支持龍頭企業(yè)兼并整合，培育具有全球競(jìng)爭(zhēng)力的領(lǐng)軍企業(yè)，建立產(chǎn)能預(yù)警機(jī)制，防范結(jié)構(gòu)性過剩。

四是實(shí)施供應(yīng)鏈安全保障行動(dòng)。建立核心材料監(jiān)測(cè)與儲(chǔ)備體系，支持企業(yè)全球布局原料、技術(shù)與市場(chǎng)，穩(wěn)步拓展海外客戶，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)硅片標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)認(rèn)證體系國(guó)際化，提升產(chǎn)業(yè)抗風(fēng)險(xiǎn)能力。

今天，從材料、裝備、硅片到晶圓制造，自主產(chǎn)業(yè)體系正從藍(lán)圖走向現(xiàn)實(shí)。以滬硅產(chǎn)業(yè)、西安奕材為代表的本土企業(yè)，在技術(shù)壁壘、專利護(hù)城河、成本劣勢(shì)多重壓力下負(fù)重前行，在百億投資、長(zhǎng)期虧損、嚴(yán)苛驗(yàn)證中堅(jiān)守突破。

中國(guó)12英寸硅片的攻堅(jiān)之路，既是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自強(qiáng)的必由之路，也是加快發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力、保障產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全的高質(zhì)量發(fā)展之路。