云計算與人工智能的普及催生海量數(shù)據(jù)流，推動數(shù)據(jù)中心內(nèi)部及跨中心對超高速、低能耗光互聯(lián)鏈路的需求激增；這類鏈路的數(shù)據(jù)傳輸速率必須大幅超越當前 200 吉比特每秒（200Gb/s）的通用標準。將新材料異質(zhì)集成至硅光平臺，可打造面向短距、短途互聯(lián)的下一代電光調(diào)制器與光電探測器。

鈮酸鋰（LiNbO?）是極具代表性的優(yōu)質(zhì)材料，憑借極高的電光系數(shù)，非常適配高速光通信系統(tǒng)。另一熱門材料為鉭酸鋰（LiTaO?），其優(yōu)勢在于電光穩(wěn)定性優(yōu)異、損傷閾值高且具備紫外透光性，適用于高功率、溫敏場景，以及短波長工作的光通信設(shè)備。

但兩類材料均含鋰元素，難以兼容主流 CMOS 制造工藝；同時，將高速光電探測器等其他器件與這類材料集成，技術(shù)落地難度極大。

為攻克上述難題，業(yè)內(nèi)正在探索多種集成方案。晶圓鍵合技術(shù)雖已在鈮酸鋰器件上實現(xiàn)驗證，但成本高昂、效率偏低 —— 鍵合后需剝離絕大部分基材，還要增設(shè)大量后續(xù)加工工序。如今，比利時微電子研究中心（imec）推出微轉(zhuǎn)印技術(shù)，可將鈮酸鋰、鉭酸鋰高效異質(zhì)集成至硅光平臺，成為極具潛力的新方案。

全球首創(chuàng)：微轉(zhuǎn)印技術(shù)實現(xiàn)薄膜鈮酸鋰調(diào)制器硅光集成

在本屆歐洲光通信大會（ECOC）上，imec 與根特大學(xué)團隊展示一項技術(shù)成果：依托全兼容標準 CMOS 制程的新型高速集成電路，實現(xiàn) O 波段 320 吉比特每秒（320Gb/s）無放大光鏈路，可在 2 公里標準單模光纖中穩(wěn)定傳輸。

該成果為全球首創(chuàng)，整套驗證方案搭配 100 吉赫茲高帶寬鍺光電二極管，通過微轉(zhuǎn)印工藝將薄膜鈮酸鋰馬赫 - 曾德爾調(diào)制器（MZM）集成至 imec 硅光平臺，并與定制行波驅(qū)動器、跨阻放大器（TIA）共封裝。

圖 1：(a) 下一代硅光平臺架構(gòu)簡化示意圖；(b) 硅光子集成電路集成薄膜鈮酸鋰后的實拍圖，及異質(zhì)電光器件聚焦離子束截面掃描電鏡圖；(c) 鍺硅光電二極管透射電鏡圖，展示深刻硅槽內(nèi)的鍺層生長結(jié)構(gòu)；(d) 鍺光電二極管光電帶寬實測曲線。（圖源：imec）

此次突破讓 imec 率先實現(xiàn)薄膜鈮酸鋰器件與硅光平臺的無縫集成。研發(fā)團隊優(yōu)化迭代全套硅光工藝流程，并協(xié)同開發(fā)光子集成電路（PIC）與電子集成電路（EIC），最大化挖掘性能潛力。該驗證方案，為單通道 400Gb/s 光互聯(lián)技術(shù)落地打通了可行路徑。

全球首次：薄膜鉭酸鋰調(diào)制器完成硅光異質(zhì)集成

另一項開創(chuàng)性成果刊發(fā)于《自然?光子學(xué)》，業(yè)內(nèi)首次實現(xiàn)鉭酸鋰調(diào)制器與硅光子集成電路的異質(zhì)集成。

該技術(shù)沿用適配鈮酸鋰的微轉(zhuǎn)印工藝，可完全兼容整片晶圓堆疊架構(gòu)，能與加熱器、濾波器、鍺光電探測器等器件無縫協(xié)同集成，且不會損耗原有器件性能。

圖 2：主流高端硅光子集成電路平臺基礎(chǔ)器件通用架構(gòu)示意圖。（圖源：imec）

助力沖刺 400Gb/s 光互聯(lián)技術(shù)里程碑

系列研究成果，彰顯 imec 持續(xù)突破高速光電路與電子電路設(shè)計邊界的研發(fā)目標。盡管該技術(shù)距離全面成熟、商用落地仍有大量優(yōu)化工作，但探索新材料、依托前沿技術(shù)迭代下一代驗證方案，是沖刺 400Gb/s 光互聯(lián)技術(shù)里程碑的關(guān)鍵一步。

（來源：imec）