浮柵式與BiCS FLASH第3代產品即將于2028年停產。

繼先前公告停產薄型小尺寸封裝（TSOP）后，鎧俠電子（中國）在今日再度向客戶發(fā)布停產通知，表示浮柵式（Floating Gate）與BiCS FLASH第3代產品即將于2028年停產。

根據鎧俠公告，最后采購預測（即客戶最后一次下單數(shù)量）期限為2026年9月30日，最后出貨時間為2028年12月31日，這意味著2029年時，鎧俠已正式退出2D NAND市場。

鎧俠于三月初公告，基于相關基板停產、市場需求及生產限制等因素，鎧俠將停止供應TSOP封裝產品。而TSOP封裝主要用于低容量LCNAND內存。鎧俠當時表示，最后采購預測（即客戶最后一次下單數(shù)量）期限為2026年5月30日，最后采購訂單截止日為2026年9月15日，最后出貨時間為2027年3月15日。

近年NAND Flash技術快速演進，由于無塵室空間有限，相較主流TLC與QLC架構，MLC的單位產值最低，不符合NAND原廠追求規(guī)模經濟與資本效率的策略，因此原廠正積極集中資源于TLC、QLC與DRAM，并逐步將LCLC產品停產（EOL），而如今則連2D NAND產品也將停產。

三星電子2D NAND閃存停產

今年2月，有報道稱三星電子將終止華城廠區(qū)內12號線的2D NAND Flash生產，轉而改造為生產瓶頸嚴重的1c DRAM后端制程生產線。業(yè)界消息表示，三星電子最快將于3月中旬停止該產線運行，之后將轉換為DRAM布線等生產線。華城12號線月產能，以12英寸晶圓為基準，約為8萬～10萬片規(guī)模。

據悉，三星電子從去年開始已向客戶告知停產方針。這意味著三星電子的2D NAND時代正式落幕。三星電子2002年在全球率先量產1Gb級NAND閃存，登頂閃存市場首位。此后在2013年成功量產3D V-NAND，推動業(yè)界技術范式轉向垂直堆疊結構。自3D NAND首次量產后約13年，2D NAND最后一座生產據點正式關閉。

三星電子在上年第四季度業(yè)績說明會電話會議上也曾提及“包括平面NAND停產在內，將老舊工藝轉向先進工藝”。2D NAND曾部分用于U盤等低價存儲設備，但隨著向3D NAND轉換完成，需求大幅下滑，主要NAND廠商均已完成3D轉型。韓國國內減少的NAND產能預計將由中國西安工廠承接。三星電子正在推進將西安工廠3D NAND工藝升級至先進世代。

12號線將改造為DRAM后端制程產線。后端制程（End Fab）是在前道工序中負責金屬布線與最終收尾等后半段工藝的設施。12號線將分擔華城廠區(qū)內其他DRAM產線的產能，有望提升整體生產效率。

本次措施是三星電子擴大DRAM產能戰(zhàn)略的一環(huán)。三星電子正在平澤與華城廠區(qū)同步擴大1c DRAM投資。平澤P4產線原本設計為可同時生產DRAM、NAND、代工的混合型晶圓廠，但近期已將投資重心轉向DRAM?，F(xiàn)有華城產線也在推進將舊世代DRAM工藝升級為1c工藝的投資，再加上本次12號線改造為后端制程。業(yè)界認為，待相關投資完成后，1c DRAM在三星電子整體DRAM產能中將占據相當高的比重。

2026年MLC NAND Flash產能將年減41.7%

TrendForce此前表示，隨著國際主要NAND Flash制造商退出或減少MLC NAND Flash生產，并集中資本支出與研發(fā)資源在先進制程，預估2026年全球MLC NAND Flash產能將年減41.7%，供需失衡情況加劇。

由于供給急縮且短期未有具規(guī)模、可快速承接的產能，2025年第一季底開始，MLC NAND Flash市場出現(xiàn)明顯追貨、提前鎖量現(xiàn)象，價格顯著上漲。

TrendForce表示，MLC NAND Flash的終端需求持穩(wěn)，主要來自工控、車用電子、醫(yī)療設備和網通等，皆對產品可靠度、寫入壽命、長期供貨承諾要求較嚴格。然而，以上需求的長期成長幅度有限，且若部分應用加速導入強化版TLC解決方案，或整體NAND Flash市場景氣明顯反轉，MLC產品價格仍可能間接承壓。

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