內(nèi)容提要：

13位中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)高層提出到2030年將芯片自給率提至80%的五年規(guī)劃，目標(biāo)包括建設(shè)7納米國(guó)產(chǎn)設(shè)備產(chǎn)線。當(dāng)前自給率僅33%，專家認(rèn)為難度極大。若不計(jì)先進(jìn)制程，低水平自給可行；若要求技術(shù)同步，則短期內(nèi)難以實(shí)現(xiàn)。

一、北方集成電路技術(shù)創(chuàng)新中心總經(jīng)理康勁等半導(dǎo)體巨頭13人提出了到2030年半導(dǎo)體自給率達(dá)到80%的五年規(guī)劃目標(biāo)。

中國(guó)主管部門在2026年至2030年的五年規(guī)劃中提出了科學(xué)技術(shù)的“自立自強(qiáng)”，將半導(dǎo)體定位為戰(zhàn)略領(lǐng)域。

國(guó)務(wù)院總理在2026年3月份的全國(guó)人民代表大會(huì)上表示，將把半導(dǎo)體培育成新興產(chǎn)業(yè)的支柱。2026年的《政府工作報(bào)告》明確指出，將集成電路與人工智能作為新質(zhì)生產(chǎn)力核心支撐，形成“芯為底座、智為引擎”雙輪驅(qū)動(dòng)格局。將集成電路作為新興支柱產(chǎn)業(yè)首位，聚焦全鏈條攻關(guān)核心環(huán)節(jié)，獲得資金政策雙重保障；以人工智能定位智能經(jīng)濟(jì)核心引擎，深化多領(lǐng)域應(yīng)用、升級(jí)基礎(chǔ)設(shè)施并完善治理。二者協(xié)同賦能，構(gòu)建硬件與軟件雙向支撐的良性循環(huán)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)替代與生態(tài)繁榮。

為呼應(yīng)這個(gè)科技突破方向和產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略方針，北方華創(chuàng)的董事長(zhǎng)趙晉榮、中國(guó)最大的存儲(chǔ)器企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）的董事長(zhǎng)陳南翔、中國(guó)最大半導(dǎo)體代工企業(yè)中芯國(guó)際集成電路制造（SMIC）為大股東的北方集成電路技術(shù)創(chuàng)新中心的總經(jīng)理康勁等13人提出了發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的五年規(guī)劃。

該規(guī)劃的主要內(nèi)容是在美國(guó)警惕技術(shù)流向中國(guó)并加強(qiáng)管制的背景下，加緊構(gòu)建中國(guó)自主的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。

具體來(lái)說(shuō)，力爭(zhēng)到2030年將國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體自給率提高到80%。提出的具體目標(biāo)是，針對(duì)7納米制程的半導(dǎo)體，建設(shè)全部國(guó)產(chǎn)制造設(shè)備的生產(chǎn)線并進(jìn)行試運(yùn)行，同時(shí)還計(jì)劃實(shí)現(xiàn)14納米半導(dǎo)體的穩(wěn)定生產(chǎn)。

《金融時(shí)報(bào)》報(bào)道稱，中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的五年規(guī)劃要求，建設(shè)半導(dǎo)體新工廠時(shí)要求采用50%以上的國(guó)產(chǎn)設(shè)備，以加速整個(gè)供應(yīng)鏈的國(guó)產(chǎn)化。

二、為此，中國(guó)的半導(dǎo)體企業(yè)正在加緊推進(jìn)技術(shù)研發(fā)和擴(kuò)大產(chǎn)能。

為突破美國(guó)的芯片設(shè)備與技術(shù)封鎖，并追趕美國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)水平，在國(guó)際展會(huì)上，半導(dǎo)體制造設(shè)備大型企業(yè)紛紛發(fā)布新產(chǎn)品。

為配合3月25～27日在上海市舉辦的“SEMICON China”國(guó)際展會(huì)，北京國(guó)資委旗下的半導(dǎo)體制造設(shè)備大型企業(yè)北方華創(chuàng)科技集團(tuán)（NAURA）在社交媒體官方賬號(hào)上發(fā)文表示：“從高端半導(dǎo)體裝備的攻堅(jiān)突破，到核心零部件的迭代進(jìn)階，北方華創(chuàng)用每一項(xiàng)成果彰顯硬核實(shí)力，用每一次創(chuàng)新踐行產(chǎn)業(yè)使命，不僅彰顯了中國(guó)半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域的深厚積淀與攻堅(jiān)底氣，更向世界亮出了中國(guó)企業(yè)錨定高端、領(lǐng)跑全球的堅(jiān)定決心！”

北方華創(chuàng)還強(qiáng)調(diào)，作為與2025年投資的沈陽(yáng)芯源微電子設(shè)備合并的成果，擴(kuò)大了產(chǎn)品陣容。還發(fā)布了采用微細(xì)的納米級(jí)技術(shù)的新產(chǎn)品。

2025年9月4日，在第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展（CSEAC 2025）上，上海國(guó)資委旗下的大型制造設(shè)備企業(yè)中微半導(dǎo)體設(shè)備（AMEC）重磅推出六款半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品，稱其等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用于國(guó)際一線客戶從65 納米到 14 納米、7 納米、5 納米及其他先進(jìn)集成電路加工制造生產(chǎn)線，以及先進(jìn)存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。

該公司董事長(zhǎng)尹志堯表示，將通過(guò)推進(jìn)技術(shù)研發(fā)和并購(gòu)，在5～10年后將自身能提供的高性能領(lǐng)域產(chǎn)品的比例提高到60%以上。

瞄準(zhǔn)在微細(xì)電路形成中不可或缺的極紫外線（EUV）光刻機(jī)方面領(lǐng)先的荷蘭阿斯麥控股，也納入了創(chuàng)造“中國(guó)版阿斯麥”的想法。

半導(dǎo)體大型企業(yè)也在加緊擴(kuò)大產(chǎn)能。長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技正在湖北省武漢市建設(shè)第三座工廠，計(jì)劃到2026年底投產(chǎn)。在用于長(zhǎng)期存儲(chǔ)的NAND型閃存方面，被認(rèn)為擁有與日美韓廠商同等或接近的技術(shù)，也有消息稱美國(guó)蘋果公司也考慮在iPhone中使用。

中芯國(guó)際表示，2026年將維持與創(chuàng)歷史新高的2025年81億美元同等水平的投資，在北京市內(nèi)推進(jìn)新工廠的建設(shè)。從事14納米以下量產(chǎn)的旗下企業(yè)將從政策性基金等籌集資金，為擴(kuò)大產(chǎn)能做準(zhǔn)備。

三、中國(guó)能否實(shí)現(xiàn)這13個(gè)頂級(jí)半導(dǎo)體企業(yè)高層提出的力爭(zhēng)到2030年將國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體自給率提高到80%的五年規(guī)劃目標(biāo)？

3月26日，對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策有影響力的清華大學(xué)教授魏少軍在接受記者采訪問(wèn)及該目標(biāo)時(shí)，未正面回應(yīng)實(shí)現(xiàn)該目標(biāo)的可能性。但他表示，地緣政治因素正在影響全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，未來(lái)以中國(guó)和美國(guó)為兩極的全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局有望逐步形成。

美國(guó)調(diào)查公司國(guó)際商務(wù)戰(zhàn)略公司(IBS)的數(shù)據(jù)顯示，根據(jù)中國(guó)企業(yè)在中國(guó)市場(chǎng)的供貨額計(jì)算出的半導(dǎo)體自給率，在2024年僅為33%，且均為非先進(jìn)制程芯片。要在2030年提高到80%，難度極大。

IBS在調(diào)查報(bào)告中稱，在以光刻機(jī)為代表的半導(dǎo)體制造設(shè)備領(lǐng)域，與外資企業(yè)的技術(shù)實(shí)力差距也很大。除了阿斯麥之外，Tokyo Electron和佳能等日本企業(yè)也參加了SEMICON China。美國(guó)的應(yīng)用材料公司、泛林集團(tuán)(Lam Research)和科磊（KLA）等3家大企業(yè)作為贊助商參加。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展離開(kāi)這些全球芯片設(shè)備、材料主流供應(yīng)商的支持與配合，可能會(huì)步履維艱。

半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)際團(tuán)體SEMI的中國(guó)總裁馮莉認(rèn)為，在使用已有技術(shù)的成熟制程（14納米以下）領(lǐng)域，“中國(guó)在全球產(chǎn)能總量中所占的比例將從2024年的25%增加到2028年的42%”。2030年很難超過(guò)80%。在7納米及以上先進(jìn)制程方面，可能差距更大。

四、對(duì)2030年芯片自給率達(dá)到80%這個(gè)目標(biāo)，要一分為二地來(lái)看。

第一，如果我們不設(shè)定與國(guó)際同步的先進(jìn)制程這個(gè)前提，完全手拿把掐。

如果我們不要求在芯片制程上與國(guó)際先進(jìn)水平同步，我們?cè)谲娖?、民品上已具?4納米芯片的規(guī)模化生產(chǎn)能力，從這個(gè)角度而言，我們不僅能夠做到80%自給，100%可能也不是問(wèn)題。

這種低水平的自給目標(biāo)，在很多領(lǐng)域我們都能實(shí)現(xiàn)。比如操作系統(tǒng)，GPU，飛機(jī)發(fā)動(dòng)機(jī)等。

比如2025年12月25日，日經(jīng)新聞在《中國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈厚度加強(qiáng)，華為手機(jī)零部件6成國(guó)產(chǎn)》一文中報(bào)道稱，華為在2024年的機(jī)型中將中國(guó)造零部件的比例提高至57%。2025年發(fā)售的Pura80Pro零部件采購(gòu)變得困難的華為，在短時(shí)間內(nèi)構(gòu)建了國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈，將CPU等多個(gè)半導(dǎo)體集成到一個(gè)芯片上的“SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）”采用了子公司海思半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的“麒麟9020”。

麒麟9020的制程（電路線寬）為7納米，與美國(guó)蘋果公司2019年推出的iPhone11使用的CPU A13Bionic，制程上同步，但性能仍有差距。更重要的是，同期的iPhone17使用的CPU是A19芯片，它采用3nm工藝，具有6核CPU和5核GPU，提供更高的內(nèi)存帶寬和圖形性能。

第二，如果我們要求與國(guó)際同步的先進(jìn)制程為前提，80%的自給率可能是望梅止渴。

如果是以與國(guó)際芯片技術(shù)同步為前提的自給自足，實(shí)現(xiàn)80%的自給率，可能還需要比現(xiàn)有的投入多數(shù)倍的資金、研究人員和更長(zhǎng)的時(shí)間。IBS預(yù)測(cè)我們至2030年14納米及以下制程芯片的自給率可以超過(guò)60%，7納米及以上芯片由于制造設(shè)備的限制，良品率還難以達(dá)到大規(guī)模生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)。

而目前臺(tái)積電已經(jīng)開(kāi)始2納米、1.4納米工廠已經(jīng)開(kāi)建。從7納米到1.4納米，這個(gè)突破五年內(nèi)基本不太可能。畢竟科學(xué)技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)步?jīng)]有捷徑可走，沒(méi)有彎道時(shí)也難以彎道超車。

第三，科學(xué)技術(shù)的突破，不宜制定具體的時(shí)間目標(biāo)。

邏輯上而言，科學(xué)技術(shù)的突破，無(wú)法做到人有多大膽、地有多大產(chǎn)。也無(wú)法做到只要資金投入足夠多，突破就能按比例提速。認(rèn)為只要給人、給錢、給壓力就能突破科學(xué)技術(shù)瓶頸，這不僅是對(duì)科技創(chuàng)新的錯(cuò)誤認(rèn)知，更是對(duì)科技創(chuàng)新的褻瀆。因?yàn)榭萍紕?chuàng)新不僅具有積累性特點(diǎn)，還具有偶然性特征。在這個(gè)世界上，沒(méi)有任何一項(xiàng)發(fā)明、創(chuàng)造，是因?yàn)橛?jì)劃和壓力催生的。也沒(méi)有任何一項(xiàng)發(fā)明創(chuàng)造，是因?yàn)槭褂昧吮韧懈嗟馁Y金和人力。

比人力，印度現(xiàn)在是世界人口最多的國(guó)家，以色列不過(guò)印度總?cè)丝诘?.8%；比財(cái)力，我們2024年投入的研發(fā)資金超過(guò)3.6萬(wàn)億元，折合大約5300億美元，與以色列當(dāng)年大約5400億美元的GDP接近。但以色列建國(guó)后已經(jīng)獲得12個(gè)諾貝爾科學(xué)獎(jiǎng)。我們僅有屠呦呦1個(gè)，印度也只有物理學(xué)家錢德拉塞卡拉·拉曼、蘇布拉馬尼揚(yáng)·錢德拉塞卡，生物學(xué)家文卡特拉曼·拉馬克里希南、哈爾·葛賓·科拉納等4個(gè)。

【作者：徐三郎】