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這兩年，HBM幾乎成了整個行業(yè)繞不開的關(guān)鍵詞。

在火熱的AI加速器之上，除了居于核心位置的GPU，最吸引目光的，往往是那幾顆緊貼其旁的HBM。

它們大多通過熱壓鍵合堆疊而成，其在DRAM芯片之間布置微米級金屬凸塊，經(jīng)由加熱與加壓完成連接與成型。

這套工藝已沿用近十年，成熟、穩(wěn)定，良率也在可控范圍內(nèi)。但真正的瓶頸，出現(xiàn)在高度上：而標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC給出的封裝高度上限為775微米，在這一空間內(nèi)，需要同時容納基底芯片與16層核心芯片，現(xiàn)有的熱壓鍵合工藝似乎已經(jīng)無法滿足需求。

此時，混合鍵合進(jìn)入到了大家的視線中，它所做的，是徹底消滅凸塊，讓兩片銅表面直接接觸，在原子層級完成連接。由此帶來更低的連接電阻、更緊湊的層間距、更短的信號路徑，以及更優(yōu)的散熱表現(xiàn)。

這一路線在圖像傳感器以及臺積電的3D V-Cache中早已得到驗證，但當(dāng)對象變成HBM，難度卻出現(xiàn)了成倍放大，原因不難理解，它不再是兩層芯片的結(jié)合，而是16層乃至20層DRAM的高堆疊結(jié)構(gòu)，任何一層的失誤，都意味著整顆芯片的報廢。業(yè)內(nèi)普遍估算，目前HBM混合鍵合的良率仍徘徊在10%左右，而真正邁向商業(yè)化，至少需要跨過60%的門檻。

即便如此，三星與SK海力士仍在今年同步邁出了量產(chǎn)驗證的第一步。

兩家公司，兩種算盤

SK海力士是HBM市場的現(xiàn)任霸主，全球市占率超過70%，HBM收入占其DRAM總銷售額超過40%，2026年的產(chǎn)能早已被提前鎖定，它提前導(dǎo)入混合鍵合，更像是一種防守，提前把下一代的技術(shù)籌碼握在手里，避免被三星或美光在HBM賽道上搶占先機(jī)。

據(jù)韓媒報道，SK海力士上月下單了一套由應(yīng)用材料（Applied Materials）與Besi聯(lián)合開發(fā)的混合鍵合在線設(shè)備，價格約200億韓元，這是該公司首次采購量產(chǎn)型混合鍵合系統(tǒng)。這套設(shè)備把應(yīng)用材料的CMP和等離子處理工序，直接整合進(jìn)Besi的鍵合機(jī)里，此前已在臺積電的生產(chǎn)線上落地，用于AMD 3D V-Cache的量產(chǎn)。

有意思的是，同期SK海力士還準(zhǔn)備引入韓華半導(dǎo)體的設(shè)備，計劃今年4到5月啟動大規(guī)模工藝驗證，押注不同供應(yīng)商讓其看起來更加游刃有余。

三星的動作看起來更急。

據(jù)報道，三星選擇在HBM4上直接推進(jìn)混合鍵合，而非沿用SK海力士主導(dǎo)的MR-MUF路線。這背后多少有點無奈，畢竟它在HBM封裝上已經(jīng)落后將近兩年，如果繼續(xù)跟隨，追上的只是昨天的技術(shù)，趕不上明天的市場。

今年三月，三星在英偉達(dá)GTC 2026上專門放出了混合鍵合技術(shù)視頻，宣稱與傳統(tǒng)TC鍵合相比熱阻可降低20%以上，并在ISSCC上發(fā)表論文展示了用晶圓間混合鍵合技術(shù)制造4F2 DRAM的過程，在一向低調(diào)的技術(shù)披露上顯得格外主動。三星CTO宋載赫在2026韓國半導(dǎo)體展上的主題演講還強調(diào)了技術(shù)的先進(jìn)性，其表示，當(dāng)12層和16層HBM使用混合鍵合運行時，基體芯片溫度可降低超過11%。

但三星的子公司Semes是個變量。三星正在評估Semes的芯片到晶圓混合鍵合機(jī)，內(nèi)部化的生產(chǎn)邏輯很清晰，減少對外部供應(yīng)商的依賴，控制核心制程。但問題是，Semes在混合鍵合設(shè)備上的整體質(zhì)量，目前仍落后于Besi，這條路走通之前，三星還得同時在外部設(shè)備上押注。

標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的背刺

就在兩家大廠密集落子的同時，標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)卻在它們背后扎了一刀。

據(jù)報道，JEDEC正在討論將HBM高度標(biāo)準(zhǔn)從775微米放寬至約900微米，新標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計從第七代HBM4E開始生效，這意味著用現(xiàn)有TC鍵合設(shè)備在更厚的芯片上堆更多層變得可行，混合鍵合從20層時必須引入變成了還能再等幾年。

值得關(guān)注的是，英偉達(dá)和亞馬遜AWS據(jù)報道均計劃采用臺積電的SoIC先進(jìn)封裝方案，而SoIC會將系統(tǒng)半導(dǎo)體垂直堆疊，天然讓整體封裝厚度增加，這給整個GPU生態(tài)系統(tǒng)在HBM高度規(guī)格上留出了更多喘息空間。

此外，HBM4的焊盤間距恰好落在10微米臨界點附近，在這個間距下混合鍵合的成本競爭力本就難以超越微凸塊方案，這一代產(chǎn)品即便不做標(biāo)準(zhǔn)調(diào)整，混合鍵合也未必有足夠的商業(yè)理由強行上馬。

標(biāo)準(zhǔn)的變化，讓荷蘭的Besi站上了風(fēng)口浪尖。

設(shè)備龍頭，大漲和暴跌

Besi是這場混合鍵合熱潮最耀眼的受益者，也是最暴露的靶心。

據(jù)Financial Times預(yù)測，Besi混合鍵合業(yè)務(wù)收入從2023年的3600萬歐元，有望在2026年飆升至4.76億歐元，屆時將占公司總營收的約三分之一。這個增長預(yù)測是Besi高估值的重要支柱。所以當(dāng)JEDEC的消息傳出，Besi股價在當(dāng)天盤中跌幅一度超過19%，在此之前，這只股票剛剛在過去一年漲了58%，五年累計漲幅超過200%。

但不到兩周，Besi又因為另一件事大漲逾10%。據(jù)路透社報道，Besi收到了來自外部的多方收購接觸，Lam Research是其中之一，而此前已持股約9%的應(yīng)用材料同樣被認(rèn)為是潛在買家之一。同一家公司，同一段時間，因為混合鍵合可能延遲跌了一次，又因為混合鍵合太重要有人想買漲了一次，頗有些諷刺感。

值得關(guān)注的是，Degroof Petercam分析師Michael Roeg指出，JEDEC此前就有過放寬HBM堆疊高度規(guī)格的先例，此次討論更可能改變混合鍵合的采用曲線，而非將其徹底終結(jié)。UBS則認(rèn)為性能和散熱優(yōu)勢在更高層數(shù)時仍會讓混合鍵合成為不可繞開的選項。

而從Besi自身來看，它并不是完全依賴于混合鍵合設(shè)備，其在TC鍵合和高精度貼片設(shè)備市場中同樣占有一席之地，只不過目前來看其增速勢必要放緩一些。

各謀出路？

HBM標(biāo)準(zhǔn)的模糊，讓每家設(shè)備廠商都開始重新思考自己的發(fā)展路線。

韓美半導(dǎo)體（Hanmi Semiconductor）是目前TC鍵合市場無可爭議的老大。TechInsights數(shù)據(jù)顯示，其在全球HBM TC鍵合機(jī)市場份額高達(dá)71.2%，SK海力士幾乎是其獨家大客戶，美光后來也開始下單。

JEDEC的標(biāo)準(zhǔn)變化對韓美來說不是壞消息，這意味著它現(xiàn)有生意的生命周期延長了。今年2月的Semicon Korea 2026展會上，韓美半導(dǎo)體還展示了專為HBM5、HBM6打造的新型寬幅TC鍵合機(jī)，其指出，由于混合鍵合商業(yè)化遭遇延遲，這臺設(shè)備有望填補市場空白。

但韓美同時也在仁川第七號工廠投入超過500億韓元，專門建設(shè)混合鍵合生產(chǎn)線，計劃明年上半年投產(chǎn)，用于HBM的混合鍵合機(jī)預(yù)計2027年推出，用于SoC的版本則推遲至2028年。它的戰(zhàn)略看起來很明確，TC鍵合負(fù)責(zé)當(dāng)下，混合鍵合等賽道真正熱起來再全力沖刺。

另一家韓國本土的設(shè)備廠商韓華半導(dǎo)體（Hanwha Semitech）的處境則要微妙許多。這家公司花了大力氣，與荷蘭精密制造商Prodrive合作開發(fā)了第二代混合鍵合機(jī)SHB2 Nano，精度達(dá)到±100納米，對標(biāo)Besi旗艦產(chǎn)品的精度指標(biāo)。設(shè)備已在荷蘭完成組裝并運回韓國，計劃向SK海力士交付測試。

它面臨的問題是，合作開發(fā)的成本結(jié)構(gòu)比自主研發(fā)更高，而市場開口又因為標(biāo)準(zhǔn)討論變得更加不確定。有業(yè)內(nèi)人士指出，SHB2 Nano的研發(fā)速度快于Prodrive的常規(guī)節(jié)奏，其精細(xì)度的長期穩(wěn)定性仍有待量產(chǎn)驗證。更直白地說，韓華半導(dǎo)體已經(jīng)把相當(dāng)多的籌碼押在了一個時間表尚不明朗的賽道上。

應(yīng)用材料（AMAT）走的是另一套邏輯，其提早買入了Besi約9%的股權(quán)，成為其最大單一股東，同時合力開發(fā)Kynex D2W混合鍵合在線系統(tǒng)，這套集成了CMP、等離子處理與鍵合工序的方案，已經(jīng)在臺積電的產(chǎn)線上量產(chǎn)運行。AMAT的想法是把自己多年積累的前道制程能力往后延伸，把CMP這樣的前端強項嵌入封裝流程，構(gòu)建一個競爭者難以單獨復(fù)制的完整平臺。同時借助Besi的設(shè)備網(wǎng)絡(luò)和客戶關(guān)系，直接進(jìn)入SK海力士和三星的供應(yīng)鏈視野，事實上，這次SK海力士的首單大型混合鍵合采購，兩家聯(lián)合設(shè)備正是中標(biāo)者。

另一位設(shè)備龍頭，K&S（Kulicke & Soffa）的布局更像是守正出奇。這家做了七十多年引線鍵合的老牌廠商，2026年3月宣布擴(kuò)展面向存儲的互連解決方案全線產(chǎn)品組合，預(yù)計其TCB業(yè)務(wù)在2026財年將環(huán)比增長約70%，并已加速推進(jìn)混合鍵合研發(fā)項目，吸引了早期客戶興趣?？梢哉f，K&S更傾向于在TCB上先發(fā)力，同時并行推進(jìn)混合鍵合研發(fā)，等到市場真正成熟，再作定向投入。

ASML，不請自來

混合鍵合這場博弈中，最令人感到意外的，其實是一個從來不做封裝設(shè)備的公司。

據(jù)韓媒The Elec報道，ASML已開始設(shè)計混合鍵合設(shè)備的整體架構(gòu)，并與長期合作伙伴Prodrive Technologies和VDL-ETG展開合作，兩者分別負(fù)責(zé)EUV磁懸浮系統(tǒng)的線性電機(jī)驅(qū)動和機(jī)械結(jié)構(gòu)制造。這兩家公司恰好也是韓華半導(dǎo)體SHB2 Nano的核心合作方，ASML如果真的入局，某種程度上是從零件供應(yīng)鏈層面截斷了后進(jìn)者的建設(shè)路徑。

ASML的CTO Marco Peters公開表示，在看過SK海力士等存儲廠商的技術(shù)路線圖之后，他確認(rèn)了堆疊制程設(shè)備的需求是真實存在的，并且正在親自審視公司在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的產(chǎn)品組合方向。但ASML的CEO也坦言，混合鍵合相關(guān)業(yè)務(wù)在2030年以前對公司營收產(chǎn)生顯著影響的概率較低，ASML要做的，是在賽道成熟前就完成技術(shù)儲備和生態(tài)卡位。

仔細(xì)思考下，其實ASML這種跨界卡位在技術(shù)上可行性并不低，目前ASML的High-NA EUV系統(tǒng)套刻精度達(dá)到0.7納米，混合鍵合所需的對準(zhǔn)控制屬于它已經(jīng)熟悉的數(shù)量級。一旦真的下場，它進(jìn)場時的技術(shù)起點就不是其他封裝設(shè)備商的初級階段，而是直接帶著幾十年納米級精控的經(jīng)驗。甚至有業(yè)內(nèi)人士評價，ASML的混合鍵合機(jī)一旦面世，將立即改變現(xiàn)有競爭格局。

落地，才是真正的問題

所有這些布局、押注、進(jìn)場與觀望，歸根結(jié)底都在等待同一個答案：混合鍵合，究竟何時才能在HBM量產(chǎn)線上真正跑起來。

從現(xiàn)有路線圖來看，答案大致指向HBM5，也就是20層堆疊的那一代。三大存儲廠商已基本確認(rèn)將在這一代中大規(guī)模導(dǎo)入混合鍵合。按照行業(yè)普遍預(yù)期，HBM5的時間窗口落在2028至2030年前后。在此之前，TC鍵合仍將通過無助焊劑等工藝持續(xù)演進(jìn)，而JEDEC圍繞封裝高度的標(biāo)準(zhǔn)博弈，本質(zhì)上是在為這段過渡期爭取更多時間與空間。

但這張看似清晰的路線圖，最大的不確定性，來自英偉達(dá)。三星與SK海力士已經(jīng)開始向其送測基于混合鍵合的HBM3E樣品，一旦英偉達(dá)在下一代Rubin乃至更后續(xù)平臺上，對帶寬、功耗或延遲提出跳躍式要求，整個行業(yè)的節(jié)奏都可能被迫提前改寫。

良率、標(biāo)準(zhǔn)，以及英偉達(dá)的需求——任何一個變量發(fā)生偏移，混合鍵合的量產(chǎn)時點都可能繼續(xù)后移。

而對于設(shè)備廠商而言，這并不是一道做或不做的選擇題?；旌湘I合的方向已無懸念，差別只在節(jié)奏，有人觀望，有人加速，有人提前卡位，至于JEDEC的標(biāo)準(zhǔn)調(diào)整，不過是這場長跑中的一次短暫補給。

*免責(zé)聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個人觀點，半導(dǎo)體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達(dá)一種不同的觀點，不代表半導(dǎo)體行業(yè)觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導(dǎo)體行業(yè)觀察。

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