內(nèi)存模組廠創(chuàng)見董事長束崇萬表示，當前DRAM與NAND閃存市場處于嚴重缺貨狀態(tài)，AI需求激增是主因，預計今年內(nèi)供應緊張局面難以緩解。

束崇萬周三在投資者交流會上指出，今年第二季DDR5價格較第一季上漲40%-50%，且采購需求仍無法完全滿足。

他強調(diào)，市場傳言內(nèi)存價格出現(xiàn)松動，與三星、美光等制造商的實際供應狀況不符，目前供給缺口大，客戶幾乎每天都在催貨。

束崇萬明確表示，"DDR4供給缺口越來越大，閃存供給缺口也肯定會越來越大"。面對供應短缺，創(chuàng)見已采取選擇性支持客戶的策略，無法滿足所有客戶需求。對于依賴內(nèi)存模組供應的下游廠商而言，采購壓力將持續(xù)累積。

擴產(chǎn)難以短期兌現(xiàn)，供應端改善遙遙無期

盡管市場流傳部分供應商擴產(chǎn)的消息，束崇萬認為這不足以緩解近期供需矛盾。

他指出，三星、美光、海力士等主要DRAM廠商在未來一年內(nèi)難以完成擴產(chǎn)，原因在于建廠周期較長——三星曾表示建廠至少需要兩年，而部分關(guān)鍵設備的訂單交貨周期已長達一年半。這意味著歐美制造商短期內(nèi)增產(chǎn)的可能性極低。

對于中國內(nèi)存廠商的擴產(chǎn)計劃，束崇萬表示，預計今年內(nèi)難以實現(xiàn)，明年產(chǎn)能能否真正釋放，市場傳言眾多，但"真實性難以判斷"。他綜合供應商提供的信息判斷，今年DRAM與NAND閃存的缺貨狀況均難以改善。

AI與邊緣計算疊加需求，內(nèi)存爭奪全面升溫

束崇萬將此輪極端缺貨的根本原因歸結(jié)于AI需求的急劇擴張。

他表示，AI的崛起使得任何搭載CPU的設備都必然需要DRAM與閃存，同時邊緣AI與自動化設備也在爭奪內(nèi)存資源，導致全面性的搶貨現(xiàn)象。他認為，DRAM與閃存自去年9月起進入極端缺貨狀態(tài)，AI需求是關(guān)鍵驅(qū)動因素。

工業(yè)自動化和嵌入式應用的內(nèi)存需求也在逐步增加，進一步加劇供需矛盾。對于通過技術(shù)手段降低內(nèi)存需求的可能性，束崇萬認為效果有限，并指出HBF技術(shù)的推出將增加而非取代對閃存的需求，且其應用場景與HBM不同。

MLC產(chǎn)品供應收緊，創(chuàng)見提前完成最后采購

在NAND閃存產(chǎn)品結(jié)構(gòu)方面，束崇萬披露，創(chuàng)見目前產(chǎn)品組合中SLC已無人使用，MLC約占10%，TLC約占90%。

值得關(guān)注的是，MLC的主要供應商Kioxia與SanDisk已相繼宣布退出或停產(chǎn)MLC產(chǎn)品，預計將使該細分市場供應更趨緊張。

對此，創(chuàng)見已提前應對。束崇萬表示，公司去年已針對工業(yè)應用的MLC產(chǎn)品完成"最后一次采購"，向三星、SanDisk等制造商鎖定了足以滿足至今年底需求的庫存，確?，F(xiàn)有客戶供應不受影響。

堅守制造商直采模式，不參與現(xiàn)貨市場投機

在采購策略上，束崇萬強調(diào)，創(chuàng)見的經(jīng)營模式幾乎只與制造商直接交易，不參與價格波動劇烈的現(xiàn)貨市場，以規(guī)避次級品、水貨及降級品的風險。

他指出，與制造商交易雖然價格同樣上漲，但供應更為穩(wěn)定，且價格調(diào)整周期較長，為每月或每季度，而非每日波動。

束崇萬同時表示，公司與供應商簽有長期協(xié)議，但在極端缺貨環(huán)境下，即便如此也無法保證完全滿足供應。他明確表示不認同賺取投機性利潤，未來將持續(xù)專注于提升服務價值、生產(chǎn)效率和管理績效。

面對供應壓力，下游客戶已普遍采取降規(guī)格應對策略，例如將16GB內(nèi)存改為8GB，或?qū)?56GB存儲縮減為128GB，以控制采購成本。