到2027年，MRDIMM在中國(guó)市場(chǎng)的滲透率將達(dá)到8%至10%。

隨著人工智能服務(wù)器對(duì)高帶寬和大容量?jī)?nèi)存的需求迅速增長(zhǎng)，瑞薩電子指出，在中國(guó)強(qiáng)勁的需求和產(chǎn)能擴(kuò)張的推動(dòng)下，其在中國(guó)的內(nèi)存接口事業(yè)部（MID）業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)將在 2026 年實(shí)現(xiàn) 100% 的增長(zhǎng)。

鑒于內(nèi)存價(jià)格上漲和供應(yīng)緊張，高端DDR5 MRDIMM接口解決方案在人工智能計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用正在加速。瑞薩電子預(yù)計(jì)，到2027年，MRDIMM在中國(guó)市場(chǎng)的滲透率將達(dá)到8%至10%，公司計(jì)劃積極為中國(guó)客戶提供測(cè)試和驗(yàn)證服務(wù)。

瑞薩電子MID業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)李竹表示，DDR5 6400產(chǎn)品原本預(yù)計(jì)在2026年占據(jù)超過(guò)50%的市場(chǎng)份額，而速度更快的8000 MT/s產(chǎn)品將在2027年取而代之。然而，近期內(nèi)存模塊和CPU價(jià)格的上漲降低了升級(jí)的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)，這可能會(huì)延緩客戶對(duì)DDR5 8000的驗(yàn)證和采用。

新規(guī)范采用的延遲預(yù)計(jì)不會(huì)對(duì)行業(yè)造成重大影響。從存儲(chǔ)器制造商的角度來(lái)看，這種延遲甚至可能有助于延長(zhǎng)現(xiàn)有工藝技術(shù)的生命周期，提高設(shè)備折舊效率，并提升整體毛利率。由于升級(jí)的緊迫壓力減輕，推動(dòng)下一代技術(shù)的動(dòng)力也可能隨之降低。

盡管如此，人工智能驅(qū)動(dòng)的帶寬需求持續(xù)推動(dòng)高端內(nèi)存產(chǎn)品的增長(zhǎng)，而MRDIMM正是其中的主要受益者之一。瑞薩電子解釋說(shuō)，MRDIMM架構(gòu)能夠?qū)?shù)據(jù)傳輸速率提升一倍，同時(shí)將單模塊容量從96GB提升至256GB。與傳統(tǒng)的RDIMM相比，這提高了CPU利用率，尤其適用于大規(guī)模人工智能模型工作負(fù)載。關(guān)于價(jià)格，朱先生表示，由于MRDIMM架構(gòu)復(fù)雜，成本比RDIMM產(chǎn)品高出十倍以上，因此其市場(chǎng)滲透率此前一直受到限制。

然而，隨著整體內(nèi)存價(jià)格上漲，MRDIMM 和 RDIMM 之間的相對(duì)價(jià)格差距正在縮小。人工智能服務(wù)器的性能提升被視為一項(xiàng)硬性需求，降低了客戶對(duì)價(jià)格的敏感度，從而推動(dòng)了 MRDIMM 的快速普及。瑞薩電子目前預(yù)測(cè)，到 2027 年，MRDIMM 在中國(guó)的滲透率將從此前預(yù)估的 5%–8% 提升至 8%–10%，未來(lái)甚至有望達(dá)到 15%–20%。

與美國(guó)市場(chǎng)更為標(biāo)準(zhǔn)化的生態(tài)系統(tǒng)不同，中國(guó)云服務(wù)提供商正積極推廣定制化內(nèi)存模塊。這種需求推動(dòng)了本土供應(yīng)鏈企業(yè)快速的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)能擴(kuò)張。為了支持這一增長(zhǎng)，瑞薩電子已在上海和成都部署了超過(guò)100名工程師的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，并配備了完善的測(cè)試設(shè)施，為客戶提供早期驗(yàn)證支持。公司對(duì)2026年中國(guó)市場(chǎng)的強(qiáng)勁營(yíng)收增長(zhǎng)充滿信心。

隨著內(nèi)存價(jià)格上漲和人工智能需求加速高端產(chǎn)品的普及，瑞薩電子認(rèn)為，未來(lái)市場(chǎng)發(fā)展將由人工智能對(duì)更大帶寬和容量的需求驅(qū)動(dòng)，這將進(jìn)一步提高高速內(nèi)存和相關(guān)接口芯片的重要性。

什么是MRDIMM？

MRDIMM（有時(shí)也稱作 MR DIMM）是 Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module（多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊） 的縮寫(xiě)。它是人工智能與數(shù)據(jù)中心等內(nèi)存密集型負(fù)載的理想內(nèi)存解決方案。

MRDIMM 將雙列 DDR5 模組與多路復(fù)用緩沖及內(nèi)存控制器相結(jié)合，以提升性能，超越標(biāo)準(zhǔn) DDR5 規(guī)格。多路復(fù)用 DIMM 可提供最高帶寬、最低延遲的主存，同時(shí)具備大容量與更高的能效比。MRDIMM 將兩個(gè) DDR5 RDIMM 整合在單個(gè)模組內(nèi)，這意味著它能夠?qū)崿F(xiàn)雙倍的數(shù)據(jù)傳輸速率。

去年年底，美光推出了面向Intel Xeon 6處理器的高性能DDR5 DRAM解決方案。美光提供的MRDIMM主內(nèi)存解決方案，在帶寬、延遲和容量三個(gè)關(guān)鍵維度上都實(shí)現(xiàn)了顯著突破。這種高性能內(nèi)存特別適用于AI訓(xùn)練、推理以及高性能計(jì)算等對(duì)內(nèi)存性能要求極高的應(yīng)用場(chǎng)景。通過(guò)與Intel Xeon 6處理器的深度優(yōu)化，美光MRDIMM能夠充分發(fā)揮處理器的計(jì)算潛力，加速內(nèi)存密集型工作負(fù)載的執(zhí)行效率。

在容量方面，美光的大容量MRDIMM提供從32GB到256GB的豐富選擇，滿足不同規(guī)模數(shù)據(jù)中心的部署需求。這種靈活的容量配置使得數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商能夠根據(jù)實(shí)際業(yè)務(wù)需求進(jìn)行精準(zhǔn)部署，在保證性能的同時(shí)優(yōu)化總體擁有成本。更重要的是，美光的高性能MRDIMM解決方案在帶寬和能效方面可提高39%，為數(shù)據(jù)中心帶來(lái)了顯著的性能提升和能源節(jié)省。

美光在DDR5技術(shù)領(lǐng)域展現(xiàn)出了強(qiáng)大的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。DDR5 RDIMM擴(kuò)展后的總帶寬高達(dá)9200 MT/s，MRDIMM擴(kuò)展后的總帶寬高達(dá)8800 MT/s，這種超高帶寬為數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供了充足的數(shù)據(jù)傳輸能力。與上一代3200 MT/s的DDR4 SDRAM相比，DDR5 SDRAM內(nèi)存的帶寬最高可提升1倍，這種性能飛躍為AI和高性能計(jì)算應(yīng)用打開(kāi)了全新的可能性。

美光基于32Gb單顆粒技術(shù)的128GB RDIMM代表了內(nèi)存技術(shù)的最新進(jìn)展。這種大容量設(shè)計(jì)不僅提供了更多的內(nèi)存空間，更重要的是通過(guò)先進(jìn)的封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)了性能與容量的完美平衡。美光96GB和128GB大容量RDIMM正在全球各地推動(dòng)AI數(shù)據(jù)中心的發(fā)展，為人工智能應(yīng)用提供了堅(jiān)實(shí)的硬件基礎(chǔ)。

美光128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存采用了行業(yè)前沿的1β技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)突破帶來(lái)了多方面的性能優(yōu)勢(shì)。與采用3DS硅通孔技術(shù)的競(jìng)品相比，美光的解決方案在位密度方面提高45%以上，這意味著在相同的物理空間內(nèi)可以集成更多的存儲(chǔ)單元。同時(shí)，能源效率提升高達(dá)22%，這對(duì)于追求綠色節(jié)能的現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心具有重要意義。此外，延遲最多降低16%，進(jìn)一步提升了系統(tǒng)的響應(yīng)速度和整體性能。

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