1/黃仁勛悲觀預(yù)測(cè)量子計(jì)算，大錯(cuò)特錯(cuò)！

1 月 7 日CES 2025。黃仁勛認(rèn)為，量子計(jì)算真正應(yīng)用要到數(shù)十年。其人對(duì)量子計(jì)算打擊性的悲觀預(yù)測(cè)，讓美股量子概念集體暴跌。超導(dǎo)量子計(jì)算Rigetti Computing 股票跌 45% ，量子計(jì)算公司 Quantum Computing 和 D-Wave Quantum 的股價(jià)則分別暴跌了 43% 和 36%。

D-Wave 公司 CEO 艾倫?巴拉茲認(rèn)為，黃仁勛的觀點(diǎn)大錯(cuò)特錯(cuò)。

D-Wave 公司已經(jīng)成功商業(yè)化其退火量子計(jì)算機(jī)，一些公司如萬(wàn)事達(dá)卡和日本 NTT 等已經(jīng)在使用 D-Wave 的量子計(jì)算機(jī)，并從中受益，這說(shuō)明量子計(jì)算機(jī)的應(yīng)用已經(jīng)在當(dāng)下成為現(xiàn)實(shí),而不是需要等到數(shù)十年之后。

谷歌的量子芯片 Willow 在計(jì)算時(shí)間上展現(xiàn)出極大優(yōu)勢(shì)，能在不到 5 分鐘內(nèi)完成一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)算任務(wù)，而當(dāng)今世界上最快的超級(jí)計(jì)算機(jī)需要花費(fèi) “10 的 25 次方” 年才能完成。此外，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)潘建偉院士團(tuán)隊(duì)發(fā)布的 “祖沖之三號(hào)”，其量子比特?cái)?shù)達(dá) 105 個(gè)，計(jì)算能力明顯提升，性能超越谷歌 72 比特 “懸鈴木” 處理器 6 個(gè)數(shù)量級(jí)。

當(dāng)下量子芯片，的確制造工藝還不夠成熟，存在著諸多技術(shù)難題需要攻克。我認(rèn)為，如果10年攻克不了量子芯片難題，所有量子項(xiàng)目就都放棄了，還用等到數(shù)十年嗎？數(shù)十年之后，這個(gè)時(shí)間太長(zhǎng)、太可怕了！

在CES 2025 會(huì)上，黃仁勛發(fā)布了世界上速度最快的芯片RTX 5090，920億個(gè)晶體管，速度是RTX 4090的兩倍。就兩倍，也沒有多大進(jìn)步啊？

各位，看到黃仁勛在 拿著的那個(gè)“大盾牌”嗎？那是巨型芯片系統(tǒng) NVLink72 的模型。真正的產(chǎn)品由72塊Blackwell GPU構(gòu)成，整體重量達(dá)到1.5噸，包含 144 個(gè)芯片、130 萬(wàn)億個(gè)晶體管和 2592 個(gè) CPU 核心，配備 14TB 的 576 個(gè) HBM 內(nèi)存芯片，AI 浮點(diǎn)運(yùn)算性能高達(dá) 1.4 exaflops。

黃仁勛聲稱其算力超過(guò)世界上最大、最快的超級(jí)計(jì)算機(jī)。懂的人都知道，NVLink72 就是個(gè)系統(tǒng)集成產(chǎn)品，集的芯片越多，算力就越大唄！這種芯片集群技術(shù)，華為早就有了。

講到這里，有朋友會(huì)問(wèn)，中國(guó)半導(dǎo)體芯片真的不怕制裁了嗎？我的回答是：感謝美國(guó)這幾年對(duì)中國(guó)的辛苦制裁，中國(guó)正在進(jìn)行一場(chǎng)半導(dǎo)體技術(shù)革命，當(dāng)下中國(guó)不僅完成傳統(tǒng)半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化布局，并且有可能在新型半導(dǎo)體領(lǐng)域超越美國(guó)。

2/可怕華為，半導(dǎo)體早就世界第一

各位，還記得幾年前，任正非說(shuō)過(guò)華為已到了無(wú)人區(qū)這句話嗎？無(wú)人區(qū)不僅指華為5G，也指半導(dǎo)體。事實(shí)上，華為早在 1991 年就介入半導(dǎo)體研發(fā)了，那個(gè)時(shí)期主要聚焦于程控交換機(jī)芯片、光通信芯片等。

黃仁勛曾多次接受媒體采訪時(shí)強(qiáng)調(diào)，華為在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。華為在芯片領(lǐng)域到底有多強(qiáng)大？一句話告訴你，你以為美國(guó)怕的是華為5G通訊技術(shù)嗎？美國(guó)怕的是華為半導(dǎo)體芯片。告訴各位，早在2020年華為設(shè)計(jì)的手機(jī)芯片和AI芯片，就做到了世界第一。

2020年10月22日。各位還記得華為 Mate 40 系列發(fā)布會(huì)嗎，余承東手持一顆小小的手機(jī)芯片麒麟9000，整個(gè)發(fā)布會(huì)，余承東共說(shuō)了 14 次 “遙遙領(lǐng)先”。2019 年 華為發(fā)布了基于自研達(dá)芬奇架構(gòu)的AI芯片昇騰 910 ，支持云邊端全棧全場(chǎng)景應(yīng)用。也就是說(shuō)，在2019年—2020年，華為設(shè)計(jì)出了世界上最強(qiáng)大的AI芯片和手機(jī)芯片和。當(dāng)時(shí)手機(jī)芯片領(lǐng)先蘋果，AI芯片領(lǐng)先英偉達(dá)。

被美國(guó)制裁后，臺(tái)積電不敢給華為代工了，阿斯麥不敢賣給中國(guó)EUV光刻機(jī)。華為設(shè)計(jì)的芯片無(wú)法制造。如果不是美國(guó)卡住制造端，今天世界上AI算力王者不是英偉達(dá)，而是華為。

任正非多次宣稱華為的光量子芯片處于全球領(lǐng)先水平。他這樣評(píng)價(jià)過(guò)，摩爾定律已到達(dá)極限，西方標(biāo)準(zhǔn)已破破爛爛、縫縫補(bǔ)補(bǔ)，我們要做自己的新衣服，要有自己的標(biāo)準(zhǔn)。

任正非為什么形容西方標(biāo)準(zhǔn)已破破爛爛、縫縫補(bǔ)補(bǔ)？指西方還在追求幾十年前的“摩爾定律”，力求在更小的芯片上排列更多上千億晶體管，來(lái)提高性能。這些在任正非看來(lái)，西方傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)已黔驢技窮了。

2024 年 10 月 23 日，華為取得 “一種超導(dǎo)芯片” 專利，標(biāo)志著華為在光芯片和光量子芯片方面取得重大突破。

什么是光量子芯片？光量子芯片指把光技術(shù)和量子技術(shù)結(jié)合在一起的一種雙重技術(shù)芯片。什么是華為做新衣服？指華為利用新材料和新技術(shù)做的新型半導(dǎo)體芯片。

華為的5G基站使用了大量的光芯片，光通訊技術(shù)華為領(lǐng)先全球。同時(shí)華為也是量子通訊的重要推動(dòng)者。6G時(shí)代，華為集光技術(shù)和量子技術(shù)于一體， 華為有可能大量使用光量子芯片，保持通訊技術(shù)世界第一。

華為的諾亞方舟實(shí)驗(yàn)室，專注于光電子芯片、光量子芯片的研發(fā)。在2020年發(fā)布業(yè)界首款 400G 和 800G 高速光模塊，突破性性能世界領(lǐng)先。華為在武漢建立的芯片廠主要生產(chǎn)光通信芯片和模塊。

在光量子芯片領(lǐng)域，華為進(jìn)行了深度研發(fā)、廣泛的布局和千億高額投入。華為收購(gòu)英國(guó)集成光子研究中心 CIP Technologies和比利時(shí)硅光技術(shù)開發(fā)商 Caliopa。據(jù)公開信息，華為哈勃投資自成立至今已投了94個(gè)項(xiàng)目，多為半導(dǎo)體領(lǐng)域企業(yè)。

3/瘋狂的中國(guó)半導(dǎo)體革命，標(biāo)志性成果

盡管今天美國(guó)仍是第一、二代半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者和控制者。各位相信嗎？第三、第四代半導(dǎo)體，中國(guó)成果顯著。不久的將來(lái)，中國(guó)有望成為第三代、第四代半導(dǎo)體的領(lǐng)導(dǎo)者；成為光芯片、超導(dǎo)量子芯片、光量子芯片的標(biāo)準(zhǔn)制定者。

第一代半導(dǎo)體的原材料是硅。第二半導(dǎo)體的原材料是砷化鎵化合物，兩代半導(dǎo)體基本上是美國(guó)和歐洲的成果。起源公司有美國(guó)的英特爾和德州儀器。緊隨美國(guó)發(fā)展起來(lái)的歐洲半導(dǎo)體有飛利浦、英飛凌、意法半導(dǎo)體等。

另外，其他國(guó)家和地區(qū)在第二代半導(dǎo)體領(lǐng)域也取得了顯著的進(jìn)展。例如，日本在砷化鎵等化合物半導(dǎo)體材料的研發(fā)和生產(chǎn)方面也具有很高的水平，韓國(guó)的半導(dǎo)體企業(yè)在第二代半導(dǎo)體器件的制造和應(yīng)用方面也崛起了。可以這么說(shuō)，美、歐、日、韓是第一、第二代半導(dǎo)體的天下。

第三代半導(dǎo)體以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表。我國(guó)在碳基芯片領(lǐng)域取得了標(biāo)志性成果。2024年4月18日，我國(guó)宣布研制出世界首顆氮化鎵量子光源芯片，這是芯片行業(yè)的一次革命性突破。

早在2020年，中科院上海微系統(tǒng)所就成功研發(fā)出8英寸石墨烯單晶圓，因石墨純度不夠，只能小批量生產(chǎn)。今年9月，我國(guó)五礦集團(tuán)宣布攻克了石墨高溫純化關(guān)鍵技術(shù)，成功開發(fā)出純度達(dá)到 99.99995% 以上的超高純石墨產(chǎn)品。標(biāo)志著我國(guó)碳基芯片，即將實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)了。

第四代半導(dǎo)體以氧化鎵材料為代表。我國(guó)在第四代半導(dǎo)體方面取得了諸多尖端成果。主要成果有大尺寸單晶生長(zhǎng)。中國(guó)電科 46 所成功制備出我國(guó)首顆 6 英寸氧化鎵單晶，達(dá)到國(guó)際最高水平。

浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)路線成功制備 2 英寸的氧化鎵晶圓 。九峰山實(shí)驗(yàn)室突破超寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展核心問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)氧化鎵材料器件首次在 6 和 8 寸中試線下線，實(shí)現(xiàn)氧化鎵和硅 / 碳化硅的異質(zhì)集成，為氧化鎵器件量產(chǎn)提供工藝解決方案。

我國(guó)DSP芯片非常強(qiáng)大，就是號(hào)稱大腦的數(shù)字信號(hào)處理器。我國(guó)電科集團(tuán)的“魂芯二號(hào) A ”與美國(guó) ADI 公司主流同類產(chǎn)品 TS201 相比，性能達(dá)到其 6-8 倍。在雷達(dá)、衛(wèi)星、戰(zhàn)斗機(jī)、潛艇、電子對(duì)抗機(jī)產(chǎn)品上應(yīng)用非常出色。

美國(guó)把中國(guó)雷達(dá)、北斗衛(wèi)星技術(shù)歸類為最高級(jí)別“高風(fēng)險(xiǎn)”技術(shù)，我國(guó)在雷達(dá)芯片、北斗芯片、DSP芯片上使用了新型半導(dǎo)體新材料，性能超強(qiáng)。比如，我國(guó)電科集團(tuán)在一種雷達(dá)芯片中添加了氮化鎵和鋁后，該芯片的雷達(dá)信號(hào)性能是普通雷達(dá)的100 倍。

北斗芯片在太空工作，在太陽(yáng)照射下的衛(wèi)星表面溫度可高達(dá) 100℃以上；背陰面的溫度可低至 -100℃以下。太空高輻射、極高溫、極低溫的工作環(huán)境，極易造成衛(wèi)星、航天器元器件的損壞。

我國(guó)開發(fā)的碳化硅、碳納米管、氮化鎵（GaN）等新型半導(dǎo)體材料，突破了抗輻射、耐極高溫、極低溫等的世界性技術(shù)難題。其中一種由中南大學(xué)范景蓮教授團(tuán)隊(duì)研發(fā)的新型耐高溫材料，可承受 3000℃的高溫。中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)俞書宏院士研究團(tuán)隊(duì)研制石墨碳納米纖維氣凝膠材料，可在零下 100 攝氏度到零上 500 攝氏度極端環(huán)境下正常工作。

總之，中國(guó)在美國(guó)360度無(wú)死角極端打壓下，國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈全棧式國(guó)產(chǎn)化了。美國(guó)無(wú)需費(fèi)心制裁了，再列實(shí)體名單，真就是個(gè)笑話了。

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