當芯片制程逼近1nm物理極限，

先進封裝成為半導體‘向死而生’的關(guān)鍵跳板！

然而——

如何突破Cu-Cu混合鍵合良率瓶頸？

? 怎樣用晶圓級封裝化解AI算力‘內(nèi)存墻’？

? 多芯片系統(tǒng)的“鏈式崩塌”怎么突破？

? 面板級封裝的標準化與良率困境何解？

這些答案，

可能將決定全球半導體未來5年生死！

ICEPT 大會報告議程｜ Plenary Talk

全球首發(fā)技術(shù)解密：把實驗室機密搬上講臺

巨頭交鋒：美日歐中技術(shù)路線終極碰撞

供應鏈突圍捷徑：閉門圈層構(gòu)建

ICEPT 2025 大會贊助企業(yè)

開幕式

張國旗教授是荷蘭工程院ChipAct工作組協(xié)調(diào)人；歐洲半導體后道技術(shù)和產(chǎn)業(yè)規(guī)劃小組成員（PACK4EU)；IEEE Fellow；Chair of IEEE EPS Fellow Election Committee；IEEE 寬禁帶電力電子技術(shù)路線圖委員會(ITRW)創(chuàng)始秘書長；國際工程院聯(lián)合會WGEE荷蘭代表；荷蘭Delft大學電子組件、技術(shù)和材料領(lǐng)域主任教授。他在飛利浦工作了20年，直至2013年，先后擔任首席科學家、技術(shù)經(jīng)理、技術(shù)戰(zhàn)略高級總監(jiān)和飛利浦研究員。他是國際SSL聯(lián)盟（ISA）顧問委員會的聯(lián)合主席；IEEE“寬帶隙半導體國際技術(shù)路線圖”（ITRW）秘書長。主要研究方向為微電子及光電子系統(tǒng)集成技術(shù)，微/納米電子及固體照明技術(shù)、工藝、產(chǎn)品及應用可靠性研究，多尺度和多物理場計算模擬和虛擬設(shè)計，長期從事半導體及半導體照明相關(guān)研究。張國旗教授在ICEPT任職近30年，并于2024年獲得“ICEPT杰出貢獻獎”。

開幕致辭

葉甜春，微電子技術(shù)專家，國際歐亞科學院院士，中國科學院微電子研究所研究員，中國半導體行業(yè)協(xié)會副理事長。葉甜春于1986年8月獲得復旦大學學士學位；1986年9月—1992年2月任中國科學院微電子中心助理工程師；1993年7月—1995年11月任中國科學院微電子中心工程師；1995年11月—1997年12月任中國科學院微電子中心高級工程師；1997年12月—1999年3月任中國科學院微電子中心研究員；1999年3月—2000年6月任中國科學院微電子中心研究員、研究室副主任；2001年—2003年任中國科學院微電子中心副主任、黨委副書記；2003年—2005年任中國科學院微電子研究所副所長、黨委副書記；2005年6月—2007年7月任中國科學院微電子研究所副所長、研究員；2005年10月—2006年7月任中國科學院微電子研究所黨委副書記；2007年3月任中國科學院微電子研究所所長、中國科學院物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心主任；2007年7月—2020年任中國科學院微電子研究所所長、研究員；2019年當選為國際歐亞科學院院士。葉甜春長期從事集成電路制造、新型器件及微細加工、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)領(lǐng)域的研究和管理工作。

張建華教授，博士生導師，國家杰出青年科學基金獲得者，教育部長江學者特聘教授，國家“萬人計劃”中青年科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才，首屆上海杰出人才獲得者。國際顯示學會（SID）北京執(zhí)委會主席，Moore and More高起點新刊主編。長期從事新型顯示、微電子、先進制造等領(lǐng)域的應用基礎(chǔ)研究、工程技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)學研用協(xié)同創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化，發(fā)表學術(shù)論文200余篇，授權(quán)發(fā)明專利170余項，獲上海市技術(shù)發(fā)明一等獎1項（2014），上海市青年科技杰出貢獻獎（2016），上海市科技進步一等獎2項（2016，2020）等多項科技獎勵。先后獲上海市巾幗創(chuàng)新獎暨上海市三八紅旗手標兵，全國巾幗建功標兵，上海市五一勞動獎章，全國五一勞動獎章等榮譽。張建華教授在 ICEPT 任職了近 10 年，自 2018-2023 年起擔任會議主席，自 2024 年至今擔任技術(shù)聯(lián)合主席。

Jeffrey C. Suhling于1985年獲得威斯康星大學工程力學博士學位。隨后，他加入奧本大學機械工程系，目前擔任該系奎納杰出教授（Quina Distinguished Professor）及系主任。 在擔任系主任之前，他曾擔任美國國家科學基金會先進車輛電子中心（CAVE）的主任。他的研究興趣包括固體力學在電子封裝中的應用，特別關(guān)注無鉛焊料和硅傳感器。 在IEEE中，蘇林博士已擔任電子封裝學會（EPS）會員長達30年。他曾擔任EPS多個領(lǐng)導職務，包括教育副會長（2019-2022年）、財務副會長（2023-2004年）及候任會長（2025年）。

頒獎盛典｜2025 CP WONG 電子封裝獎

大會報告｜August 6

封裝金礦：從理論到產(chǎn)線

全球首發(fā)技術(shù)解密：把實驗室機密搬上講臺

突破瓶頸：物理極限與多物理場耦合挑戰(zhàn)

工藝困境：技術(shù)協(xié)同與產(chǎn)業(yè)重構(gòu)

田中秀治分別于1994年、1996年和1999年從東京大學獲得機械工程學士、碩士學位和博士學位。他于1999年以研究助理的身份加入東北大學機電一體化與精密工程系，開啟了職業(yè)生涯。隨后，他于2003年前擔任助理教授，并于2013年前擔任納米力學系副教授。目前，他擔任東北大學機器人與微系統(tǒng)集成中心教授。此外，他于2004年至2006年擔任日本科學技術(shù)振興機構(gòu)（JST）研究與開發(fā)戰(zhàn)略中心研究員，隨后于2006年至2018年擔任該中心選拔研究員。

他在多個學術(shù)會議中擔任重要角色，包括2016年IEEE NEMS大會主席、2022年IEEE MEMS大會聯(lián)合主席、2023年Transducers大會執(zhí)行程序主席，以及自2019年起擔任年度MEMS工程師論壇主席。此外，他還擔任日本機械工程師學會（JSME）微納米科學與技術(shù)分會會長，以及IEEE超聲波、鐵電與頻率控制學會（UFFC-S）的AdCom成員。他持續(xù)為該領(lǐng)域做出的貢獻使他榮獲IEEE會士和JSME會士的稱號。

田中秀治的研究興趣涵蓋多個領(lǐng)域，包括MEMS、聲波器件、晶圓級封裝與集成，以及壓電器件與材料。

歐洲和亞洲在環(huán)境保護和立法方面的舉措，導致了過去15年中電子產(chǎn)品幾乎普遍轉(zhuǎn)向使用無鉛焊料（所謂的SAC合金）。 其中最大的挑戰(zhàn)之一是，無鉛焊料對老化效應極為敏感，當暴露于等溫或變溫環(huán)境時，其力學性能和失效特性會隨時間推移而退化。 此類退化由極低溫下存在的微觀結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定性引起，可能導致電子產(chǎn)品隨時間推移可靠性顯著降低。

本次報告將概述我們關(guān)于無鉛焊料老化對機械性能影響的研究。該研究結(jié)合了實驗材料表征與微觀結(jié)構(gòu)演變測量，以及本構(gòu)模型開發(fā)和有限元可靠性預測。 通過微型拉伸試樣進行了應力-應變和蠕變測試，有效彈性模量、屈服應力、抗拉強度和蠕變應變率的退化特征已被表征并建模，作為老化溫度、老化時間和合金組成的函數(shù)。類似結(jié)果也通過對無鉛電子組件中小型焊點的納米壓痕測試獲得。 最后，通過循環(huán)應力-應變測試，研究了老化引起的滯回環(huán)和疲勞壽命退化。實驗力學測試結(jié)果與無鉛焊料老化過程中微觀結(jié)構(gòu)演變的觀察結(jié)果相關(guān)聯(lián)，以建立對材料性能退化原因的基本理解。 此外，這些結(jié)果已被用于將老化效應納入Anand粘塑性本構(gòu)模型以及修改后的Morrow疲勞壽命模型，并通過有限元模擬對受老化影響的電子產(chǎn)品進行可靠性預測。

Jeffrey C. Suhling于1985年獲得威斯康星大學工程力學博士學位。隨后，他加入奧本大學機械工程系任教，現(xiàn)任該系奎納杰出教授（Quina Distinguished Professor）及系主任。他的研究領(lǐng)域集中于電子封裝的力學、可靠性和材料科學，重點包括應力傳感器與測試芯片、材料特性分析與本構(gòu)模型、可靠性測試與建模。他曾共同組織國家科學基金會先進車輛電子中心（CAVE），并擔任該中心主任，后轉(zhuǎn)任系主任。Suhling博士在電子封裝領(lǐng)域發(fā)表了超過600篇技術(shù)論文，被引用次數(shù)超過14,000次，Google Scholar上的H指數(shù)為61。 他在奧本大學指導了超過100名研究生。他是美國機械工程師學會（ASME）會士及電氣電子工程師學會（IEEE）高級會員。在ASME，Suhling博士曾于1998年至2003年擔任電氣與電子封裝分會（EPPD）執(zhí)行委員會成員，并于2003年卸任分會主席。他曾擔任InterPACK ‘07會議程序主席，以及InterPACK ‘09會議主席。他于2014年至2019年擔任ASME《電子封裝期刊》副編輯，并于2009年獲得EPPD工程力學研究獎。 在IEEE，蘇林博士已擔任電子封裝學會會員長達30年。他自2003年起擔任ECTC程序委員會（應用可靠性）委員，并自2007年起擔任ECTC專業(yè)發(fā)展課程委員會聯(lián)合主席。他曾擔任電子封裝學會（EPS）理事會成員（2014-2016年）、會員服務主任（2016-2018年）、教育副主席（2019-2022年）、財務副主席（2023-2004年）及當任主席（2025年）。Suhling博士于2018年擔任ITherm會議程序主席，2019年擔任會議總主席。他于2024年榮獲EPS William·Chen杰出服務獎。

劉勝，1979年至1986年就讀于南京航空航天大學，先后獲得學士、碩士學位。1992年畢業(yè)于美國斯坦福大學，獲工學博士學位。1992年-1998年，在美國佛羅里達(Florida)理工學院、韋恩(Wayne)州立大學任助理教授。1998年獲美國韋恩（Wayne） 州立大學機械工程系和制造研究所終身教職，擔任電子封裝實驗室主任。2001年至2013年回國擔任華中科技大學微系統(tǒng)研究中心主任、武漢光電國家實驗室(籌)微光機電系統(tǒng)研究部負責人。2014年至今，任武漢大學動力與機械學院教授、院長，工業(yè)科學研究院執(zhí)行院長、集成電路學院院長。2023年11月當選為中國科學院院士。

長期從事集成電路、LED 和微傳感器封裝及可靠性理論和前沿技術(shù)研究，是電子封裝科學與技術(shù)領(lǐng)域的杰出專家。建立了量子力學-分子動力學、界面斷裂力學和損傷力學為基礎(chǔ)的非線性整體-局部設(shè)計理論體系和設(shè)計平臺，提出電-濕/熱-應力-化學等多場耦合下缺陷調(diào)控理論；突破了界面-濕-熱-應力耦合調(diào)控關(guān)鍵技術(shù)；發(fā)明了系列先進封裝技術(shù)，解決高密度芯片封裝中翹曲、開裂和壽命短等難題，取得了一系列的原創(chuàng)性研究成果；主持“薄膜生長缺陷跨時空尺度原位/實時監(jiān)測與調(diào)控實驗裝置”“MEMS傳感器芯片先進封裝測試平臺”等國家IC裝備重大專項、國家重大科研儀器研制項目；發(fā)表SCI論文424篇，合作出版專著6部（英文4部），授權(quán)發(fā)明專利196件，被 30 多個國家的著名學者（包括 70 余名國際學會會士和 10 余名中國和美國院士）廣泛引用；以第一完成人獲國家科學技術(shù)進步一等獎、國家技術(shù)發(fā)明獎二等獎、教育部技術(shù)發(fā)明獎一等獎，白宮總統(tǒng)教授獎、NSF青年科學家獎、國際微電子及封裝學會(IMAPS)技術(shù)貢獻獎、IEEE CPMT杰出技術(shù)成就獎等多項國內(nèi)外獎項。

國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃（863計劃）專家，國家集成電路特色工藝及封測創(chuàng)新中心首席科學家，高密度集成電路封裝技術(shù)國家工程實驗室首席科學家，電氣和電子工程師協(xié)會（IEEE）會士（Fellow），美國機械工程師學會（ASME）會士（Fellow）。

自1982年該發(fā)言人加入飛利浦半導體公司（現(xiàn)為恩智浦）擔任企業(yè)發(fā)展經(jīng)理以來，集成電路的封裝技術(shù)在產(chǎn)品開發(fā)中已變得至關(guān)重要。從當時的雙列直插式封裝（DIP）開始，如今我們已發(fā)展到極度復雜的多芯片陣列，如小芯片（chiplets）和3D集成系統(tǒng)。在追求“摩爾定律”與“超越摩爾定律”的趨勢下，出現(xiàn)了許多新的封裝概念，引入了新材料，并對封裝提出了越來越高的要求，同時始終面臨著巨大的功耗挑戰(zhàn)。隨著移動、汽車和人工智能等新興應用的涌現(xiàn)，對可靠性分析的先進工具需求日益迫切。本次演講將回顧演講者親歷的40年封裝技術(shù)發(fā)展歷程，并以2014年由我們開發(fā)的MIP（微集成平臺）作為結(jié)尾，該技術(shù)現(xiàn)已在可靠性分析領(lǐng)域擁有廣泛應用。

1974年，Kees Beenakker加入荷蘭埃因霍溫的飛利浦研究實驗室，參與等離子體系統(tǒng)在環(huán)境分析和微電子圖案化領(lǐng)域的研發(fā)工作。1982年，他擔任飛利浦半導體公司的企業(yè)組裝與封裝開發(fā)經(jīng)理，并與遠東地區(qū)的組裝工廠建立了密切聯(lián)系。1989年，他被任命為代爾夫特大學的講席教授，并于2014年以代爾夫特微電子研究所科學總監(jiān)及微電子學系主任的身份退休。2006年至2014年，他擔任清華大學名譽客座教授?；谄湓缙谘芯?，他發(fā)明了MIP作為微電子學可靠性分析工具，并于2014年與唐家奇博士共同創(chuàng)立了代爾夫特公司Jiaco Instruments，目前擔任該公司顧問委員會成員。

張建華教授，土家族，湖北恩施人。農(nóng)工民主黨黨員，上海市政協(xié)委員，現(xiàn)任上海大學副校長。

1999年畢業(yè)于上海大學并獲得博士學位。1999年至今在上海大學工作，歷任講師、副研究員、研究員、博士生導師。2001年到2003年，先后在香港城市大學電子工程系（副研究員）、英國赫瑞瓦特大學計算機與電子科學系（博士后）從事研究工作。2018年7月至2020年3月任上海大學組織人事部人才辦主任，2020年4月任上海大學微電子學院執(zhí)行院長。

2008年入選上海市科技啟明星、教育部新世紀優(yōu)秀人才支持計劃，2018年獲國家杰出青年科學基金、上海領(lǐng)軍人才、國家“萬人計劃”中青年科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才，2019年獲得教育部長江學者特聘計劃支持，2024年獲首屆上海杰出人才等支持。

擔任新型顯示技術(shù)及應用集成教育部重點實驗室主任、國務院學位評議委員會第八屆機械工程學科評議組委員，國際顯示學會（SID）北京執(zhí)委會主席，Moore and More高起點新刊主編。

長期從事新型顯示、微電子、先進制造等領(lǐng)域的應用基礎(chǔ)研究、工程技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)學研用協(xié)同創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化，發(fā)表學術(shù)論文200余篇，授權(quán)發(fā)明專利170余項，獲上海市技術(shù)發(fā)明一等獎1項（2014），上海市青年科技杰出貢獻獎（2016），上海市科技進步一等獎2項（2016，2020）等多項科技獎勵。先后獲上海市巾幗創(chuàng)新獎暨上海市三八紅旗手標兵，全國巾幗建功標兵，上海市五一勞動獎章，全國五一勞動獎章等榮譽。

大會報告｜August 7

決戰(zhàn)未來：混合鍵合與異質(zhì)集成

Cu-Cu鍵合良率提升的工藝魔鬼細節(jié)

巨頭交鋒：美日歐中技術(shù)路線終極碰撞

供應鏈突圍捷徑：前沿封裝閉門圈層構(gòu)建

劉建影在瑞典皇家理工學院獲得材料科學碩士和博士學位。加入查爾姆斯理工大學之前，他在瑞典生產(chǎn)工程研究所以（IVF）擔任過項目經(jīng)理、小組負責人和部門經(jīng)理等職務。目前，他是查爾姆斯理工大學電子生產(chǎn)領(lǐng)域的正教授，并擔任該校微技術(shù)與納米科學系電子材料與系統(tǒng)實驗室主任。

作為瑞典皇家工程科學院院士及IEEE會士，他在期刊、會議論文集及書籍章節(jié)中發(fā)表了500篇論文，其中Web of Science（WoS）的H指數(shù)為29，Google Scholar引文系統(tǒng)（Google Scholar）的H指數(shù)為39，被引用次數(shù)超過2840次（WoS）或6000次（Google Scholar）。他擁有75項已獲批或正在申請的專利，并做了55場主題演講或邀請報告。此外，他在影響因子超過3.5的期刊上發(fā)表了35篇論文（其中8篇影響因子超過10），包括《自然通訊》（Nature Communications）、《先進材料》（Advanced Materials）、《先進功能材料》（Advanced Functional Materials）、《納米能源》（Nanoenergy）、《Small》、《碳》（Carbon）、《材料化學雜志》（Journal of Materials Chemistry）、《生物微流體》（Biomicrofluidics）、《組織工程》（Tissue Engineering）、《膠質(zhì)細胞》（Glia）、《蘭姆爾》（Langmuir）、《科學報告》（Scientific Reports）、《IEEE電子器件快報》（IEEE Electron Device Letters）、《IEEE計算物理與材料技術(shù)交易》（IEEE CPMT Transactions）、《應用物理快報》（Applied Physics Letters）、《納米技術(shù)》（Nanotechnology）、《IEEE納米技術(shù)》（IEEE Nanotechnology）、 《復合材料科學與技術(shù)雜志》和《歐洲聚合物雜志》。他還獲得了多項獎項，包括IEEE杰出技術(shù)成就獎和IEEE CPMT交易會“先進封裝”最佳論文獎。他的研究領(lǐng)域主要涵蓋納電子學、微系統(tǒng)封裝及3D增材制造材料與工藝，包括垂直堆疊碳納米管通過硅通孔（CNT TSV）技術(shù)、碳納米管/石墨烯輔助散熱技術(shù)、石墨烯熱擴散器、高溫穩(wěn)定導電膠、納米焊接、納米熱界面材料及生物醫(yī)學納米支架。他成功主持了超過70個由瑞典國家科學基金會、瑞典戰(zhàn)略研究委員會（SSF）、瑞典國家創(chuàng)新委員會（Vinnova）和Formas資助的研究項目，以及歐盟第六框架計劃（FP6）、第七框架計劃（FP7）和地平線2020計劃。

本報告簡要介紹了銅-銅混合鍵合的最新進展與發(fā)展趨勢。重點放在混合鍵合的基本原理上，包括D2W與W2W的對比、重構(gòu)晶圓、鍵合強度測量、混合鍵合的模擬，以及一些采用銅-銅混合鍵合的產(chǎn)品，如互補金屬氧化物半導體（CMOS）圖像傳感器、堆疊在通過硅通孔（TSV）工藝的處理器上的內(nèi)存，以及連接中央處理器（CPU）和圖形處理器（GPU）的硅橋。未來產(chǎn)品如高帶寬內(nèi)存（HBM）以及與3D單片NAND閃存類似的3D單片DRAM也將簡要提及。還將提出一些研究與開發(fā)主題，并提供一些建議。

John H Lau在半導體封裝領(lǐng)域的研發(fā)與制造工作擁有超過40年的豐富經(jīng)驗，已發(fā)表超過535篇經(jīng)同行評審的論文（其中385篇為第一作者），擁有52項已授權(quán)及待授權(quán)的美國專利（其中31項為第一發(fā)明人），并編著了24本教材。約翰是IEEE會士、IMAPS會士及ASME會士，臺灣工業(yè)研究院院士，并積極參與行業(yè)、學術(shù)界及學會的會議與研討會，致力于貢獻專業(yè)知識、學習新知并分享經(jīng)驗。

封裝材料與工藝的基本科學研究一直是全球眾多研究人員和工程師關(guān)注的焦點。這些因素是我們探索人工智能半導體和寬禁帶半導體新技術(shù)的關(guān)鍵。這些半導體的優(yōu)異性能可通過基本科學支持的器件結(jié)構(gòu)實現(xiàn)，尤其是材料組合與鍵合界面。其中一個例子是基板中的納米空洞問題。堆疊基板的弱點常導致市場中長期存在的嚴重故障事件。最嚴重的故障發(fā)生在微孔中，有時被稱為“弱微孔”。研究人員已通過SEM和TEM對微孔底部進行了宏觀觀察。然而，由于納米空洞的尺寸僅為單個納米級，且尚未應用有效的分析方法，其根本原因直至近期才被揭示。本研究團隊通過高分辨率TEM和XPS原子探針層析成像對納米空洞進行了納米級分析，最終發(fā)現(xiàn)基板微孔底部無電解銅層中存在大量殘留物。基于這一發(fā)現(xiàn)，去除殘留物可抑制過孔底部的納米空洞形成。對無電鍍銅沉積工藝的這一改進可提升基板的可靠性。因此，基礎(chǔ)科學通過揭示半導體異質(zhì)界面的新信息，可為先進邊緣AI/WBG功率半導體實現(xiàn)可靠且卓越的功能開辟有效途徑。

報告大綱：引言、界面、鍵合、半導體襯底、電鍍、總結(jié)。

菅沼 克昭于1982年獲得東北大學工學博士學位。1982年，他成為大阪大學科學與工業(yè)研究所以及工業(yè)研究所（ISIR）的研究助理，1986年成為國立防衛(wèi)學院的副教授，1996年成為大阪大學科學與工業(yè)研究所以及工業(yè)研究所（ISIR）的教授。他于2007年至2009年擔任ISIR納米技術(shù)中心主任，2018年至2020年擔任ISIR主任。目前，他是大阪大學特任教授和名譽教授，大日本住友制藥株式會社執(zhí)行顧問， Izumi Science公司總經(jīng)理。

他從事無鉛焊接、導電膠、電力電子封裝和印刷電子技術(shù)的研究。他發(fā)表了約450篇期刊論文、160篇綜述及多部關(guān)于封裝技術(shù)的著作，如《寬禁帶功率半導體封裝》。目前，他負責國際電工委員會（IEC）SC47D半導體封裝日本委員會/日本電子工業(yè)協(xié)會（JEITA）、先進半導體任務組/JEITA，以及寬禁帶功率器件熱性能評估標準化工作組/日本半導體設(shè)備協(xié)會（JFCA）。

為了實現(xiàn)智能社會，人工智能驅(qū)動的信息與通信技術(shù)已成為關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施。通過云計算、霧計算和邊緣計算的融合，它提升了數(shù)據(jù)處理效率和實時處理能力。這些技術(shù)為我們的生活和商業(yè)的方方面面帶來了創(chuàng)新。

人工智能模塊作為實現(xiàn)先進人工智能的組成部分之一，需要先進的半導體制造技術(shù)來實現(xiàn)低延遲（小于1毫秒）和低功耗。為滿足這些需求，除了通過基于摩爾定律的傳統(tǒng)微型化技術(shù)提升半導體芯片性能外，還需借助先進封裝技術(shù)實現(xiàn)AI模塊的高密度集成，從而高效提升其性能。另一方面，AI模塊的進步也帶來了諸多挑戰(zhàn)，如三維結(jié)構(gòu)復雜性導致的良率下降、成本上升及功耗增加等問題。

ULVAC一直致力于通過基板封裝、2.5D中介層和3D-IC技術(shù)（包括硅通孔（TSV）和混合鍵合）實現(xiàn)異構(gòu)集成，持續(xù)開發(fā)制造解決方案。此外，為降低人工智能模塊的成本，ULVAC正持續(xù)努力在保持晶圓級封裝（WLP）質(zhì)量的基礎(chǔ)上，實現(xiàn)面板級封裝（PLP）作為中間工藝的制造技術(shù)。在本場演講中，ULVAC 將概述其在異構(gòu)芯片集成方面的努力，其中涉及等離子體刻蝕/灰化及物理氣相沉積（PVD）濺射技術(shù)，以實現(xiàn)高密度互連。

Taku Hanna于2017年加入ULVAC公司。他從東京工業(yè)大學獲得工程學博士學位，研究方向為無機材料開發(fā)。他參與了高靈敏度氫氣探測器、合金以及氧化物半導體材料的開發(fā)，以及氧化物半導體薄膜晶體管（TFT）器件的研發(fā)。目前，他擔任ULVAC先進技術(shù)研究所高級經(jīng)理，負責先進封裝技術(shù)和功率半導體領(lǐng)域的工作。在此職位上，他致力于半導體制造設(shè)備的研發(fā)，包括濺射和刻蝕設(shè)備。

陳光雄目前擔任日月光中壢廠工程發(fā)展中心資深副總經(jīng)理，領(lǐng)導研發(fā)團隊在先進封裝中不斷創(chuàng)新，并推進與客戶合作。陳副總在半導體封裝制造領(lǐng)域深耕30多年，致力于封裝技術(shù)、MEMS傳感器、晶圓凸塊、倒裝芯片封裝、先進封裝以及系統(tǒng)級封裝SiP解決方案。

教育程度:

臺灣大學 高級管理人員工商管理碩士學位 (EMBA)

臺灣大學 化學工程學系畢業(yè)

經(jīng)歷:

日月光半導體集團 資深工程副總經(jīng)理

摩托羅拉電子股份有限公司 主任工程師經(jīng)理

德州儀器工業(yè)股份有限公司 制程工程師

臺灣半導體協(xié)會 微機電委員會副主席 (2013 /2014)

李世瑋教授于1992年獲得美國普渡大學航空航天工程博士學位，目前他是香港科技大學（廣州）智能制造學域的講座教授，同時擔任系統(tǒng)樞紐院長。另外，他還兼任香港科技大學的深圳平臺執(zhí)行院長、電子封裝實驗室主任、以及佛山智能制造研究院院長。李教授的研究領(lǐng)域聚焦于微電子/光電子封裝和增材制造的技術(shù)研發(fā)，科研項目涵蓋晶圓級封裝和異構(gòu)集成、面向微系統(tǒng)封裝的3D打印、面向半導體照明和超越照明的LED封裝、以及無鉛焊接工藝和焊點可靠性。除了在國際學術(shù)期刊及會議論文集上發(fā)表的數(shù)百篇論文之外，李教授還與其他專家學者合作撰寫了4本微電子封裝方面的專書，并貢獻了其他10本書中的部分章節(jié)。李教授是電氣電子工程師學會(IEEE) 、美國機械工程師學會(ASME)、國際微電子組裝和封裝學會(IMAPS)、和英國物理學會(IoP)的會士(Fellow)。目前李教授也正擔任《ASME電子封裝期刊》的總主編。

Kitty Pearsall 在德克薩斯大學獲得冶金工程學士學位以及機械工程和材料碩士和博士學位。在 IBM 的 41 年職業(yè)生涯中，被任命為集成供應鏈的戰(zhàn)略角色，同時實施全球跨商品流程/產(chǎn)品。自 2024 年 3 月 底關(guān)閉 BossPrecision Inc 以來，Kitty 現(xiàn)在隸屬于 Capstan Technologies。

34 年來Kitty 一直是IEEE的活躍成員，29年來一直是EPS的成員，其角色和職責不斷增加，包括EPS 前任主席和自2005年以來的EPS理事會成員。Kitty擁有13項美國專利和8項已公布的知識產(chǎn)權(quán)披露。 Kitty 獲得了IBM、德克薩斯大學奧斯汀分校和IEEE電子封裝協(xié)會頒發(fā)的許多杰出技術(shù)獎項。包括但不限于以下所述: EPS 杰出講師 EPS David Feldman 獎 IBM 集成供應鏈杰出工程師 IBM 技術(shù)學院院士 IBM 科技女性獎 FranE.Allan 導師獎。

除了遵循縮放定律（摩爾定律）追求微型化（More Moore）外，半導體器件如今正朝著一個新的發(fā)展方向（More than Moore）邁進，這一方向致力于實現(xiàn)器件的多功能性和不同功能的集成。未來半導體器件將朝著結(jié)合“More Moore”與“More than Moore”的高附加值系統(tǒng)發(fā)展，如同汽車的兩個輪子般協(xié)同運作。異質(zhì)集成技術(shù)，即整合異質(zhì)材料與功能的技術(shù)，正作為推動半導體產(chǎn)業(yè)持續(xù)增長的關(guān)鍵而備受關(guān)注。近年來，為實現(xiàn)高性能半導體器件的演進（如小型化、低功耗、高散熱、高輸出功率等優(yōu)異特性），先進封裝技術(shù)的應用呈現(xiàn)加速趨勢，而混合鍵合等鍵合技術(shù)預計將發(fā)揮重要作用并備受矚目。本次演講將聚焦于異質(zhì)集成中的室溫及低溫鍵合技術(shù)，這些技術(shù)以殘余應力低、熱損傷小為特點。我將以具體器件為例，探討利用這些技術(shù)在光電設(shè)備中可實現(xiàn)的全新功能與卓越性能。

日暮栄治于1991年和1999年分別獲得日本仙臺東北大學的工學碩士學位和博士學位。他于1991年至2003年在日本電信電話株式會社（NTT）擔任研究員，2003年至2019年任東京大學副教授，2017年至2022年擔任國立先進工業(yè)科學技術(shù)研究所（AIST）團隊或小組負責人。自2022年起，他擔任東北大學教授。

他是日本電子封裝學會（JIEP）和IEEE電子封裝學會日本分會（IEEE EPS Japan Chapter）的活躍成員，并于2021年至2022年擔任IEEE EPS Japan Chapter主席。他曾于2020年至2021年擔任國際電子封裝會議（ICEP）大會主席，并將于2024年擔任IEEE CPMT日本研討會（ICSJ）大會主席。他已發(fā)表或合著超過350篇期刊及會議論文。其當前研究興趣包括基于低溫鍵合的異構(gòu)集成及其在未來電子設(shè)備中的應用。

李國榮，博士，畢業(yè)于北京大學電子與信息專業(yè)，現(xiàn)任北方華創(chuàng)微電子有限公司第一刻蝕事業(yè)單元副總經(jīng)理，深耕半導體刻蝕裝備領(lǐng)域十余年，擅長開發(fā)12寸IC領(lǐng)域前段和封裝工藝和設(shè)備解決方案，具備豐富的ICP和CCP 刻蝕設(shè)備研發(fā)和量產(chǎn)經(jīng)驗，與多家12寸主流IC Fab形成長期穩(wěn)定的合作關(guān)系。

電子封裝學會（EPS）是電氣與電子工程師學會（IEEE）下屬的一個技術(shù)學會，IEEE是全球最大的專業(yè)組織，擁有超過45萬名會員。EPS擁有超過5000名會員、43個分會、33個學生分會（SBC）、12個技術(shù)委員會，以及經(jīng)過同行評審的交易會。每年舉辦的25場以上會議吸引超過5000名與會者。該學會每年發(fā)表超過7000篇新論文，且每年下載量超過150萬次。該學會擁有完善的繼續(xù)教育項目，包括33位杰出講師、成就證書，以及資源中心，為會員免費提供所有現(xiàn)有會議論文集、期刊論文和網(wǎng)絡研討會。每年頒發(fā)多項獎項，以表彰在各自領(lǐng)域取得技術(shù)卓越成就并做出杰出貢獻的會員。雖然將進一步介紹學會詳情，但本次演講將重點探討分會和學生分會在會員職業(yè)發(fā)展中的作用。將描述分會組織的各類活動類型，以及會員如何參與并貢獻力量。將介紹各類推廣計劃，例如學生分會推廣計劃，該計劃每年將為六名學生及一名學術(shù)顧問提供免費IEEE和EPS會員資格，以及EPS每年為分會提供的財務支持以資助其活動。

Andrew Tay教授目前是新加坡國立大學新加坡混合集成下一代微電子中心（SHINE）的兼職教授，以及越南東方國際大學（EIU）的訪問教授和顧問。此前，他于1975年至2015年擔任新加坡國立大學機械工程學教授，并于2016年至2018年擔任新加坡科技設(shè)計大學高級研究員。他于2012年擔任桂林電子科技大學訪問教授，并于2017年擔任中國長沙中南大學訪問教授。

他獲得澳大利亞新南威爾士大學機械工程學士學位（一級榮譽及大學獎章）和博士學位。他的研究興趣包括電子封裝（熱機械失效、分層、濕度影響、焊點可靠性）；紅外和熱反射熱成像；電子系統(tǒng)和電動汽車電池的熱管理；太陽能光伏模塊的可靠性，以及斷裂力學。他是美國機械工程師學會（ASME）會士、電氣與電子工程師學會（IEEE）終身會士，以及IEEE電子封裝學會（EPS）杰出講師。

目前，他擔任EPS分會項目總監(jiān)，EPS理事會成員，以及IEEE新加坡RS/EPS/EDS聯(lián)合分會執(zhí)行委員會成員。他曾擔任1997年首屆電子封裝技術(shù)大會（EPTC）的首任大會主席，該大會現(xiàn)已成為亞太地區(qū)EPS的旗艦會議。目前，他擔任EPTC董事會主席。

因其卓越的技術(shù)成就和貢獻，他榮獲2019年IEEE EPS大衛(wèi)·費爾德曼杰出貢獻獎、2012年IEEE CPMT卓越技術(shù)成就獎，以及2012年IEEE CPMT區(qū)域貢獻獎。因其在工程力學應用于電子與光子學封裝領(lǐng)域的杰出貢獻，他于2004年榮獲美國機械工程師學會（ASME）EPPD工程力學獎。此外，他于2000年獲頒IEEE第三千年獎章。

參會報名

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01

專業(yè)培訓課程 議程

Professional Development Course

02

中日封裝交流會議 議程

ICEPT-ICEP Session

03

亞太封裝交流會 議程

IEEE EPS R10 Session

04

混合鍵合技術(shù)研討會 議程

Hybrid Bonding Technology Session

05

專題論壇 議程

Technical Sessions

ICEPT 2025 世 界● 在此相聚

全球精英的“封裝”引力場

8月5-7日 · 中國 上海

電子封裝技術(shù)國際會議（ICEPT）創(chuàng)立于1994年，目前已開展為亞洲規(guī)模最大、凝聚力最強的封裝技術(shù)會議之一。會議固定在中國舉辦，內(nèi)容涵蓋電子封裝設(shè)計、制造、測試，以及光電子、MEMS、系統(tǒng)級封裝等領(lǐng)域。2025年，會議將于8月5-7日在上海盛大舉辦，預計將吸引全球近20個國家和地區(qū)的超1000名封裝界頂尖專家、學者、企業(yè)代表及相關(guān)技術(shù)供應商積極參與。

主要參與單位｜Attendees

國內(nèi)外企業(yè)：華為、海思、思科、英特爾、日月光、三星電子、恩智浦、紫光展銳、格羅方德、臺積電、中興微電子、博世、海光信息、中科曙光、寒武紀、匯頂、艾為、燦瑞科技、長鑫存儲、美光、中芯國際、京東方、株洲中車時代、愛發(fā)科、空氣化工、振華風光、意發(fā)薄膜、華進、深南電路、南瑞聯(lián)研、紫光國芯、德國默克、宜特檢測、長電科技、通富微電、晶方科技、甬矽電子、沛頓、矽磐、佛智芯、天芯互聯(lián)、安世半導體、華大九天、中科芯、漢高、JSR、華天科技、晟碟、賀利氏、北方華創(chuàng)、EVG、愛發(fā)科、Besi、盛美等100多家電子封裝領(lǐng)域企業(yè)。

國際科研院所：荷蘭代爾夫特理工大學、美國喬治亞理工學院、美國馬里蘭大學、拉瑪爾大學、日本梅森大學、大阪大學、英國伯明翰大學、劍橋大學、東京大學、新加坡國立大學、首爾大學、印度理工大學、以色列理工學院、波特蘭州立大學、加州大學洛衫磯分校材料學院、德國應用科學大學、瑞典皇家理工學院、英國拉夫堡大學、伊尼恩維奇大學等數(shù)十所國際名校；國際IEEE工程師協(xié)會、比利時微電子中心、美國卡羅拉多大學微/納米機電傳感器等納米科學與技術(shù)DARPA中心、德國弗朗霍夫研究所、國際微電子與封裝協(xié)會、Charles Smithgall研究所、CEA-Leti、美國國際半導體路線圖 (ITRS)等數(shù)十家國際研究機構(gòu)。

國內(nèi)科研院所：中科院微電子所、中國電子科技集團第十三所、十八所、二十所、五十五所、四十七所、二十九所、二十四所、三十八所、五零四所、五十八所、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、中國科學院金屬研究所、北京微電子所、北京華航無線電測量研究所、山東航天電子技術(shù)研究所、北京強度環(huán)境研究所、中國電子科技集團信息科學研究院、深圳第三代半導體研究院、有研工程技術(shù)研究院、中國科學院國家空間科學中心、中國航天標準化與產(chǎn)品保證研究院、常州市武進區(qū)半導體照明應用技術(shù)研究院、中國科學院深圳先進技術(shù)研究院、深圳先進電子材料國際創(chuàng)新研究院、西安微電子技術(shù)研究所、廣東省焊接技術(shù)研究所、中國電子技術(shù)標準化研究院等上百家研究院所；清華大學、北京大學、廈門大學、哈爾濱工業(yè)大學、臺灣交通大學、臺灣清華大學、武漢大學、中南大學、西安電子科技大學、東南大學、上海交通大學、上海大學、江蘇科技大學、廣東工業(yè)大學、華南理工大學、北京工業(yè)大學、復旦大學、桂林電子科技大學、重慶理工大學、大連理工大學、香港科技大學、中國科學技術(shù)大學、南方科技大學、上海工程技術(shù)大學等上百所知名高校。

專業(yè)深度

搶占技術(shù)轉(zhuǎn)移先機

全球頂尖專家齊聚

前言技術(shù)全面覆蓋

匯聚創(chuàng)新力量

激發(fā)無限可能

第26屆電子封裝技術(shù)國際會議不僅是一場學術(shù)的盛宴，更是全球電子封裝領(lǐng)域精英匯聚、思想碰撞、合作共贏的平臺。“世界”在此聚會，共同擘畫電子封裝技術(shù)的未來藍圖。

關(guān)注ICEPT