NVIDIA將支持800 VDC電源架構(gòu)。800 VDC機架電源架構(gòu)為人工智能數(shù)據(jù)中心帶來突破性進展，可實現(xiàn)更高效率、更高功率密度，同時降低能耗需求并減少二氧化碳排放。如同電動汽車行業(yè)從400V向800V的升級，機架電壓從48V提升至800V可使電流降低16倍，從而大幅減少I2R損耗以及銅材的需求。英諾賽科正與NVIDIA合作，攜手支持800 VDC電源架構(gòu)，為新一代GPU路線圖的擴展提供保障。

基于48V電壓的傳統(tǒng)人工智能系統(tǒng)正面臨嚴峻的挑戰(zhàn)——效率低下、銅耗過高，超過45%的總功耗耗費在散熱上。未來的人工智能集群（如搭載超過500塊GPU的機架）若沿用舊式PSU電源設(shè)計，將無空間容納計算單元。800 VDC架構(gòu)正是支持系統(tǒng)從千瓦級躍升至兆瓦級的解決方案。

除了向800V機架電源過渡外，該架構(gòu)還要求在800V到1V的電壓轉(zhuǎn)換中實現(xiàn)超高功率密度和超高效率。只有氮化鎵功率器件（GaN）能夠同時滿足這些嚴苛要求。

為滿足800 VDC的功率密度要求，電源開關(guān)頻率必須提升至近1MHz，以縮小磁性元件和電容器的尺寸。現(xiàn)有機架式電源的典型開關(guān)頻率最高約300kHz，如果提升至1MHz可使磁芯尺寸縮減約50%。

英諾賽科第三代氮化鎵技術(shù)具備決定性優(yōu)勢：

• 在800V輸入側(cè)，英諾賽科氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）相比在每個開關(guān)半周期內(nèi)可降低80%的驅(qū)動損耗和50%的開關(guān)損耗，從而實現(xiàn)整體功耗降低10%。
• 在54V輸出端，僅需16顆英諾賽科氮化鎵器件即可實現(xiàn)與32顆硅MOSFET相同的導(dǎo)通損耗，不僅將功率密度提升一倍，還使驅(qū)動損耗降低90%。
• 與現(xiàn)有機架架構(gòu)中的硅MOSFET相比，800 VDC的低壓電源轉(zhuǎn)換階段采用氮化鎵材料可將開關(guān)損耗降低70%，并在相同體積內(nèi)實現(xiàn)功率輸出提升40%，大幅提升功率密度。
• 基于氮化鎵的低壓功率級可擴展以支持更高功率的GPU型號，其動態(tài)響應(yīng)得到提升，同時降低了電路板上的電容成本。

作為業(yè)內(nèi)唯一的全棧氮化鎵供應(yīng)商及領(lǐng)先的氮化鎵IDM企業(yè)，英諾賽科是唯一實現(xiàn)1200V至15V氮化鎵量產(chǎn)的公司，可提供從800V到1V的全鏈路解決方案。這使英諾賽科成為唯一有能力為所有轉(zhuǎn)換階段提供全GaN功率解決方案的供應(yīng)商，從容應(yīng)對未來架構(gòu)為滿足更高功率需求的演變。

英諾賽科氮化鎵在可靠性方面同樣處于領(lǐng)先地位。其第三代器件已通過嚴苛的加速應(yīng)力測試，包括加長的2000小時動態(tài)HTOL測試、高溫（175°C）驗證及大樣本失效驗證。自主開發(fā)的在線動態(tài)電阻監(jiān)測與長期板級應(yīng)力測試確保其數(shù)據(jù)中心級產(chǎn)品的高性能工作壽命超過20年。

作為全球領(lǐng)先的氮化鎵IDM企業(yè)，英諾賽科第三代氮化鎵器件具備卓越的快速開關(guān)特性、高效率、高功率密度及優(yōu)異可靠性。通過整合800 VDC電源架構(gòu)與英諾賽科氮化鎵技術(shù)，人工智能數(shù)據(jù)中心將實現(xiàn)從千瓦級機架到兆瓦級機架的飛躍，開啟更高效、更高性能、更可靠且更環(huán)保的人工智能加速計算新時代。