近期，中日關系因日本前首相助理高市早苗發(fā)表錯誤言論陷入低谷，中國已啟動實質(zhì)性反制措施，在旅游、水產(chǎn)品等領域率先出手，日本雖暫未采取對等行動，但未來動向仍需警惕。在此背景下，雙方圍繞半導體產(chǎn)業(yè)鏈的博弈備受關注，其中光刻膠作為關鍵材料，其戰(zhàn)略地位與潛在影響值得深入剖析。

光刻膠在半導體產(chǎn)業(yè)中扮演著不可替代的角色，被譽為電子化學品領域的“皇冠明珠”。

在芯片制造的光刻工藝中，這種對光敏感的混合液體被均勻涂覆于晶圓表面，通過曝光、顯影等精密工序，將設計好的電路圖案精準轉(zhuǎn)移至晶圓上，其質(zhì)量與性能直接決定了芯片的精度與可靠性。盡管公眾更熟悉光刻機這一“明星設備”，但光刻膠的技術壁壘與戰(zhàn)略價值同樣不容小覷。

從全球市場格局看，日本企業(yè)在光刻膠領域占據(jù)絕對優(yōu)勢。全球前五大光刻膠企業(yè)壟斷超85%市場份額，其中的東京應化、捷時雅、東友化學和富士膠片為日本企業(yè)。

自上世紀起日本便投入大量資源進行技術攻關，歷經(jīng)數(shù)十年積累，在配方研發(fā)、生產(chǎn)工藝等方面構建了深厚的技術壁壘。

反觀國內(nèi)市場，中國光刻膠產(chǎn)業(yè)對外依賴度超過90%，其中從四家日本企業(yè)進口的占比超60%，說一句大家可能不愛聽的話，我們的光刻膠命脈在一定程度上掌握在日本手里。

盡管國內(nèi)已有晶瑞電材、南大光電、上海新陽等企業(yè)從事相關研發(fā)生產(chǎn)，但目前仍無法實現(xiàn)高端光刻膠的無差異替代，尤其在高端光刻膠領域，國內(nèi)企業(yè)在技術成熟度、產(chǎn)品質(zhì)量及穩(wěn)定性方面與國際先進水平存在顯著差距，難以滿足大規(guī)模生產(chǎn)需求。

若日本實施光刻膠斷供，短期內(nèi)將對中國半導體行業(yè)造成嚴重沖擊。半導體產(chǎn)業(yè)高度依賴供應鏈穩(wěn)定，斷供可能導致國內(nèi)芯片制造企業(yè)生產(chǎn)停滯，在研項目中斷，交付周期延長，不僅造成巨額經(jīng)濟損失，更將延緩整個產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進程。

然而，日本企業(yè)未必輕易采取此舉。

中國是日本光刻膠企業(yè)的核心市場，龐大的需求為其帶來豐厚利潤，其他國家市場難以消化其產(chǎn)能。中國市場占日本企業(yè)總銷售額的相當比例，若失去中國市場，日企將面臨生產(chǎn)規(guī)?？s減、固定成本無法分攤、盈利能力下降等風險，極端情況下甚至威脅生存。

面對潛在風險，中國需加速推進關鍵領域國產(chǎn)替代。近年來，本土光刻膠企業(yè)已取得實質(zhì)性突破，晶瑞電材在特定品類實現(xiàn)量產(chǎn)，南大光電在ArF光刻膠研發(fā)中取得階段性成果，上海新陽則在配套材料領域形成競爭力。

學術界同樣成果斐然，2024年7月復旦大學設計的新型半導體性光刻膠，在聚合物半導體芯片集成度上實現(xiàn)特大規(guī)模集成度突破；2025年10月北京大學首次在原位狀態(tài)下解析光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構、界面分布與纏結(jié)行為。

這些進展表明，國產(chǎn)光刻膠在理論與技術層面正逐步縮小與國際先進水平的差距，甚至在部分領域?qū)崿F(xiàn)創(chuàng)新性探索。

當然，國產(chǎn)替代仍需時間。在此期間，中國可運用稀土資源作為反制手段。日本對華稀土依賴度近60%，其中與半導體、軍事緊密相關的中重稀土依賴度更高。

若日本在光刻膠等問題上采取極端行動，中國可通過稀土出口管制施加壓力，畢竟缺乏稀土將使日本半導體產(chǎn)業(yè)陷入困境，更遑論軍事發(fā)展。

總體而言，光刻膠博弈折射出半導體產(chǎn)業(yè)鏈的復雜性與戰(zhàn)略性。中國需在保持市場優(yōu)勢的同時，持續(xù)加大研發(fā)投入，突破技術瓶頸，最終實現(xiàn)關鍵材料的自主可控。

這既需要企業(yè)的創(chuàng)新突破，也離不開政策支持與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同。唯有如此，才能從根本上化解“卡脖子”風險，在科技競爭中占據(jù)主動地位。

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