（AI云資訊消息）三星在下一代DRAM和NAND閃存技術(shù)開發(fā)領(lǐng)域持續(xù)領(lǐng)跑，據(jù)悉該公司將在2026年的國際消費(fèi)電子展上展示全新的LPDDR6技術(shù)。而更令人矚目的是，三星已成功研發(fā)出一種新型NAND閃存，實現(xiàn)了驚人的96%功耗降低。當(dāng)前，人工智能數(shù)據(jù)中心、智能手機(jī)等應(yīng)用對存儲的需求正呈指數(shù)級增長，伴隨這種爆發(fā)式增長，NAND閃存的功耗閾值也將大幅攀升。若這項突破性技術(shù)能早日投入量產(chǎn)，無疑將精準(zhǔn)契合產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求。

由34位研究人員聯(lián)合發(fā)表的題為《用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管》的論文已在全球頂尖學(xué)術(shù)期刊《自然》上發(fā)表。該項研究最初圍繞氧化物半導(dǎo)體展開，據(jù)報道，由于這類材料存在高閾值電壓問題，并不適用于高性能芯片。然而研究人員卻意外發(fā)現(xiàn)，該特性反而能成為降低NAND閃存功耗的關(guān)鍵突破口，隨著堆疊層數(shù)增加與容量提升，這一發(fā)現(xiàn)將為節(jié)能技術(shù)注入全新動力。

通過阻斷低于閾值電壓的電流，這項技術(shù)能夠有效控制漏電流，從而提升能效表現(xiàn)。在NAND閃存中，它采用單元串結(jié)構(gòu)，將存儲數(shù)據(jù)的單元以串聯(lián)方式連接。隨著單元數(shù)量增加，功耗也會相應(yīng)上升，原因之一在于即使單元開關(guān)關(guān)閉后仍會發(fā)生漏電現(xiàn)象。此外，隨著堆疊層高的增加，讀寫操作所需功耗也會同步攀升。

研究人員針對這些技術(shù)痛點創(chuàng)新性地推出全新機(jī)制，使新型NAND閃存功耗較傳統(tǒng)存儲芯片降低逾96%。雖然報告未明確該技術(shù)何時實現(xiàn)商業(yè)化，但一旦進(jìn)入量產(chǎn)階段，其卓越能效將惠及全行業(yè)。當(dāng)前仍需等待UFS 5.0芯片搭載于智能手機(jī)等移動計算設(shè)備，同時期盼三星電子能順利推進(jìn)研發(fā)進(jìn)程，避免遭遇意外技術(shù)障礙。