什么是 SADP 工藝？

SADP（Self-Aligned Double Patterning，自對(duì)準(zhǔn)雙重圖形化）
是一種利用spacer刻蝕圖形，從而將線距（pitch）縮小為原來(lái)的1/2的技術(shù)。

一句話總結(jié)：

光刻一次 → 通過(guò)一輪 spacer → 得到兩倍密度的圖形（pitch ÷ 2）。

SADP 是 SAQP（四重圖形化）的基礎(chǔ)步驟，也是最常用、最成功的多重圖形化技術(shù)之一。

SADP 工藝流程

Step 1：Core Patterning（光刻 + 刻蝕 core）

使用光刻做出 core（硬掩膜）

Step 2：Spacer Deposition（沉積 spacer）

以 ALD 或 CVD 方式覆蓋在 core 的表面

材料如 SiN / SiO? / SiC

要求：
完全 conformal
厚度精準(zhǔn)（決定最終線寬）

Step 3：Spacer Etch（各向異性刻蝕）

去除頂部、底部

只保留側(cè)壁 spacer

結(jié)果：

spacer core spacer


此時(shí)結(jié)構(gòu) pitch 大約為原來(lái)的1/2。

Step 4：Core Removal（去除 core）

去掉中間 core，留下兩條 spacer

這些 spacer 就是新的 mask

Step 5：Pattern Transfer（圖形轉(zhuǎn)移到底層）

利用 spacer 作為最精細(xì)的掩膜

刻蝕到硬掩膜或底層薄膜

完成最終 p = p? / 2 的線條。

SADP 與 SAQP 的關(guān)系

技術(shù)

目的

spacer 次數(shù)

pitch 縮小倍數(shù)

SADP

一次 pitch 分裂

1

1/2SAQP

兩次 pitch 分裂

2

1/4

也就是說(shuō)：

SAQP = SADP × 2（第二輪 spacer 繼續(xù)分裂）

如有需要1.2L全套微型電鍍槽如下圖，可聯(lián)系Tom

目前我們有cmp，光刻，鍍膜，鍵合，量檢測(cè)的技術(shù)群，如需進(jìn)群，請(qǐng)加Tom微，防失聯(lián)：

本團(tuán)隊(duì)可以接半導(dǎo)體3D動(dòng)畫制作：半導(dǎo)體設(shè)備動(dòng)作，工藝原理等，適合各類機(jī)臺(tái)，各種芯片，動(dòng)畫效果如視頻所示：