本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

DNP目標(biāo)在2030財(cái)年將納米壓印相關(guān)業(yè)務(wù)銷(xiāo)售額提升至40億日元。

大日本印刷株式會(huì)社（DNP）今日宣布，成功研發(fā)出一款電路線寬為10nm的納米壓印光刻（NIL）模板。該新型模板可實(shí)現(xiàn)相當(dāng)于1.4納米制程的邏輯半導(dǎo)體圖形化，滿足智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心、NAND閃存等設(shè)備中尖端邏輯半導(dǎo)體的微型化需求。

近年來(lái)，隨著設(shè)備向更高性能發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)尖端半導(dǎo)體的微型化提出了更高要求，推動(dòng)了基于極紫外（EUV）光刻的生產(chǎn)技術(shù)進(jìn)步。然而，極紫外光刻在生產(chǎn)線建設(shè)和曝光過(guò)程中需要巨額資本投入、大量能源消耗及高昂運(yùn)營(yíng)成本，因此在降低制造成本與減輕環(huán)境負(fù)擔(dān)之間尋求平衡已成為迫切需求。

自2003年起，DNP便開(kāi)始研發(fā)納米壓印光刻模板，該模板可直接將電路圖形壓印到基板材料上，幫助制造商降低曝光過(guò)程中的能源消耗。此后二十年間，DNP一直在深耕高精度圖形化技術(shù)。

此次DNP推出了具備10nm線寬圖形的納米壓印光刻模板。該模板可替代部分極紫外光刻制程，為沒(méi)有極紫外光刻生產(chǎn)工藝的客戶提供尖端邏輯半導(dǎo)體制造方案。通過(guò)供應(yīng)這款新型模板，DNP將拓展客戶在半導(dǎo)體制造工藝上的選擇空間，助力客戶同時(shí)降低制造成本與環(huán)境負(fù)擔(dān)。

借助自對(duì)準(zhǔn)雙重成像技術(shù)（SADP），DNP 成功實(shí)現(xiàn)了納米壓印光刻模板的進(jìn)一步微型化。該技術(shù)通過(guò)對(duì)光刻設(shè)備形成的圖形進(jìn)行薄膜沉積和蝕刻，使圖形密度翻倍。

除了運(yùn)用DNP多年積累的光掩模制造技術(shù)與經(jīng)驗(yàn)外，本次研發(fā)還融合了晶圓制造工藝技術(shù)，最終打造出電路線寬為 10nm的新型納米壓印光刻模板。

新型納米壓印光刻模板滿足了先進(jìn)邏輯半導(dǎo)體對(duì)更精細(xì)電路線寬的需求，而這類(lèi)半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將在未來(lái)持續(xù)擴(kuò)大。同時(shí)該技術(shù)還降低了尖端半導(dǎo)體制造中曝光過(guò)程的能源消耗。依托基于納米壓印光刻的超細(xì)半導(dǎo)體節(jié)能加工技術(shù)，如今已可將能源消耗降至當(dāng)前主流曝光制程的約十分之一。

目前DNP正與半導(dǎo)體制造商客戶開(kāi)展更深入的溝通，并已啟動(dòng)納米壓印光刻模板的評(píng)估工作，計(jì)劃于 2027 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。DNP 將持續(xù)推進(jìn)納米壓印光刻模板的技術(shù)升級(jí)并提升產(chǎn)能，以滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，目標(biāo)在 2030 財(cái)年將納米壓印相關(guān)業(yè)務(wù)銷(xiāo)售額提升至 40 億日元。

據(jù)悉，這款10nm納米壓印光刻新型模板將于2025年12月17日至19日在東京國(guó)際展覽中心舉辦的SEMICON Japan 2025上展出。

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