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12月17日消息，三星宣布，該公司及其三星先進(jìn)技術(shù)研究所成功開(kāi)發(fā)出一種新型晶體管，能夠在10nm以下的制程節(jié)點(diǎn)上生產(chǎn) DRAM，這個(gè)突破將解決行動(dòng) RAM 擴(kuò)展中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。

這項(xiàng)技術(shù)的重點(diǎn)在于實(shí)現(xiàn)小于10nm的 DRAM 制程，這對(duì)于行動(dòng) RAM 來(lái)說(shuō)是一個(gè)重要的障礙，因?yàn)閭鹘y(tǒng)的擴(kuò)展方法已經(jīng)達(dá)到物理極限。

三星的這項(xiàng)創(chuàng)新專注于0a和0b類(lèi)DRAM，這些新型內(nèi)存有望顯著提升未來(lái)裝置的容量和性能。根據(jù)報(bào)導(dǎo)，這項(xiàng)技術(shù)仍處于研究階段，未來(lái)將應(yīng)用于小于10奈米的DRAM產(chǎn)品。

在此次宣布中，三星介紹了其名為「高耐熱非晶氧化物半導(dǎo)體晶體管」的技術(shù)，該晶體管能承受高達(dá)攝氏550度的高溫，進(jìn)而防止性能下降。這種垂直信道晶體管的信道長(zhǎng)度為100奈米，并可與單片CoP DRAM架構(gòu)集成。

在測(cè)試中，該晶體管的排水電流幾乎沒(méi)有衰退，并且在老化測(cè)試中表現(xiàn)良好。這個(gè)技術(shù)的推出，將使三星在高密度內(nèi)存市場(chǎng)中更具競(jìng)爭(zhēng)力，并可能在2026年及以后的裝置中首次亮相。

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