近日路透社披露，深圳已誕生首臺(tái)EUV 光刻機(jī)原型機(jī)，雖仍處測(cè)試階段、暫未產(chǎn)出可用芯片，但已能射出極紫外光，這標(biāo)志著中國(guó)在半導(dǎo)體 “卡脖子” 領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。

外媒將這一工程比作中國(guó)的 “曼哈頓” 計(jì)劃，足見其戰(zhàn)略分量與技術(shù)難度。

面對(duì)美國(guó)的技術(shù)封鎖，中國(guó)采取 “飽和式研發(fā)” 雙線并行策略：一邊攻堅(jiān) EUV 光刻機(jī)，瞄準(zhǔn) 5 納米以下先進(jìn)制程；一邊深耕 DUV 光刻機(jī)自主化，通過多次曝光技術(shù)實(shí)現(xiàn) 7 納米甚至 5 納米芯片量產(chǎn)。2023 年，國(guó)產(chǎn) 7 納米芯片搭載某品牌手機(jī)上市，不僅轟動(dòng)全球，更讓美國(guó)的制裁網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)裂痕。如今，國(guó)產(chǎn)7納米及等效 5 納米芯片已穩(wěn)定出貨，相關(guān)手機(jī)品牌時(shí)隔 4 年重返中國(guó)市場(chǎng)榜首，用市場(chǎng)成績(jī)印證了技術(shù)突圍的成效。

盡管 DUV 多次曝光方案存在成本高、良率略低的短板，但在封鎖之下，“先立足、再精進(jìn)” 才是務(wù)實(shí)選擇。目前全球僅臺(tái)積電、三星和中國(guó)這家代工廠能生產(chǎn) 7 納米以上先進(jìn)芯片，反觀曾是行業(yè)翹楚的英特爾，卻長(zhǎng)期卡在 10 納米制程難有突破，這也成為美國(guó)急于拉攏臺(tái)積電的核心原因。更關(guān)鍵的是，中國(guó)已通過芯片堆疊、軟件優(yōu)化等技術(shù)，讓現(xiàn)有產(chǎn)品計(jì)算性能比肩國(guó)際頂尖水平，為后續(xù)競(jìng)爭(zhēng)筑牢根基。

光刻機(jī)攻堅(jiān)的背后，是中美 AI 競(jìng)賽的 “馬恩河時(shí)刻”。2023 年國(guó)產(chǎn) 7 納米芯片量產(chǎn)，徹底打破了美國(guó)靠算力優(yōu)勢(shì)速戰(zhàn)速?zèng)Q的幻想，就像一戰(zhàn)馬恩河戰(zhàn)役終結(jié)德軍 “施里芬計(jì)劃”，科技競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)入長(zhǎng)期拉鋸階段。AI 競(jìng)爭(zhēng)的核心是算力、數(shù)據(jù)與算法的較量，中國(guó)在數(shù)據(jù)積累和算法層面已不遜美國(guó)，短板僅在先進(jìn)芯片數(shù)量 ，而這正是光刻機(jī)攻堅(jiān)要解決的關(guān)鍵問題。

目前，中國(guó)已能生產(chǎn)對(duì)標(biāo)英偉達(dá) A100 的 AI 芯片，昇騰 910 某型號(hào)的推理性能更是達(dá)到 H100 的 60%。但要追趕 4 納米制程的 H200 芯片，EUV 光刻機(jī)的突破不可或缺。面對(duì)美國(guó)允許出口 H200 卻抽取 25% 提成的 “傾銷陷阱”，中國(guó)選擇拒絕接收，避免干擾國(guó)產(chǎn)芯片迭代，展現(xiàn)了自主可控的堅(jiān)定決心。

攻克 EUV 光刻機(jī)絕非易事，這臺(tái)包含 10 萬余個(gè)零部件、匯聚 5000 多家西方供應(yīng)商技術(shù)的 “工業(yè)明珠”，是整個(gè)西方前沿工業(yè)的結(jié)晶。但中國(guó)在造船、光伏、新能源汽車等領(lǐng)域，早已證明 “以一國(guó)之力破西方之圍” 的能力。按照規(guī)劃，純國(guó)產(chǎn) DUV 和 EUV 光刻機(jī)有望在 “十五五” 期間投產(chǎn)，其中 DUV 可能已進(jìn)入調(diào)試或試生產(chǎn)階段。

長(zhǎng)遠(yuǎn)來看，美國(guó)在 AI 持久戰(zhàn)中已顯露疲態(tài)。英偉達(dá)每代芯片研發(fā)成本超 200 億美元，而中國(guó)市場(chǎng)貢獻(xiàn)其 13% 的銷售額，失去這一市場(chǎng)將嚴(yán)重削弱其研發(fā)后勁；中國(guó)發(fā)電量是美國(guó)的 2.5 倍，電力基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)先兩代，能充分支撐算力中心擴(kuò)張；AI 人才數(shù)量比美國(guó)多出 1.5 萬且持續(xù)增長(zhǎng)，這些優(yōu)勢(shì)都將隨光刻機(jī)突破逐步轉(zhuǎn)化為勝勢(shì)。

值得一提的是，中國(guó)軍用芯片早已實(shí)現(xiàn)自主保障 ，軍用芯片更重可靠性，45 納米以上制程已能滿足多數(shù)需求，僅前沿軍事研究需高性能芯片，這也是美國(guó)緊盯相關(guān)技術(shù)出口的原因。但隨著民用先進(jìn)制程技術(shù)成熟，軍用芯片的性能升級(jí)自然水到渠成。

光刻機(jī)的光芒背后，是國(guó)家意志的凝聚與科研人員的堅(jiān)守。正如歷史上所有關(guān)鍵技術(shù)突破一樣，中國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的突圍或許會(huì)歷經(jīng)波折，但最終必將打破封鎖，用自主創(chuàng)新書寫科技發(fā)展的新篇章，重塑全球科技競(jìng)爭(zhēng)的新格局。