前言

充電頭網(wǎng)繼續(xù)基于GaNFET.com統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)分析，發(fā)現(xiàn)能華、量芯微以及PI已經(jīng)推出多款千伏應(yīng)用氮化鎵，進(jìn)一步延展氮化鎵的高壓段應(yīng)用。

對(duì)于千伏耐壓氮化鎵而言，是把GaN原本在消費(fèi)級(jí)應(yīng)用的高頻、低損耗、小封裝、高功率密度的優(yōu)勢(shì)，往高壓段延伸，用來(lái)和超結(jié)MOS、IGBT、SiC競(jìng)爭(zhēng)。它在高壓下仍具備極低開關(guān)損耗、無(wú)體二極管反向恢復(fù)、高頻工作能力，能顯著提升系統(tǒng)效率、減小磁性與濾波器件體積，讓 3kW～幾十 kW 級(jí)電源在相同體積下做到更大功率或在同功率下降得更小、更輕，同時(shí)也更利于實(shí)現(xiàn)高壓母線直掛、減少級(jí)聯(lián)級(jí)數(shù)。

千伏耐壓氮化鎵

充電頭網(wǎng)基于GaNFET.com統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)篩選出六款千伏耐壓氮化鎵器件，耐壓覆蓋1200~1700V，封裝類型提供TO、DFN以及InSOP-T28G。有關(guān)器件的詳細(xì)信息我們將在下文為您詳細(xì)介紹。

CorEnergy能華

能華CE12H080TOCI

能華CE12H080TOCI一款1200V氮化鎵功率器件，該器件的導(dǎo)阻為80mΩ，柵極電荷為10.7nC，采用TO247封裝，能夠通過(guò)高開關(guān)速度和低導(dǎo)通損耗提高效率，該器件還具有易于驅(qū)動(dòng)、兼容硅MOS柵極驅(qū)動(dòng)器的特點(diǎn)，并能通過(guò)更高的功率密度減少系統(tǒng)體積和重量。

應(yīng)用方面，CE12H080TOCI 廣泛應(yīng)用于新能源、工業(yè)和汽車領(lǐng)域，該器件還為需要緊湊和高效形態(tài)的系統(tǒng)提供支持，同時(shí)符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。

能華CE12H180TOAI

能華CE12H180TOAI一款1200V氮化鎵功率器件，該器件的導(dǎo)阻為180mΩ，柵極電荷為10.7nC，采用TO220封裝，能夠通過(guò)高開關(guān)速度和低導(dǎo)通損耗提高效率，該器件還具有易于驅(qū)動(dòng)、兼容硅MOS柵極驅(qū)動(dòng)器的特點(diǎn)，并能通過(guò)更高的功率密度減少系統(tǒng)體積和重量。

應(yīng)用方面，CE12H080TOAI廣泛應(yīng)用于新能源、工業(yè)和汽車領(lǐng)域，該器件還為需要緊湊和高效形態(tài)的系統(tǒng)提供支持，同時(shí)符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。

GaNPower量芯微

GaNPower量芯微GPIHV30DFN

GPIHV30DFN是一顆1200V耐壓的增強(qiáng)型氮化鎵器件，采用DFN8x8封裝，導(dǎo)阻僅65mΩ，具有優(yōu)異的開關(guān)性能，適用于高頻和高效的應(yīng)用。

該器件適用于開關(guān)電源、電動(dòng)汽車OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器、服務(wù)器和電信電源應(yīng)用、UPS、逆變器及光伏系統(tǒng)等，非常適合需要高效能和緊湊設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。

GaNPower量芯微GPIHV30SB5L

GPIHV30SB5L是一顆1200V耐壓的增強(qiáng)型氮化鎵器件，采用TO263-5L封裝，導(dǎo)阻僅65mΩ，具有優(yōu)異的開關(guān)性能，適用于高頻和高效的應(yīng)用。

該器件適用于開關(guān)電源、電動(dòng)汽車OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器、服務(wù)器和電信電源應(yīng)用、UPS、逆變器及光伏系統(tǒng)等，非常適合需要高效能和緊湊設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。

GaNPower量芯微GPIXU30SB5L

GPIXU30SB5L是一顆1200V耐壓的增強(qiáng)型氮化鎵器件，采用TO263-5L封裝，導(dǎo)阻僅70mΩ，具有優(yōu)異的開關(guān)性能，適用于高頻和高效的應(yīng)用。

該器件適用于開關(guān)電源、電動(dòng)汽車OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器、服務(wù)器和電信電源應(yīng)用、UPS、逆變器及光伏系統(tǒng)等，非常適合需要高效能和緊湊設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。

PI帕沃英蒂格盛

PI IMX2353F

IMX2353F屬于InnoMux2-EP系列芯片，耐壓1700V，采用InSOP-T28G封裝，支持先進(jìn)的零電壓開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，專為高效能應(yīng)用設(shè)計(jì)，并支持外部功率因數(shù)校正，提高整體系統(tǒng)效率，降低損耗與諧波。此外，集成的EcoSmart技術(shù)可在輕載或待機(jī)狀態(tài)下優(yōu)化能耗，進(jìn)一步提升能源效率。該芯片還具備過(guò)壓保護(hù)功能，有效防止電壓尖峰損壞電路，減少對(duì)外部元件的依賴，應(yīng)用范圍廣泛，尤其適用于高壓保護(hù)需求的場(chǎng)景。另外，該器件可在200~1000V直流場(chǎng)景下運(yùn)行，適配800VDC平臺(tái)應(yīng)用。

InnoMux2-EP系列符合國(guó)際安全與環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，獲得RoHS認(rèn)證，確保不含有害物質(zhì)，符合環(huán)保要求。同時(shí)，產(chǎn)品已通過(guò)CE認(rèn)證，符合歐洲及全球市場(chǎng)的電磁兼容性和安全標(biāo)準(zhǔn)。芯片適合高功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，滿足各種市場(chǎng)需求。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

千伏耐壓氮化鎵器件逐漸成為高壓應(yīng)用領(lǐng)域的重要競(jìng)爭(zhēng)者，尤其在新能源、工業(yè)及汽車等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛應(yīng)用前景。基于低開關(guān)損耗、高效率以及體積小巧的優(yōu)勢(shì)，氮化鎵器件在于MOS、IGBT和SiC等傳統(tǒng)高壓器件的競(jìng)爭(zhēng)中，逐步實(shí)現(xiàn)差異化競(jìng)爭(zhēng)。未來(lái)，隨著更多高壓氮化鎵產(chǎn)品的推出，預(yù)計(jì)將進(jìn)一步推動(dòng)高功率密度系統(tǒng)的小型化和高效化，滿足AI服務(wù)器電源、新能源汽車、儲(chǔ)能等對(duì)效率有極致需求的場(chǎng)景需求。