11月5日，韓國Business Korea報道稱，SK海力士通過將其第六代高帶寬內(nèi)存（HBM4）產(chǎn)品供應(yīng)給全球最大的人工智能（AI）半導(dǎo)體公司英偉達（NVDA.US），成功將價格上調(diào)了50%以上，進一步鞏固了其在HBM市場上的領(lǐng)先地位。目前，SK海力士已與英偉達就明年HBM4的供貨談判圓滿收官，為其再創(chuàng)佳績鋪平了道路。

今年3月，SK海力士向英偉達交付了全球首個HBM412層堆疊樣品。在獲得積極評價后，SK海力士于6月開始供應(yīng)首批產(chǎn)品。與此同時，公司還就HBM4的供貨價格與英偉達展開談判，該產(chǎn)品將用于英偉達下一代AI芯片Rubin，預(yù)計將于明年下半年問世。談判過程并不順利。HBM4擁有2048條數(shù)據(jù)傳輸通道（I/O），是HBM3E的兩倍（1024）。此外，HBM4還在連接圖形處理器（GPU）與HBM的基片中集成了“邏輯工藝”，如計算效率和能源管理功能。正因如此，SK海力士自HBM4起已開始將基片生產(chǎn)外包給臺積電，而此前這一環(huán)節(jié)一直由公司內(nèi)部自行制造。

考慮到技術(shù)升級所涉及的成本，該公司向英偉達提出了HBM4的定價方案，定在500多美元的中等價位，比其前代產(chǎn)品高出50%以上。然而，英偉達對這一大幅漲價表現(xiàn)出猶豫態(tài)度，同時考慮到競爭對手三星電子和美國美光公司已開始大規(guī)模供應(yīng)HBM4芯片，雙方因此陷入緊張對峙。

然而，最終供貨價格已按SK海力士提出的每件約560美元達成一致，這有助于該公司繼續(xù)鞏固其在HBM4市場上的主導(dǎo)地位。SK海力士一位官員表示：“具體供貨價格及談判細節(jié)尚無法確認”，但同時解釋道：“考慮到工藝升級和原材料成本的上漲，HBM4產(chǎn)品具備大幅漲價的條件?！?/p>

在完成價格談判后，SK海力士近日為機構(gòu)投資者舉行了投資者關(guān)系（IR）會議，并預(yù)測明年將繼續(xù)保持較高的營業(yè)利潤率。據(jù)金融投資行業(yè)消息，SK海力士表示：“符合英偉達規(guī)格的產(chǎn)品價格與銷量已得到確認，目前的盈利能力正持續(xù)維持。”這意味著，即便三星電子和美光即將進入HBM4市場，也不會對公司的營業(yè)利潤和業(yè)績產(chǎn)生不利影響。

業(yè)界預(yù)計SK海力士的HBM4利潤率約為60%。市場預(yù)測，SK海力士明年HBM銷售額將達約40至42萬億韓元。若保持與今年相同的利潤率，SK海力士僅HBM業(yè)務(wù)便能實現(xiàn)約25萬億韓元的營業(yè)利潤。隨著SK海力士從目前主力供應(yīng)產(chǎn)品HBM3E轉(zhuǎn)向HBM4，其HBM業(yè)務(wù)的整體表現(xiàn)預(yù)計將較今年增長40%至50%（今年銷售額約30萬億韓元，營業(yè)利潤17萬億韓元）。

預(yù)計明年SK海力士的營業(yè)利潤將突破70萬億韓元，其HBM4產(chǎn)品已實現(xiàn)盈利。與此同時，隨著全球人工智能基礎(chǔ)設(shè)施投資熱潮的興起，圖形雙倍數(shù)據(jù)速率（GDDR）和低功耗（LP）DDR等通用型DRAM的價格也正大幅上漲。據(jù)集邦咨詢（DRAMeXchange）數(shù)據(jù)顯示，9月份DDR4固定交易價格首次在6年10個月后突破了7美元大關(guān)。這主要是由于通用型DRAM的供應(yīng)瓶頸蔓延所致，因為近年來主要的內(nèi)存半導(dǎo)體公司紛紛將重心放在確保高帶寬顯存（HBM）生產(chǎn)線的供應(yīng)上。

隨著DRAM價格飆升，分析指出，海力士明年通用型DRAM的營業(yè)利潤率也可能逼近50%至60%。一位業(yè)內(nèi)人士表示：“隨著推理AI市場快速擴張，內(nèi)存供應(yīng)短期內(nèi)難以跟上需求?！彼€補充道：“海力士甚至在產(chǎn)品尚未投產(chǎn)前就已售罄明年的全部產(chǎn)能，因此高利潤率將得以持續(xù)。”