來源：天天IC

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三星電子將于1月8日公布2025年第四季度初步業(yè)績，備受關注，市場焦點在于其季度營業(yè)利潤能否首次突破20萬億韓元（約合人民幣966億元）。隨著大型科技公司加大對人工智能（AI）基礎設施的投資，市場對先進和通用存儲半導體的需求都在同步增長。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子2025年第四季度有望實現(xiàn)史上最高的季度利潤。金融信息公司FnGuide數(shù)據(jù)顯示，市場普遍預期三星電子2025年第四季度營收為89.217萬億韓元，營業(yè)利潤為16.455萬億韓元，分別較上年同期增長17.7%和153.4%。

然而，證券公司近期上調(diào)了預期，預測三星電子將實現(xiàn)史上最高的季度業(yè)績。IBK證券發(fā)布最新報告，預計三星電子2025年第四季度的營業(yè)利潤為21.746萬億韓元。Daol投資證券也預測三星電子的營業(yè)利潤將突破20萬億韓元大關，達到20.4萬億韓元�，F(xiàn)代汽車證券和NH投資證券則預計三星電子營業(yè)利潤將在19萬億韓元左右。這些預測均超過了三星電子此前在2018年第三季度創(chuàng)下的季度最高營業(yè)利潤紀錄（17.570萬億韓元）。

推動三星電子業(yè)績提升的最大因素是通用DRAM內(nèi)存價格的上漲。據(jù)市場研究公司DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示，2025年底PC DRAM通用產(chǎn)品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均合約價格為9.3美元。與2024年底的預期價格（1.35美元）相比，價格在一年內(nèi)上漲近700%。三星電子在全球三大存儲廠商中擁有最大的產(chǎn)能，因此將從通用內(nèi)存價格上漲中獲益最多。

對于通用內(nèi)存而言，盡管AI巨頭們紛紛加大設備投資，導致需求持續(xù)增長，但由于尖端工藝產(chǎn)能集中在高帶寬存儲器（HBM）領域，供應受到顯著限制。這意味著供過于求的現(xiàn)象將不可避免地持續(xù)下去。

韓亞證券研究員Kim Rok-ho表示：“三星電子2025年第四季度DRAM業(yè)務的營業(yè)利潤率將超過50%，NAND業(yè)務也將達到20%�！�

包括HBM在內(nèi)的下一代AI半導體業(yè)務也發(fā)展順利，為2026年的業(yè)績增長奠定了基礎。三星電子的第六代高帶寬存儲器HBM4近期獲得英偉達、博通等公司的高度評價，預計2026年的供應將保持穩(wěn)定。去年12月，三星電子搶先一步提供SOCAM2樣品。SOCAM2是一款基于LPDDR DRAM的下一代DRAM模塊，英偉達正獨立推廣將其作為標準。因此，有預測認為，三星電子的全球HBM市場份額將由2025年的10%躍升至2026年的30%左右。

此前因巨額虧損而被稱為“痛手”的三星系統(tǒng)LSI和晶圓代工部門也有望迎來利好。三星電子此前與特斯拉簽署一份價值23萬億韓元的晶圓代工合同，并且也接近拿下AMD的2nm芯片代工訂單。2026年1月，三星董事長李在镕赴美出差期間，還與包括特斯拉、AMD、Meta、英特爾、高通和Verizon在內(nèi)的多家大型科技公司CEO舉行了會晤。在芯片設計業(yè)務方面，三星電子近期也取得了一系列成就，例如將Exynos 2600處理器應用于Galaxy S系列手機，以及為寶馬提供Exynos Auto芯片。

行業(yè)分析師預計，如果系統(tǒng)半導體市場在存儲半導體市場明顯復蘇后也能站穩(wěn)腳跟，三星電子2027年的業(yè)績將超越其巔峰時期。

KB證券研究部主管Kim Dong-won預測：“由于DRAM價格上漲和HBM出貨量增加，三星電子2026年的營業(yè)利潤將接近100萬億韓元（約合人民幣4830億元），比上年增長129%�！�

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