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據(jù)《EE Times》調(diào)查的分析師表示，隨著臺(tái)積電（TSMC）近期正式推出 2nm 制程，未來(lái)多年內(nèi)，臺(tái)積電將在先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)上持續(xù)領(lǐng)先三星和英特爾。

分析師稱(chēng)，臺(tái)積電 2nm 工藝的首批客戶(hù)將包括英偉達(dá)、蘋(píng)果、AMD、高通等頂級(jí)芯片設(shè)計(jì)公司，以及微軟、亞馬遜、谷歌等超大規(guī)模云服務(wù)商（Hyperscalers）。

2025年 12 月下旬，臺(tái)積電宣布其 2nm 制程（公司內(nèi)部稱(chēng)為 N2）正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。N2 是臺(tái)積電首次采用納米片晶體管技術(shù)，也就是所謂的GAA（全環(huán)繞柵極），這一技術(shù)的導(dǎo)入時(shí)間晚于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星。臺(tái)積電表示，N2 在性能和功耗方面實(shí)現(xiàn)了“完整節(jié)點(diǎn)級(jí)”的提升，并通過(guò)開(kāi)發(fā)低電阻重布線(xiàn)層（RDL） 以及超高性能 MIM（金屬–絕緣體–金屬）電容，進(jìn)一步增強(qiáng) 2nm 節(jié)點(diǎn)的整體性能。

臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，其 2nm 技術(shù)將在晶體管密度和能效方面引領(lǐng)整個(gè)芯片行業(yè)。

臺(tái)積電在一份聲明中表示：“通過(guò)持續(xù)演進(jìn)的技術(shù)策略，N2 及其衍生工藝將把臺(tái)積電的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)進(jìn)一步延伸到未來(lái)多年?！?/p>

01

“冠軍”地位

分析師普遍認(rèn)為，臺(tái)積電將繼續(xù)保持其在先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)上的“冠軍”地位。公司最先進(jìn)的制程技術(shù)仍將主要留在中國(guó)臺(tái)灣，這一點(diǎn)也引發(fā)了一些擔(dān)憂(yōu)。美國(guó)政府已將臺(tái)積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域的主導(dǎo)地位視為一項(xiàng)國(guó)家安全風(fēng)險(xiǎn)。

國(guó)際商業(yè)策略公司（IBS）CEO Handel Jones 對(duì)《EE Times》表示，臺(tái)積電將在 2028 年前后在美國(guó)具備一定規(guī)模的 2nm 產(chǎn)能，但主力產(chǎn)能和最先進(jìn)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)仍將留在中國(guó)臺(tái)灣。

TechInsights 副董事長(zhǎng) Dan Hutcheson 表示：“臺(tái)積電的 N2 工藝很可能會(huì)成為公司歷史上最成功的節(jié)點(diǎn)之一，目前已有超過(guò) 15 家客戶(hù)正在推進(jìn)相關(guān)項(xiàng)目。已公開(kāi)對(duì) N2 感興趣的客戶(hù)包括蘋(píng)果、英偉達(dá)、谷歌、博通、美滿(mǎn)電子、AMD、英特爾和聯(lián)發(fā)科。”

分析師指出，新一代先進(jìn)芯片的設(shè)計(jì)成本高達(dá) 8 億美元，但相比之下，一些臺(tái)積電大客戶(hù)每年的晶圓采購(gòu)成本可高達(dá) 200 億到 300 億美元。在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上，芯片設(shè)計(jì)公司必須對(duì)代工廠的良率、交付節(jié)奏和執(zhí)行能力進(jìn)行豪賭。

臺(tái)積電持續(xù)穩(wěn)步推進(jìn)其技術(shù)路線(xiàn)圖，在為客戶(hù)提供充足產(chǎn)能的同時(shí)，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星和英特爾卻在先進(jìn)制程的兌現(xiàn)能力上屢屢受挫。

去年 10 月，英特爾宣布其 18A GAA 制程進(jìn)入爬坡階段，該工藝被視為英特爾對(duì)標(biāo)臺(tái)積電 N2 的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。英特爾正在其美國(guó)亞利桑那州的新建 Fab 52 工廠，使用 18A 制程生產(chǎn) Panther Lake 和 Clearwater Forest 處理器。按照英特爾最初規(guī)劃，18A 應(yīng)在 2025 年初實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，首批產(chǎn)品也計(jì)劃于 2025 年上市。

Jones 指出，臺(tái)積電與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之間的差距正在擴(kuò)大，而非縮小。

“對(duì)于整個(gè)行業(yè)來(lái)說(shuō)，只有一家廠商能夠提供高產(chǎn)量的先進(jìn)晶圓和封裝能力，本身就是一個(gè)巨大的問(wèn)題，”Jones 說(shuō)。

三星雖然在 2022 年成為全球首家在量產(chǎn)中采用 GAA 的芯片制造商，但在這項(xiàng)新技術(shù)的落地過(guò)程中遭遇挫折，尤其是在為 AI 處理器制造 3D 芯片時(shí)問(wèn)題頻發(fā)。

獨(dú)立分析師 Mike Demler 表示：“三星仍然存在不少問(wèn)題，但隨著英特爾宣布 Panther Lake 已進(jìn)入量產(chǎn)，隨著工藝成熟，我預(yù)計(jì)英特爾會(huì)逐步吸引一些新的代工客戶(hù)?！?/p>

Demler 同時(shí)指出：“對(duì)臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，2nm 是其首個(gè) GAA 節(jié)點(diǎn)，但它并未采用英特爾 18A 的背面供電（Backside Power Delivery）技術(shù)。臺(tái)積電會(huì)在后續(xù)的 2NP、1.6nm 以及 1.4nm 節(jié)點(diǎn)中逐步引入改進(jìn)。這些技術(shù)將共同構(gòu)成未來(lái)三到五年的前沿工藝?！?/p>

Hutcheson 認(rèn)為，盡管 N2 缺少背面供電技術(shù)，但它仍將驗(yàn)證 GAA 的可行性。

“結(jié)果是，N2 在性能和功耗方面的提升非常出色，但相比臺(tái)積電上一代的 N3E，其密度提升并不算突出。”

02

競(jìng)爭(zhēng)格局

英特爾和三星至今仍未能從臺(tái)積電手中奪走頂級(jí)客戶(hù)。臺(tái)積電目前制造了全球 90% 以上的最先進(jìn)芯片。不過(guò)，DGA Group 中國(guó)與科技政策負(fù)責(zé)人 Paul Triolo 指出，地緣政治等因素仍可能削弱臺(tái)積電的優(yōu)勢(shì)。

Triolo 表示：“在最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上的競(jìng)爭(zhēng)正變得更加復(fù)雜，除了三星和英特爾，日本的 Rapidus 也加入了戰(zhàn)局。英特爾和三星可能會(huì)在產(chǎn)能保障、多地制造冗余、地緣政治風(fēng)險(xiǎn)對(duì)沖（非中國(guó)臺(tái)灣產(chǎn)能）以及晶圓定價(jià)、工程支持、交付承諾等商業(yè)條件上獲得機(jī)會(huì)?！?/p>

Triolo 還指出，臺(tái)積電已在中國(guó)臺(tái)灣以外地區(qū)加快建廠步伐。

他認(rèn)為，臺(tái)積電整體市占率“非常巨大”，可能超過(guò) 70%。在如此高的基數(shù)上，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更可能獲得的是局部高價(jià)值細(xì)分市場(chǎng)的突破，而非對(duì)臺(tái)積電整體霸主地位的快速撼動(dòng)。

Triolo 表示：“如果 18A 能可靠量產(chǎn)并建立成熟生態(tài)，英特爾有望在美國(guó)本土主權(quán)芯片、超大規(guī)模云定制芯片以及部分網(wǎng)絡(luò)/ASIC領(lǐng)域取得實(shí)質(zhì)性份額。三星則可能依托其美國(guó)工廠，通過(guò)關(guān)鍵客戶(hù)的量產(chǎn)項(xiàng)目獲得突破，特斯拉或蘋(píng)果式的雙供應(yīng)鏈策略就是典型案例?！?/p>

他補(bǔ)充說(shuō)，日本初創(chuàng)代工廠 Rapidus 是一個(gè)“變數(shù)”。如果其 2nm 計(jì)劃在 2027 年落地，可能會(huì)吸引注重供應(yīng)鏈主權(quán)、并愿意與代工廠深度協(xié)同開(kāi)發(fā)的日本或亞洲客戶(hù)。

Triolo 認(rèn)為，臺(tái)積電通過(guò)推遲 GAA 的導(dǎo)入時(shí)間（在 N2 而非 N3）、與早期客戶(hù)進(jìn)行長(zhǎng)期良率提升計(jì)劃，并按計(jì)劃宣布量產(chǎn)，顯著降低了重蹈三星 GAA 覆轍的風(fēng)險(xiǎn)。

“真正的考驗(yàn)在于：當(dāng)多款高出貨量的客戶(hù)產(chǎn)品（移動(dòng)和 HPC 產(chǎn)品）在 N2 上實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定良率，并在 2026 年前后按預(yù)期爬坡時(shí)，才能證明所有‘最難的部分’都已經(jīng)解決?！盩riolo 表示，“尤其需要關(guān)注 SRAM 和大電流模塊的表現(xiàn)，因?yàn)檫@些往往是 GAA 初期最容易暴露問(wèn)題的地方?！?/p>

基于臺(tái)積電以往的執(zhí)行記錄，他認(rèn)為臺(tái)積電在 2026 年跨過(guò)這些門(mén)檻的可能性很大。

Triolo 總結(jié)道：“指望臺(tái)積電失誤，從而給英特爾或三星留下機(jī)會(huì)，恐怕并不是一個(gè)明智的賭注?！?/p>

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來(lái)源：內(nèi)容由芯世相（ID：xinpianlaosiji）編譯自「EE Times」，作者：Alan Patterson

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