數(shù)據(jù)是個寶

投資少煩惱

當(dāng)前，存儲芯片漲價潮正蔓延至封測環(huán)節(jié)。據(jù)最新消息，因產(chǎn)能利用率逼近極限，主要存儲封測大廠近期已將報價上調(diào)30%，并正在醞釀后續(xù)進(jìn)一步提價。

受此影響，今日A股先進(jìn)封裝指數(shù)盤中直線拉升，截至收盤，華峰測控大漲超7%，長電科技大漲超6%，華天科技漲超3%，深科技、富滿微漲超2%。

有機(jī)構(gòu)分析稱，人工智能（AI）仍是2026年市場的確定性主線之一，投資者正密切關(guān)注高端封測領(lǐng)域，測試成本攀升或?qū)闇y試供應(yīng)商帶來估值重估機(jī)會。

漲價30%

1月12日消息，中國臺灣經(jīng)濟(jì)日報報道，受益于DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，即內(nèi)存）與NAND Flash（閃存，即硬盤存儲）大廠全力沖刺出貨，力成、華東、南茂等頭部封測廠商訂單蜂擁而至，多家廠商證實(shí)“訂單真的太滿”，現(xiàn)有產(chǎn)能已無法滿足需求。為應(yīng)對成本與供需失衡，各家廠商已正式啟動首輪漲價，漲幅直逼30%，且這股漲價潮預(yù)計(jì)將從一季度起直接體現(xiàn)在財報業(yè)績中。

面對持續(xù)涌入的訂單，廠商態(tài)度轉(zhuǎn)趨強(qiáng)硬。相關(guān)企業(yè)透露，若供需緊張態(tài)勢持續(xù)，不排除短期內(nèi)啟動第二波漲價。與此同時，南茂等廠商因僅能滿足約八成客戶訂單，正緊急向外采購設(shè)備以擴(kuò)充產(chǎn)能。市場分析指出，隨著各大存儲原廠將資源集中于先進(jìn)工藝，標(biāo)準(zhǔn)型產(chǎn)品供給受擠壓，這將推升封測端議價能力。

另據(jù)韓媒報道，近期全球存儲芯片價格持續(xù)攀升，美國科技巨頭谷歌、微軟已緊急派遣采購團(tuán)隊(duì)飛赴韓國首爾，意在從三星電子、SK海力士手中爭取緊缺的DRAM芯片供貨。報道提及，韓國板橋與平澤地區(qū)的酒店已被此類求購芯片人員的團(tuán)隊(duì)擠滿。

報道引述價格數(shù)據(jù)顯示，8GB DDR4內(nèi)存平均價格已從去年1月的1.40美元，上漲至12月的9.30美元。此次采購行動的核心目標(biāo)被視為在價格進(jìn)一步走高前鎖定關(guān)鍵貨源。

有分析指出，造成此次封測產(chǎn)能緊缺的核心原因，在于上游晶片原廠的策略重心轉(zhuǎn)移。

隨著三星電子、SK海力士及美光科技三大巨頭全力擴(kuò)充AI專用的HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)能，其資源高度集中于先進(jìn)及封裝制程，導(dǎo)致標(biāo)準(zhǔn)型DRAM與NAND晶片的產(chǎn)出受到同步排擠，舊規(guī)格產(chǎn)品供給迅速轉(zhuǎn)趨吃緊。

需求端方面，伴隨云端與工控市場需求回溫，DDR4、DDR5與NAND晶片的拉貨動能強(qiáng)勁，進(jìn)一步點(diǎn)燃了后段封測需求。這種供需錯配使得主要封測廠產(chǎn)能利用率飆升，為漲價提供了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

目前，中國臺灣主要封測廠均處于滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)。對于漲價議題，上述廠商均表示將依照市場需求進(jìn)行彈性調(diào)整。

高盛：AI仍是確定性主線

針對科技板塊的投資邏輯，高盛發(fā)布的買方調(diào)研報告顯示，AI仍是2026年市場的確定性主線之一，而非AI板塊關(guān)注度持續(xù)低迷。投資者正密切關(guān)注Google TPU供應(yīng)鏈及高端封測領(lǐng)域，特別是半導(dǎo)體測試環(huán)節(jié)正迎來“結(jié)構(gòu)性美元含量增長”。

高盛指出，隨著芯片復(fù)雜度提升，測試成本攀升將為穎崴科技（WinWay）與旺矽科技（MPI）等測試供應(yīng)商帶來估值重估機(jī)會。盡管市場對CoWoS設(shè)備板塊如家登精密、辛耘股份存在短期情緒波動，但長期來看，先進(jìn)封裝仍具備堅(jiān)實(shí)的結(jié)構(gòu)性需求。

面對由AI浪潮不斷推升的全球需求，主要芯片制造商正在擴(kuò)充產(chǎn)能。美光科技宣布，其在美國紐約州總投資約1000億美元的巨型晶圓廠項(xiàng)目將于1月16日破土動工。

美光科技稱，該項(xiàng)目旨在打造全球最先進(jìn)的存儲半導(dǎo)體制造中心，以應(yīng)對AI系統(tǒng)日益增長的需求。該項(xiàng)目包含多達(dá)四座工廠，預(yù)計(jì)到2045年第四家工廠建成時，將創(chuàng)造9000個工作崗位。

該項(xiàng)目的建設(shè)曾因環(huán)境評估審查而較原計(jì)劃有所延遲，首座晶圓廠計(jì)劃于2030年投產(chǎn)，第二座工廠預(yù)計(jì)在2033年上線，第四座工廠則規(guī)劃在2045年前后完成。

美光移動與客戶端業(yè)務(wù)部門市場副總裁 Christopher Moore 表示，由于晶圓廠擴(kuò)建周期漫長、認(rèn)證流程復(fù)雜，存儲器供應(yīng)緊張的問題在2028年前難以明顯改善。

市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Counterpoint Research顯示，2025年第三季度，美光在全球HBM市場的營收份額為21%，位列SK海力士、三星電子之后，排名第三；DRAM整體市場份額為26%，若其市場份額能提升至40%，有望躍居全球首位。

來源：券商中國

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責(zé)編：謝伊嵐

校對：陶謙