AI算力卷到白熱化，芯片卻快“熱炸”了！

英偉達(dá)H100峰值功耗超700W，下一代Rubin處理器直奔1800W，2029年甚至要沖到6000W。算力飆升的背后，是傳統(tǒng)封裝的“崩潰”——硅中介層散熱跟不上、容易開裂，CoWoS封裝的“功耗墻”成了AI算力的致命瓶頸。

而破局的關(guān)鍵，藏在“先進(jìn)封裝+SiC”的組合里。臺(tái)積電廣發(fā)英雄帖推進(jìn)SiC中介層，英偉達(dá)計(jì)劃2027年導(dǎo)入12英寸SiC襯底，產(chǎn)業(yè)巨頭集體押注。

A股市場(chǎng)早已聞風(fēng)而動(dòng)：先進(jìn)封裝指數(shù)年初至今漲幅超14%，長(zhǎng)電科技單日成交額破50億，晶盛機(jī)電、天岳先進(jìn)等SiC標(biāo)的異動(dòng)，一場(chǎng)由“AI算力剛需+SiC技術(shù)突破+國(guó)產(chǎn)替代”驅(qū)動(dòng)的盛宴，已經(jīng)開席！

（來源：同花順）

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算力需求飆升，先進(jìn)封裝成破局關(guān)鍵

AI大模型訓(xùn)練、數(shù)據(jù)中心算力需求呈指數(shù)級(jí)飆升，直接把芯片推向“功耗極限”。2025年中國(guó)智能算力規(guī)模達(dá)1037.3 EFLOPS，2026年還要再漲40%，但傳統(tǒng)封裝早就扛不住了。

芯片性能每提升1倍，功耗就要翻3倍，而硅中介層的熱導(dǎo)率只有148 W/m·K，根本散不掉超高功率帶來的熱量。更麻煩的是，隨著CoWoS中介層尺寸變大，硅材質(zhì)容易分層開裂，良率大幅下降。

（來源：華西證券研究所）

這時(shí)候先進(jìn)封裝站了出來。通過2.5D/3D堆疊、混合鍵合、SiC中介層替代等技術(shù)，不僅能解決散熱難題，還能讓芯片互連密度提升10倍以上，成為超越摩爾定律的核心抓手。Yole預(yù)測(cè)，2030年全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模將突破790億美元，其中2.5D/3D封裝增速高達(dá)37%，妥妥的高景氣賽道。

02

從2.5D到SiC，技術(shù)迭代不停

先進(jìn)封裝的核心升級(jí)邏輯，是“材料+工藝”雙突破，尤其是SiC的加入，讓行業(yè)迎來質(zhì)變。

先看工藝迭代：傳統(tǒng)2.5D封裝靠硅中介層連接芯片，但性能見頂；3D封裝通過混合鍵合技術(shù)，實(shí)現(xiàn)銅-銅直接連接，互連間距從20μm縮小到<10μm，信號(hào)延遲降低30%。臺(tái)積電SoIC、英特爾Foveros等技術(shù)已經(jīng)落地，2026年混合鍵合將進(jìn)入規(guī)模化應(yīng)用。

再看材料革命：SiC成了中介層的“最優(yōu)解”，不過經(jīng)濟(jì)性尚有欠缺。它的熱導(dǎo)率達(dá)490 W/m·K，是硅的3倍多，莫氏硬度9.5，抗開裂能力遠(yuǎn)超硅和玻璃。更關(guān)鍵的是，SiC能實(shí)現(xiàn)高深寬比通孔設(shè)計(jì)，優(yōu)化布線密度，讓芯片傳輸速度再提20%。

（SiC在熱性能、硬度等關(guān)鍵的指標(biāo)上強(qiáng)于Si，來源：華西證券研究所）

行業(yè)層面來看，2027年預(yù)計(jì)將是SiC中介層量產(chǎn)元年。按CoWoS 35%復(fù)合增速、70%替換SiC測(cè)算，2030年需要超230萬片12英寸SiC襯底，等效6英寸920萬片，遠(yuǎn)超當(dāng)前全球產(chǎn)能，缺口巨大。

03

設(shè)備+材料+OSAT，龍頭搶跑

先進(jìn)封裝的爆發(fā)，不是單點(diǎn)機(jī)會(huì)，而是全產(chǎn)業(yè)鏈的共振，設(shè)備、材料、OSAT（封測(cè)）三大賽道齊發(fā)力。

OSAT是直接受益端。長(zhǎng)電科技XDFOI方案覆蓋2.5D/3D封裝，通富微電大尺寸FCBGA進(jìn)入量產(chǎn)，盛合晶微硅中介層技術(shù)已量產(chǎn)，深度綁定華為昇騰等客戶。全球封測(cè)格局中，長(zhǎng)電科技、通富微電穩(wěn)居全球前十，國(guó)產(chǎn)替代份額持續(xù)提升。

材料賽道是核心瓶頸突破點(diǎn)。封裝基板（深南電路、興森科技）、PSPI（鼎龍股份、飛凱材料）、CMP拋光液（安集科技）等關(guān)鍵材料國(guó)產(chǎn)化率快速提升。尤其是SiC襯底，天岳先進(jìn)全球市場(chǎng)份額16.7%排名第二，晶盛機(jī)電12英寸中試線已通線，三安光電與意法半導(dǎo)體合資建廠，產(chǎn)能持續(xù)釋放。

（SiC國(guó)產(chǎn)廠商進(jìn)展情況，來源：華西證券研究所）

設(shè)備賽道是量產(chǎn)關(guān)鍵�；旌湘I合機(jī)（拓荊科技、芯源微）、CMP設(shè)備（華海清科）、激光劃片機(jī)（芯碁微裝）等設(shè)備廠商突破海外壟斷。2024年中國(guó)半導(dǎo)體封裝設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)282.7億元，同比增長(zhǎng)18.9%，隨著SiC中介層量產(chǎn)，設(shè)備需求將進(jìn)一步爆發(fā)。

04

淘金指南：4個(gè)方向蹲住千億紅利

先進(jìn)封裝+SiC的增長(zhǎng)邏輯清晰，聚焦4個(gè)方向，既能抓確定性，又能享彈性。

1.SiC材料及設(shè)備

押注量產(chǎn)前夜優(yōu)先關(guān)注12英寸SiC襯底及設(shè)備企業(yè)。襯底端看天岳先進(jìn)（全球第二，12英寸已量產(chǎn)）、三安光電（與意法合作，8英寸產(chǎn)能爬坡）；設(shè)備端盯晶盛機(jī)電（長(zhǎng)晶爐+襯底加工雙布局）、晶升股份（SiC長(zhǎng)晶爐），分享2027量產(chǎn)潮紅利。

2.先進(jìn)封裝OSAT：國(guó)產(chǎn)替代核心

鎖定技術(shù)突破+客戶綁定的龍頭。長(zhǎng)電科技（XDFOI方案落地，全球第三）、通富微電（AMD核心供應(yīng)商，CoWoS類方案突破）、盛合晶微（硅中介層量產(chǎn)，華為供應(yīng)鏈核心），受益于海外產(chǎn)能缺口和國(guó)產(chǎn)替代。

3.關(guān)鍵材料：攻克瓶頸環(huán)節(jié)

布局封裝基板、PSPI、CMP材料等細(xì)分龍頭。深南電路（FCBGA基板量產(chǎn)）、鼎龍股份（PSPI+拋光墊雙突破）、安集科技（CMP拋光液+電鍍液全覆蓋），隨著先進(jìn)封裝滲透率提升，材料需求持續(xù)放量。

4.混合鍵合及3D封裝：技術(shù)迭代先鋒

關(guān)注前沿技術(shù)落地企業(yè)。拓荊科技（混合鍵合設(shè)備獲重復(fù)訂單）、芯源微（臨時(shí)鍵合/解鍵合設(shè)備放量）、華海清科（12英寸減薄機(jī)批量供貨），把握從“0到1”的商業(yè)化機(jī)遇。

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結(jié)語

從AI算力催生的剛需，到SiC技術(shù)的突破，再到國(guó)產(chǎn)替代的窗口期，先進(jìn)封裝行業(yè)已經(jīng)從“半導(dǎo)體后道工序”升級(jí)為“算力核心載體”，成為支撐AI、數(shù)據(jù)中心、智能駕駛的關(guān)鍵賽道。

當(dāng)前行業(yè)處于爆發(fā)前夜：2027年SiC中介層量產(chǎn)將打開新增長(zhǎng)空間，國(guó)內(nèi)企業(yè)在SiC襯底、封裝設(shè)備、OSAT等環(huán)節(jié)均已實(shí)現(xiàn)突破，產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì)顯著。

格隆匯研究院持續(xù)跟蹤先進(jìn)封裝全產(chǎn)業(yè)鏈，聚焦SiC量產(chǎn)進(jìn)度、海外訂單突破、技術(shù)迭代三大核心指標(biāo)，多維度挖掘優(yōu)質(zhì)標(biāo)的。

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