國科金發(fā)計(jì)〔2026〕12號

關(guān)于發(fā)布原子級制造基礎(chǔ)研究重大研究計(jì)劃2026年度項(xiàng)目指南的通告

國家自然科學(xué)基金委員會(huì)現(xiàn)發(fā)布原子級制造基礎(chǔ)研究重大研究計(jì)劃2026年度項(xiàng)目指南，請申請人及依托單位按項(xiàng)目指南所述要求和注意事項(xiàng)申請。

國家自然科學(xué)基金委員會(huì)

2026年1月26日

原子級制造基礎(chǔ)研究重大研究計(jì)劃2026年度項(xiàng)目指南

原子級制造是指在原子尺度控制材料的結(jié)構(gòu)與成分，其核心是通過原子的精確操控來獲得特定功能，突破傳統(tǒng)制造技術(shù)的精度極限，實(shí)現(xiàn)物質(zhì)的原子級轉(zhuǎn)化與高效利用。原子級制造的科學(xué)基礎(chǔ)是在原子尺度下優(yōu)化物質(zhì)轉(zhuǎn)化與能量利用，實(shí)現(xiàn)物質(zhì)結(jié)構(gòu)和材料性能的按需訂制，為實(shí)現(xiàn)顛覆性技術(shù)、升級戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)和提升國家安全競爭力奠定科學(xué)與技術(shù)基礎(chǔ)。

一、科學(xué)目標(biāo)

本重大研究計(jì)劃圍繞批量原子操控這一核心目標(biāo)，聚焦原子尺度下物質(zhì)與能量的相互作用原理，實(shí)現(xiàn)材料成分和結(jié)構(gòu)的原子級構(gòu)筑和測量表征，構(gòu)建原子級制造核心技術(shù)體系，為亞納米芯片制造、量子計(jì)算、新能源材料以及航空航天等領(lǐng)域提供原子級精度的制造解決方案，搶占尖端制造領(lǐng)域制高點(diǎn)，為國家培養(yǎng)和儲(chǔ)備未來制造戰(zhàn)略人才，為實(shí)現(xiàn)科教興國戰(zhàn)略和中華民族偉大復(fù)興提供獨(dú)特的技術(shù)支撐。

二、核心科學(xué)問題

本重大研究計(jì)劃圍繞以下三個(gè)核心科學(xué)問題展開研究：

（一）原子級結(jié)構(gòu)基元與能場的相互作用機(jī)制。

厘清原子、分子、團(tuán)簇、原子層等原子級結(jié)構(gòu)基元與能場的相互作用機(jī)制，發(fā)展克服能場/能束擴(kuò)展性的限域調(diào)控方法，建立能場均布性與批量原子精確操控的對應(yīng)關(guān)系，實(shí)現(xiàn)原子級基元的批量可控遷移、一致去除和精準(zhǔn)改性。

（二）限域空間內(nèi)原子級結(jié)構(gòu)基元傳質(zhì)與組裝機(jī)理。

揭示限域空間內(nèi)外場協(xié)同作用下原子級結(jié)構(gòu)基元的可控?cái)U(kuò)散遷移和能量傳遞機(jī)制，建立表面局域性質(zhì)調(diào)控的原子級結(jié)構(gòu)基元精準(zhǔn)合成和組裝機(jī)理，實(shí)現(xiàn)三維異質(zhì)異構(gòu)結(jié)構(gòu)的原子級精度高效構(gòu)筑與缺陷最小化。

（三）原子級形性參量探測的敏感機(jī)制及其增強(qiáng)方法。

研究探測能場對原子級形性參量的敏感機(jī)制及其增強(qiáng)方法，探索跨尺度原子級高精高效測量的新原理新方法，解決原子級結(jié)構(gòu)與缺陷探測中精度與效率難以同時(shí)提高的問題。

三、2026年度資助研究方向

為更好的理解擬資助研究方向的科學(xué)內(nèi)涵，建議申請人參閱由“原子級制造基礎(chǔ)研究”重大研究計(jì)劃指導(dǎo)專家組編撰發(fā)布的《原子級制造技術(shù)白皮書（第一版）》（下載網(wǎng)址：http://sklt.tsinghua.edu.cn/info/1082/3467.htm）。

（一）培育項(xiàng)目。

圍繞上述科學(xué)問題，以總體科學(xué)目標(biāo)為牽引，對于探索性強(qiáng)、選題新穎、前期研究基礎(chǔ)較好的申請項(xiàng)目，將以培育項(xiàng)目的方式予以資助，具體研究方向如下：

1. 原子級制造物質(zhì)科學(xué)原理。

主要包括但不限于 ：1）批量原子操控原理; 2）能場/能束與物質(zhì)的原子尺度作用原理。

2. 原子級去除與改性原理。

主要包括但不限于: 1）原子精準(zhǔn)一致去除; 2）批量原子定域改性; 3）原子級缺陷控制; 4）原子級加工工藝。

3. 原子級構(gòu)筑原理與方法。

主要包括但不限于: 1）多能場輔助原子級構(gòu)筑; 2）原子精準(zhǔn)團(tuán)簇的構(gòu)筑和宏量制備；3）原子層有序生長與界面構(gòu)筑; 4）原子級三維構(gòu)筑與定向組裝; 5）新型原子級器件構(gòu)筑; 6）原子級構(gòu)筑工藝。

4. 原子級制造測量原理與方法。

主要包括但不限于：1）原子級測控一體前沿；2）超分辨動(dòng)態(tài)觀測；3）原子級制造的物性表征; 4）原子級結(jié)構(gòu)測量; 5）原子級缺陷檢測。

（二）重點(diǎn)支持項(xiàng)目。

圍繞前沿科學(xué)問題和產(chǎn)業(yè)重大需求，對總體科學(xué)目標(biāo)有較大貢獻(xiàn)的申請項(xiàng)目，將以重點(diǎn)支持項(xiàng)目的方式予以資助，鼓勵(lì)與企業(yè)聯(lián)合申報(bào)，具體研究方向如下：

1. 原子級制造物質(zhì)科學(xué)原理。

聚焦能束與材料相互作用的原子級機(jī)理研究，探索激光、電子束等典型能束與材料原子間的基礎(chǔ)作用機(jī)制，研究能束作用下材料原子的行為響應(yīng)規(guī)律，揭示非平衡條件下能束與材料體系的耦合作用本質(zhì)，以及這一過程中能量傳遞、弛豫現(xiàn)象的跨尺度演化規(guī)律。闡明能束驅(qū)動(dòng)下原子遷移、重組及調(diào)控的原子級操控核心原理，為基于能束的原子級加工及材料創(chuàng)制提供基礎(chǔ)理論支撐。

2. 原子級去除與改性原理。

（1）高溫合金材料原子級缺陷調(diào)控。開展能場對高溫合金材料及部件的原子級缺陷調(diào)控研究，闡明其對材料內(nèi)部位錯(cuò)、晶界、相界面等缺陷的作用機(jī)理，揭示異常原子有序重排、原子級缺陷修復(fù)、材料強(qiáng)度延性協(xié)同提升機(jī)制，確立高溫合金材料原子級缺陷調(diào)控規(guī)律，突破合金部件服役性能與壽命提升瓶頸。

（2）跨尺度表面原子級切削新方法及去除原理。開展可穩(wěn)定去除原子層的微納切削工具制造原理研究，揭示原子尺度下工具與切削表面相互作用中的晶格動(dòng)態(tài)響應(yīng)規(guī)律及原子層的可控一致性遷移去除原理，闡明從連續(xù)介質(zhì)力學(xué)主導(dǎo)向量子效應(yīng)顯現(xiàn)的物理過渡機(jī)制與尺度效應(yīng)，建立跨尺度原子級切削的實(shí)驗(yàn)方法與基礎(chǔ)理論體系。

（3）單/多層原子的高效可控去除原理。開展關(guān)鍵半導(dǎo)體材料高確定性能束逐原子層加工的原理與方法研究，發(fā)展異質(zhì)界面原子的層級遷移與能控原理，構(gòu)建界面材料加工中的電聲耦合響應(yīng)原子模型，揭示原子沉積、遷移與選擇性去除的協(xié)同調(diào)控規(guī)律，突破核心器件表面單/雙原子層限域加工的共性技術(shù)瓶頸。

（4）拓?fù)涔庾赢愘|(zhì)結(jié)構(gòu)的原子級制造與高性能拓?fù)涔庾悠骷?。建立拓?fù)涔庾咏Y(jié)構(gòu)與器件的原子級制造新方法，探索異質(zhì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)角精度、界面和側(cè)壁粗糙度等對拓?fù)涔庾咏Y(jié)構(gòu)與器件的影響。研究原子級界面與缺陷對拓?fù)涔庾討B(tài)的調(diào)控機(jī)制，揭示從原子結(jié)構(gòu)到宏觀光學(xué)響應(yīng)的規(guī)律。研制出高魯棒、高性能的拓?fù)涔庾悠骷?，促進(jìn)其在量子信息等領(lǐng)域的應(yīng)用。

（5）陶瓷曲面原子級制造及形性調(diào)控原理。開展陶瓷曲面原子級精度拋光及宏觀形性調(diào)控方法研究，揭示硬脆性陶瓷材料原子級高效去除機(jī)理，闡明去除過程中表面及亞表面缺陷的誘發(fā)及演化規(guī)律，形成宏微觀表面形貌及曲面面型創(chuàng)成方法，突破陶瓷材料原子級精度可控去除及宏觀控形控性技術(shù)瓶頸，推動(dòng)關(guān)鍵零部件精密制造。

3. 原子級構(gòu)筑原理與方法。

（1）三維芯片互連的原子級填充原理與工藝方法。探究限域空間內(nèi)原子/分子級前驅(qū)體的傳質(zhì)與表面反應(yīng)動(dòng)力學(xué)機(jī)制，揭示異質(zhì)界面在原子尺度的誘導(dǎo)結(jié)晶相變與應(yīng)力演化規(guī)律。發(fā)展跨尺度異質(zhì)界面元素分布、微納結(jié)構(gòu)、三維形貌及局域應(yīng)力場分布的高通量表征技術(shù)。建立超高深寬比納米互連結(jié)構(gòu)原子級可控填充與界面匹配的理論方法體系，突破下一代三維芯片互連的原子級精度填充可靠性技術(shù)瓶頸。

（2）有序構(gòu)筑埃米級調(diào)控高能效原子層器件。開展原子層半導(dǎo)體/介電材料界面、原子層半導(dǎo)體/金屬界面的亞納米級縱橫向調(diào)控研究，提升原子層器件制造效率。揭示范德華異質(zhì)堆疊界面的埃米級間隙動(dòng)態(tài)調(diào)控和開關(guān)機(jī)制，發(fā)展二維金屬及合金的有序生長與界面構(gòu)筑技術(shù)，建立成分-相結(jié)構(gòu)-物性的精準(zhǔn)關(guān)聯(lián)，提升非線性光學(xué)響應(yīng)和光電響應(yīng)。

（3）互連金屬的原子層構(gòu)筑機(jī)制與工藝方法。研究金屬原子級構(gòu)筑過程的反應(yīng)熱力學(xué)與動(dòng)力學(xué)微觀機(jī)制，構(gòu)建無孕育期原子級組裝原理和方法。研究多場耦合下通孔金屬填充的微觀動(dòng)力學(xué)過程和構(gòu)效關(guān)系，建立傳質(zhì)與反應(yīng)耦合的定量化沉積模型，揭示納米結(jié)構(gòu)中原子尺度薄膜形核-生長的演化圖像，研究局域互連中電場-熱場作用下電遷移物理機(jī)制，突破局域互連關(guān)鍵金屬的原子級批量制造瓶頸。

（4）原子級光學(xué)反射器件的制造和性能調(diào)控。構(gòu)建微納波導(dǎo)-單原子陣列腔量子動(dòng)力學(xué)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)光與原子的強(qiáng)耦合作用、手性光子傳輸及原子級光場精準(zhǔn)調(diào)控。在一維波導(dǎo)表面組裝單原子陣列，構(gòu)筑具有集體耦合效應(yīng)的原子級“光學(xué)鏡片”，實(shí)現(xiàn)可控高反射特性及多層反射結(jié)構(gòu)的可控制備。研發(fā)基于強(qiáng)相互作用宏觀原子體系的高穩(wěn)定傳感系統(tǒng)，突破傳統(tǒng)傳感單元的退相干與擴(kuò)展性瓶頸。

（5）新型耐高溫半導(dǎo)體材料的原子級構(gòu)筑原理與批量制造技術(shù)。研究耐高溫半導(dǎo)體器件中多組分材料的原子級構(gòu)筑以及批量制造原理，建立功能基元序構(gòu)的設(shè)計(jì)理論，實(shí)現(xiàn)原子級基元及異質(zhì)結(jié)構(gòu)的精準(zhǔn)圖案化構(gòu)筑。研究多場耦合作用下異質(zhì)材料的原子級界面構(gòu)筑與集成方法，揭示異質(zhì)界面向原子級平整收斂的演化規(guī)律及其與宏觀性能的構(gòu)效關(guān)系，支撐耐受極端環(huán)境的關(guān)鍵材料與新原理器件制造。

（6）多元氧化物原子級協(xié)同加工與界面缺陷精準(zhǔn)調(diào)控研究。探究多元氧化物半導(dǎo)體穩(wěn)態(tài)界面的原子級構(gòu)筑機(jī)理與演化規(guī)律，構(gòu)建原子層沉積/刻蝕等協(xié)同加工工藝與裝備耦合作用下的缺陷生成機(jī)制及主動(dòng)抑制理論模型，實(shí)現(xiàn)亞納米尺度穩(wěn)態(tài)界面結(jié)構(gòu)與低缺陷態(tài)密度的精準(zhǔn)可控調(diào)控，突破高性能氧化物陣列器件的界面物理瓶頸，為新一代高性能集成電路芯片的研發(fā)提供支撐。

4. 原子級制造測量原理與方法。

（1）原子級結(jié)構(gòu)基元的精準(zhǔn)力學(xué)操控和勢能面測量。針對多物理場下原子級基元精準(zhǔn)操縱的關(guān)鍵科學(xué)問題，建立具有原子尺度空間分辨與皮牛級力靈敏度的掃描探針測量技術(shù)，實(shí)現(xiàn)對基元在表面的擴(kuò)散勢壘、吸脫附能等關(guān)鍵熱力學(xué)參數(shù)的原位精確測量，構(gòu)建具有毫電子伏級分辨率的三維勢能面，揭示界面力學(xué)響應(yīng)和能量傳遞的微觀機(jī)制。

（2）原子級精度制造的測量表征信息與宏觀表面成形跨尺度關(guān)聯(lián)機(jī)理。開展原子尺度制造過程的測量表征與宏觀表面演化的關(guān)聯(lián)性研究，揭示材料去除及表面演化進(jìn)程中原子級特征的跨尺度傳遞規(guī)律，闡明其對宏觀表面形貌與性能的調(diào)控機(jī)理。建立原子尺度測量表征信息與宏觀表面成形質(zhì)量的關(guān)聯(lián)模型，為實(shí)現(xiàn)原子級精度制造的可控表面成形提供支撐。

（3）基于近場離子發(fā)射的原子級機(jī)電系統(tǒng)（AEMS）測控方法及離子動(dòng)力學(xué)原理。針對AEMS等新一代系統(tǒng)與器件制造問題，開展近場單離子可控發(fā)射方法及原理研究，建立離子動(dòng)力學(xué)模型，研究級聯(lián)發(fā)射及靶端離子緩沖定位機(jī)制，實(shí)現(xiàn)單離子位置及三維結(jié)構(gòu)的原子級構(gòu)筑與測控，實(shí)現(xiàn)感算一體中單鏈埃級傳感與多鏈突觸權(quán)重的動(dòng)態(tài)調(diào)控。

（三）集成項(xiàng)目。

圍繞核心科學(xué)問題，對于前期研究成果積累豐富、對總體目標(biāo)有重大貢獻(xiàn)、具有重大應(yīng)用轉(zhuǎn)化價(jià)值的申請項(xiàng)目，將以集成項(xiàng)目的方式予以資助。本計(jì)劃2026年度擬資助集成項(xiàng)目的研究方向如下：

面向高端芯片的原子級精度表面加工基礎(chǔ)研究。開展多場協(xié)同原子級加工的新原理與新方法研究，揭示外場作用下表面原子層精準(zhǔn)、一致去除的定域定勢調(diào)控機(jī)理，提升多源能場和耦合能束的精準(zhǔn)控制能力，通過將能量精準(zhǔn)作用于原子及原子層尺度材料，突破同質(zhì)表面的原子層無損精準(zhǔn)去除、異質(zhì)/異構(gòu)表面的原子級同步去除、以及復(fù)雜曲面全頻段的原子級精準(zhǔn)可控加工等核心關(guān)鍵技術(shù)，形成加工精度、缺陷控制及誤差逼近物理極限的原子級精度表面去除工藝體系。

四、項(xiàng)目遴選的基本原則

（一）緊密圍繞核心科學(xué)問題，注重需求及應(yīng)用背景約束，鼓勵(lì)原創(chuàng)性、基礎(chǔ)性和交叉性的前沿探索。

（二）優(yōu)先資助能夠解決原子級制造中的基礎(chǔ)科學(xué)難題并具有應(yīng)用前景的研究項(xiàng)目。

（三）重點(diǎn)支持項(xiàng)目和集成項(xiàng)目應(yīng)具有良好的研究基礎(chǔ)和前期積累，對總體科學(xué)目標(biāo)有直接貢獻(xiàn)與支撐。

五、2026年度資助計(jì)劃

擬資助培育項(xiàng)目40－50項(xiàng)，直接費(fèi)用資助強(qiáng)度約為60萬元/項(xiàng)，資助期限為3年，培育項(xiàng)目申請書中研究期限應(yīng)填寫“2027年1月1日－2029年12月31日”；擬資助重點(diǎn)支持項(xiàng)目10－15項(xiàng)，直接費(fèi)用資助強(qiáng)度約為280萬元/項(xiàng)，資助期限為4年，重點(diǎn)支持項(xiàng)目申請書中研究期限應(yīng)填寫“2027年1月1日－2030年12月31日”；擬資助集成項(xiàng)目1項(xiàng)，直接費(fèi)用資助強(qiáng)度約為1000萬元/項(xiàng)，資助期限為4年，集成項(xiàng)目申請書中研究期限應(yīng)填寫“2027年1月1日－2030年12月31日”。

六、申請要求及注意事項(xiàng)

（一）申請條件。

本重大研究計(jì)劃項(xiàng)目申請人應(yīng)當(dāng)具備以下條件：

1. 具有承擔(dān)基礎(chǔ)研究課題的經(jīng)歷；

2. 具有高級專業(yè)技術(shù)職務(wù)（職稱）。

在站博士后研究人員、正在攻讀研究生學(xué)位以及無工作單位或者所在單位不是依托單位的科學(xué)技術(shù)人員不得作為申請人進(jìn)行申請。

（二）限項(xiàng)申請規(guī)定。

執(zhí)行《2026年度國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目指南》“申請規(guī)定”中限項(xiàng)申請規(guī)定的相關(guān)要求。

（三）申請注意事項(xiàng)。

申請人和依托單位應(yīng)當(dāng)認(rèn)真閱讀并執(zhí)行本項(xiàng)目指南、《2026年度國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目指南》和《關(guān)于2026年度國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目申請與結(jié)題等有關(guān)事項(xiàng)的通告》中相關(guān)要求。

1. 本重大研究計(jì)劃項(xiàng)目實(shí)行無紙化申請。申請書提交日期為2026年3月1日－2026年3月20日16時(shí)。

2. 項(xiàng)目申請書采用在線方式撰寫。對申請人具體要求如下：

（1）申請人應(yīng)當(dāng)按照科學(xué)基金網(wǎng)絡(luò)信息系統(tǒng)（以下簡稱“信息系統(tǒng)”）中重大研究計(jì)劃項(xiàng)目的填報(bào)說明與撰寫提綱要求在線填寫和提交電子申請書及附件材料。

（2）本重大研究計(jì)劃旨在緊密圍繞核心科學(xué)問題，對多學(xué)科相關(guān)研究進(jìn)行戰(zhàn)略性的方向引導(dǎo)和優(yōu)勢整合，成為一個(gè)項(xiàng)目集群。申請人應(yīng)根據(jù)本重大研究計(jì)劃擬解決的核心科學(xué)問題和項(xiàng)目指南公布的擬資助研究方向，自行擬定項(xiàng)目名稱、科學(xué)目標(biāo)、研究內(nèi)容、技術(shù)路線和相應(yīng)的研究經(jīng)費(fèi)等。

（3）項(xiàng)目申請人在信息系統(tǒng)中選擇“在線申請”—“新增項(xiàng)目申請”—“申請交叉科學(xué)部項(xiàng)目”進(jìn)行項(xiàng)目申報(bào)。

申請書中的資助類別選擇“重大研究計(jì)劃”，亞類說明選擇“培育項(xiàng)目”、“重點(diǎn)支持項(xiàng)目”或“集成項(xiàng)目”，附注說明選擇“原子級制造基礎(chǔ)研究”，受理代碼選擇T02，根據(jù)申請的具體研究內(nèi)容選擇不超過5個(gè)申請代碼。

培育項(xiàng)目和重點(diǎn)支持項(xiàng)目的合作研究單位不得超過2個(gè)，集成項(xiàng)目合作研究單位不得超過4個(gè)。集成項(xiàng)目主要參與者必須是項(xiàng)目的實(shí)際貢獻(xiàn)者，合計(jì)人數(shù)不超過9人。

（4）申請人在申請書起始部分應(yīng)明確說明申請符合本項(xiàng)目指南中的資助研究方向（寫明指南中的資助研究方向序號和相應(yīng)內(nèi)容），以及對解決本重大研究計(jì)劃核心科學(xué)問題、實(shí)現(xiàn)本重大研究計(jì)劃科學(xué)目標(biāo)的貢獻(xiàn)（上述描述不少于800字）。

（5）如果申請人已經(jīng)承擔(dān)與本重大研究計(jì)劃相關(guān)的其他科技計(jì)劃項(xiàng)目，應(yīng)當(dāng)在申請書正文的“研究基礎(chǔ)與工作條件”部分論述申請項(xiàng)目與其他相關(guān)項(xiàng)目的區(qū)別與聯(lián)系。

3. 依托單位應(yīng)當(dāng)按照要求完成依托單位承諾、組織申請以及審核申請材料等工作，于2026年3月20日16時(shí)前通過信息系統(tǒng)逐項(xiàng)確認(rèn)提交本單位電子申請書及附件材料，并于3月21日16時(shí)前在線提交本單位項(xiàng)目申請清單。未按時(shí)提交項(xiàng)目清單的申請將不予接收。

4. 其他注意事項(xiàng)。

（1）為實(shí)現(xiàn)重大研究計(jì)劃總體科學(xué)目標(biāo)和多學(xué)科集成，獲得資助的項(xiàng)目負(fù)責(zé)人應(yīng)當(dāng)承諾遵守相關(guān)數(shù)據(jù)和資料管理與共享的規(guī)定，項(xiàng)目執(zhí)行過程中應(yīng)關(guān)注與本重大研究計(jì)劃其他項(xiàng)目之間的相互支撐關(guān)系。

（2）為加強(qiáng)項(xiàng)目的學(xué)術(shù)交流，促進(jìn)項(xiàng)目群的形成和多學(xué)科交叉與集成，本重大研究計(jì)劃將每年舉辦1次資助項(xiàng)目的年度學(xué)術(shù)交流會(huì)，并將不定期地組織相關(guān)領(lǐng)域的學(xué)術(shù)研討會(huì)。獲資助項(xiàng)目負(fù)責(zé)人有義務(wù)參加本重大研究計(jì)劃指導(dǎo)專家組和管理工作組所組織的上述學(xué)術(shù)交流活動(dòng)，并認(rèn)真開展學(xué)術(shù)交流。

（四）咨詢方式。

國家自然科學(xué)基金委員會(huì)交叉科學(xué)部交叉科學(xué)部二處

聯(lián)系電話： 010-62329489

責(zé)任編輯：惲海艷

責(zé)任校對：向映姣

審 核： 張 彤

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