我是芯片超人花姐，入行20年，有50W+芯片行業(yè)粉絲。有很多不方便公開發(fā)公眾號(hào)的，關(guān)于芯片買賣、關(guān)于資源鏈接等，我會(huì)分享在朋友圈。

掃碼加我本人微信

作者簡(jiǎn)介：

大山聡，格羅斯伯格聯(lián)合公司代表，他擁有慶應(yīng)大學(xué)研究生院管理工程碩士學(xué)位。1985年加入東京電子。他曾擔(dān)任銷售工程師，1992年加入數(shù)據(jù)探索（現(xiàn)為 Gartner），并在半導(dǎo)體行業(yè)分析部擔(dān)任高級(jí)行業(yè)分析師。 他于2004年加入富士通，擔(dān)任電子設(shè)備部、管理戰(zhàn)略部總經(jīng)理和總經(jīng)理，參與半導(dǎo)體部門的分拆工作。他于2010年加入iSupply（現(xiàn)為Omdia），負(fù)責(zé)半導(dǎo)體和二次電池的調(diào)查和分析。2017年，他創(chuàng)立了格羅斯伯格合辦公司，負(fù)責(zé)研究和咨詢。

此前筆者曾撰寫，獲得了大量讀者的反饋與評(píng)論。拙文能夠得到諸多讀者的關(guān)注與閱讀，深感榮幸，謹(jǐn)借此機(jī)會(huì)表示感謝。不過，由于一次性列舉了 10 個(gè)項(xiàng)目，整體上難以進(jìn)行深入分析，不可否認(rèn)有些部分只是略作介紹便草草收尾。本次將從這 10 個(gè)項(xiàng)目中，選取其后仍成為眾多人士討論焦點(diǎn)的 3 個(gè)問題，再次梳理 2026 年的關(guān)注點(diǎn)。

01

關(guān)于 DRAM 市場(chǎng)的前景

DRAM 市場(chǎng)的前景，或許是當(dāng)前最受關(guān)注的話題。稍作回顧可以發(fā)現(xiàn)，在 2025 年 10 月時(shí)尚未成為熱點(diǎn)。如今看來，10 月初曾有報(bào)道稱“OpenAI 正與主要 DRAM 廠商就 DRAM 供應(yīng)進(jìn)行磋商”，或許正是從那時(shí)起出現(xiàn)了 DRAM 緊缺的征兆。然而，筆者本人當(dāng)時(shí)并未意識(shí)到這一點(diǎn)。到了 2025 年 11 月，DDR5 現(xiàn)貨價(jià)格開始急劇上漲，市場(chǎng)突然熱議此事。原因如上次所述，是面向數(shù)據(jù)中心的 AI 需求增加。

進(jìn)一步而言，主要原因包括：在 HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）領(lǐng)域占據(jù)最高市場(chǎng)份額的 SK海力士減少了常規(guī) DRAM 的量產(chǎn)份額，加速 HBM 擴(kuò)產(chǎn)；三星與美光也以數(shù)據(jù)中心需求加速增長(zhǎng)為由，將常規(guī) DRAM 的出貨重點(diǎn)轉(zhuǎn)向數(shù)據(jù)中心。這一動(dòng)向似乎不會(huì)只是暫時(shí)現(xiàn)象。幕后推動(dòng)者是NVIDIA。

NVIDIA 與主要 DRAM 廠商共同開發(fā)了名為 SOCAMM（Small Outline Compression Attached Memory Module）的新規(guī)格，為擴(kuò)充數(shù)據(jù)中心 AI 功能，提出不僅使用 HBM，也利用常規(guī) DRAM 的戰(zhàn)略。HBM 與常規(guī) DRAM 在芯片結(jié)構(gòu)上不同，且需與 GPU 同封裝，擴(kuò)展性有限。相比之下，SOCAMM 雖然速度不及 HBM，但可使用常規(guī) DRAM，且為模塊形式，具備擴(kuò)展性。

對(duì) DRAM 廠商而言，如果同樣的 DRAM 能以高于 PC 或智能手機(jī)用途的價(jià)格銷售，選擇配合 NVIDIA 顯然更為有利。SOCAMM 規(guī)格自 2025 年上半年已存在，但采用案例并不多。到 2025 年下半年，SOCAMM2 完成規(guī)格制定，預(yù)計(jì)將于 2026 年正式啟動(dòng)需求。

這便是 2025 年底至 2026 年初 DRAM 市場(chǎng)發(fā)生的動(dòng)向。

DRAM 單價(jià)在 2026 年 2 月仍持續(xù)上漲，其影響也帶動(dòng)了 NAND 閃存需求增加與價(jià)格上升。主要原因包括：數(shù)據(jù)中心 SSD 需求與 DRAM 需求增長(zhǎng)聯(lián)動(dòng)；PC 與智能手機(jī)廠商為應(yīng)對(duì) DRAM 緊缺，試圖通過提高存儲(chǔ)容量（SSD）來彌補(bǔ)規(guī)格。

近期還有一個(gè)特點(diǎn)是，許多研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)“2026 年 PC 與智能手機(jī)市場(chǎng)將呈負(fù)增長(zhǎng)”。這并非由于需求減少，而是因?yàn)閮?nèi)存采購變得困難，即便勉強(qiáng)采購，零部件成本上升，也不得不限制生產(chǎn)數(shù)量。

那么，這種狀況將持續(xù)多久？DRAM 緊缺是否會(huì)長(zhǎng)期持續(xù)？

世界存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)率走勢(shì)；出處：WSTS（世界半導(dǎo)體市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)）

從過往模式來看，存儲(chǔ)市場(chǎng)增長(zhǎng)率在 2017 年年中達(dá)到峰值，2019 年年中觸底；2021 年后半年達(dá)到峰值，2023 年年中觸底，呈現(xiàn)約 4 年周期。如果按此模式推算，則 2025 年為峰值、2027 年為谷底。然而復(fù)雜之處在于，僅看增長(zhǎng)率的話，峰值已在 2024 年出現(xiàn)，2025 年上半年下降、下半年回升，呈現(xiàn)不同于以往的走勢(shì)。從圖表可以清楚看到兩點(diǎn)：本輪出貨規(guī)模遠(yuǎn)高于前兩輪峰值，且截至目前尚未確認(rèn)已見頂。

關(guān)于未來展望，較多觀點(diǎn)認(rèn)為：“DRAM 緊缺幾乎可以確定持續(xù)至 2026 年底”、“DRAM 主要用戶已開始討論 2027 年的采購計(jì)劃”、“到 2028 年 DRAM 緊缺有望得到緩解”。

筆者則在本連載中提出“2026 年下半年情況可能會(huì)發(fā)生變化”的看法。這一觀點(diǎn)屬于少數(shù)派，常被問及理由。筆者認(rèn)為原因在于：當(dāng)前緊缺與爭(zhēng)搶狀況已顯過熱，用戶之間為避免在爭(zhēng)搶中落敗，可能下達(dá)超出實(shí)際需求的訂單，導(dǎo)致虛假需求膨脹。數(shù)年前車用半導(dǎo)體短缺演變?yōu)樯鐣?huì)問題時(shí)，也曾因用戶爭(zhēng)搶而推高虛假需求，最終引發(fā)大量庫存問題。目前 DRAM 的虛假需求膨脹幾乎可以確定。問題在于，這種狀況何時(shí)顯現(xiàn)，爭(zhēng)搶何時(shí)終止。正因?yàn)闊o法判斷這一時(shí)間點(diǎn)，各方看法才出現(xiàn)分歧。

02

臺(tái)積電熊本廠改為量產(chǎn) 3nm 的計(jì)劃變更

據(jù)稱，臺(tái)積電在熊本縣建設(shè)的第一工廠稼動(dòng)率低迷在 50% 左右。在這種情況下，關(guān)于正在建設(shè)中的熊本第二工廠，相關(guān)人士之間開始出現(xiàn)擔(dān)憂——“是否應(yīng)該按原計(jì)劃作為對(duì)應(yīng) 6nm至40nm 制程的半導(dǎo)體工廠投入運(yùn)營(yíng)”、“如果繼續(xù)維持這種傳統(tǒng)制程，是否會(huì)像第一工廠一樣稼動(dòng)率低迷”。一度甚至傳出“施工現(xiàn)場(chǎng)多臺(tái)運(yùn)轉(zhuǎn)中的起重機(jī)不見了”、“接下來該怎么辦”等議論。到了 2025 年底，又流傳出“是否會(huì)上馬 4nm”、“甚至可能是 2nm”等引入最先進(jìn)制程的傳聞。2026 年 2 月 5 日，TSMC 正式宣布“將在熊本第二工廠啟動(dòng) 3nm 生產(chǎn)線”。

筆者也聽到“日本沒有 3nm 客戶”、“這是高市內(nèi)閣為選舉鋪路的策略”等說法，但筆者并不這么認(rèn)為。傳統(tǒng)制程因需求低迷而產(chǎn)線空閑，最先進(jìn)制程卻因需求過剩而產(chǎn)線滿載。既然如此，在第二工廠導(dǎo)入最先進(jìn)制程應(yīng)是必然的判斷。正如筆者在上一篇文章中所述，“臺(tái)積電似乎樂于在建設(shè)成本和工廠運(yùn)營(yíng)成本低于美國(guó)的日本量產(chǎn)最先進(jìn)制程”，問題并不在于“日本是否有客戶”，而是在于“在哪里更容易生產(chǎn)”。似乎更被重視的是“在更容易生產(chǎn)的地方生產(chǎn)”。

筆者也希望，不僅是晶圓前段工序，包括 CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）這樣的最先進(jìn)封裝工序也能在日本實(shí)現(xiàn)。實(shí)際上，臺(tái)積電已在茨城縣筑波市設(shè)立了相關(guān)研究所。如今，CoWoS 的生產(chǎn)能力甚至被稱為“AI 處理器生產(chǎn)的瓶頸”，已成為極為關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。本來希望日系廠商能夠運(yùn)用這樣的先進(jìn)技術(shù)，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中奮力拼搏。但遺憾的是，曾在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中爭(zhēng)奪領(lǐng)先地位的日本大型電機(jī)廠商似乎完全沒有這樣的想法�；蛟S他們并不愿意參與日本政府提出的半導(dǎo)體戰(zhàn)略。關(guān)于這一點(diǎn)，在此不再深入。

03

英特爾復(fù)活的關(guān)鍵是“EMIB-T”嗎？

無論好壞，近來英特爾本身成為話題的機(jī)會(huì)減少，市場(chǎng)更多集中在“NVIDIA 會(huì)增長(zhǎng)到何種程度”、“是否只有臺(tái)積電才能制造”、“DRAM 價(jià)格會(huì)上漲到哪里”等議題。這些全部都與 AI 有關(guān)——推動(dòng) AI 的 NVIDIA、負(fù)責(zé)制造的臺(tái)積電、被 AI 大量消耗的 DRAM，形成了緊密關(guān)聯(lián)。也就是說，如今的半導(dǎo)體行業(yè)幾乎只圍繞 AI 展開，其他領(lǐng)域被排在次要甚至更次要的位置。

未能搭上 AI 浪潮的英特爾也不例外。不過，英特爾的最先進(jìn)封裝技術(shù)“EMIB-T”開始受到關(guān)注。原因在于臺(tái)積電的 CoWoS 成為瓶頸，作為替代技術(shù)，英特爾的 EMIB-T 被看好。有未經(jīng)確認(rèn)的信息稱，Apple、Qualcomm、Broadcom、Google 等公司正在考慮采用 EMIB-T。Broadcom 和 Google 可能用于數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，而 Apple 和 Qualcomm 則可能考慮用于智能手機(jī)。以 Apple 為例，或許是前段制造在臺(tái)積電進(jìn)行，后段采用英特爾的 EMIB-T，再搭載于 iPhone。

“EMIB-T”概述；出處：Intel

目前尚未決定采用與否，未來如何仍未可知。但如果英特爾的制造功能能夠以代工形式被利用，即便是后段工序，也可能成為復(fù)活的契機(jī)。英特爾宣布制造部門分拆是在 2024 年 9 月，但此后并未具體推進(jìn)。

順便提及，截至2025年12月末，英特爾的有形固定資產(chǎn)為 1054 億美元，其中大部分被認(rèn)為屬于制造部門資產(chǎn)。要為約 1000 億美元的工廠資產(chǎn)出資并運(yùn)營(yíng)，而且限定為美國(guó)企業(yè)，候選者并不多。此前筆者也如此認(rèn)為，但有人提出“是否存在 Tesla 收購的可能性？Tesla 似乎希望擁有自有半導(dǎo)體工廠（TeraFab）”。從常識(shí)來看難以想象，但 Tesla 的 CEO 似乎并非按照常識(shí)行事�；蛟S像筆者這樣的凡人，不應(yīng)輕易斷言“絕無可能”。

以上選取三點(diǎn)進(jìn)行深入討論。今后的動(dòng)向仍值得關(guān)注。

我是芯片超人花姐，入行20年，經(jīng)手10億+RMB芯片采購。

原創(chuàng)寫了9年文章，有50W+芯片行業(yè)粉絲。

有很多不方便公開發(fā)公眾號(hào)的

關(guān)于芯片買賣、關(guān)于資源鏈接等

我會(huì)分享在朋友圈

掃碼加我本人微信

來源：內(nèi)容由芯世相（ID：xinpianlaosiji）編譯自「EE Times Japan」，作者：大山聡

點(diǎn)擊查看往期內(nèi)容