原文發(fā)表于《科技導(dǎo)報(bào)》2026 年第3 期 《 構(gòu)建自主可控的集成電路產(chǎn)業(yè)體系——“十五五”期間對(duì)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的思考與建議 》

集成電路是現(xiàn)代信息社會(huì)的核心基石，對(duì)經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展、國(guó)家安全和產(chǎn)業(yè)升級(jí)具有極其重要的戰(zhàn)略意義?！犊萍紝?dǎo)報(bào)》邀請(qǐng)北京大學(xué)王陽元院士等撰寫文章，立足世界經(jīng)濟(jì) 50 年長(zhǎng)波周期演進(jìn)規(guī)律，聚焦第 5 個(gè)長(zhǎng)波周期核心引擎——集成電路產(chǎn)業(yè)，系統(tǒng)梳理了中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)從“六五”至“十四五”的發(fā)展歷程、產(chǎn)業(yè)體系現(xiàn)狀及全球競(jìng)爭(zhēng)格局。通過分析電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（electronic design automation，EDA）、設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、設(shè)備、材料、存儲(chǔ)器等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的發(fā)展成果，明確中國(guó)在國(guó)家安全領(lǐng)域芯片自主化等方面的突破，以及多家企業(yè)躋身全球相關(guān)領(lǐng)域前 10 位的階段性成就。同時(shí)，深入剖析了產(chǎn)業(yè)存在的“小散弱”同質(zhì)化內(nèi)卷、上下游容錯(cuò)試錯(cuò)機(jī)制缺失、數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)與產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)不健全、“舉國(guó)之力”轉(zhuǎn)化不足等問題，并結(jié)合后摩爾時(shí)代集成電路向延續(xù)摩爾、拓展摩爾、超越摩爾、豐富摩爾的發(fā)展趨勢(shì)，提出“十五五”期間要打造頭部企業(yè)、完善協(xié)同機(jī)制、加大精準(zhǔn)投資、強(qiáng)化基礎(chǔ)研究、深化國(guó)際合作、優(yōu)化人才培養(yǎng)。

1 世界經(jīng)濟(jì) 50 年長(zhǎng)波周期的演進(jìn)

經(jīng)濟(jì)學(xué)研究表明，世界經(jīng)濟(jì)的發(fā)展存在一個(gè)以 50 年為長(zhǎng)波周期的變化規(guī)律，稱為“康德拉耶夫周期”。18 世紀(jì)末到 19 世紀(jì)中葉為第 1 個(gè)長(zhǎng)波周期，以蒸汽機(jī)帶動(dòng)的紡織工業(yè)為驅(qū)動(dòng)器；19 世紀(jì)中葉到 19 世紀(jì)末期為第 2 個(gè)長(zhǎng)波周期，美國(guó)利用鋼鐵產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)了大國(guó)崛起；19 世紀(jì)末到 20 世紀(jì)中期為第 3 個(gè)長(zhǎng)波周期，美國(guó)利用電力和石化產(chǎn)業(yè)獲得了經(jīng)濟(jì)強(qiáng)國(guó)地位；20 世紀(jì)中期到 20 世紀(jì)末期為第 4 個(gè)周期，日本以汽車產(chǎn)業(yè)為推進(jìn)器實(shí)現(xiàn)了經(jīng)濟(jì)騰飛。人類社會(huì)從 20 世紀(jì)末期開始進(jìn)入信息時(shí)代，信息產(chǎn)業(yè)成為第 5 個(gè)長(zhǎng)波周期推動(dòng)生產(chǎn)力發(fā)展和社會(huì)進(jìn)步的引擎（圖 1）。

圖1 中國(guó)、美國(guó)、日本歷年 GDP 占世界 GDP 的比例

（數(shù)據(jù)來源：《世界經(jīng)濟(jì)千年史》（公元 0 年—1950 年 GDP，貨幣單位 1990 國(guó)際元），世界銀行（1960 年至今 GDP，現(xiàn)價(jià)美元））

圖 1 表明，1820 年，中國(guó)以農(nóng)業(yè)和手工業(yè)為經(jīng)濟(jì)主體的國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值（gross domestic product，GDP）占世界總量 32.92%；但在 1840 年以后，沒有跟上時(shí)代前進(jìn)的步伐，成為了列強(qiáng)刀俎之上任人宰割的魚肉。得益于在改革開放環(huán)境中信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，從 20 世紀(jì)末起，中國(guó) GDP 在世界總量中的占比開始緩步上升； 2005 年起，中國(guó)的 GDP 開始加速發(fā)展；2009 年，中國(guó) GDP 總量超過了日本，成為了世界第二大經(jīng)濟(jì)體。

2024 年，世界、中國(guó)、美國(guó)的 GDP 分別為 111.33萬億、18.74 萬億和 29.18 萬億美元（世界銀行數(shù)據(jù)，名義 GDP，現(xiàn)價(jià)美元 ），中國(guó)和美國(guó)分別占世界 GDP 總量的 16.84% 和 26.21%。

從 2025 年起，假定世界、中國(guó)和美國(guó)的年均 GDP 增長(zhǎng)率分別按 2.5%、5.5% 和 2.2%，且不考慮匯率變化進(jìn)行簡(jiǎn)單測(cè)算，到 2035 年，中國(guó)和美國(guó)的 GDP 將分別達(dá)到 33.8 萬億和 37.1 萬億美元，分別占世界 GDP 總量的 23.12% 和 25.38%。當(dāng)然，在考慮到美債危機(jī)、通脹壓力、匯率變化、新質(zhì)生產(chǎn)力推動(dòng)等不可預(yù)知因素的情況下，到 2035 年，中國(guó) GDP 總量也存在和美國(guó)比肩，甚至超越的可能性。

若 2025—2035 年中國(guó) GDP 年增長(zhǎng)率按 5.5%、其后按 5% 簡(jiǎn)單測(cè)算，到第 5 個(gè)長(zhǎng)波經(jīng)濟(jì)周期末，即中華人民共和國(guó)成立 100 周年的 2049 年，中國(guó)將占世界 GDP 總量的 32.40%，與 1820 年的 32.92% 基本相當(dāng)，如圖 1 所示。

之所以預(yù)測(cè)在“十六五”末的 2035 年，中國(guó)的經(jīng)濟(jì)體量有可能與美國(guó)相當(dāng)甚至超越（依據(jù)高盛集團(tuán)、國(guó)際貨幣基金組織主流模型預(yù)測(cè)），源于我們的底氣。國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)主任鄭柵潔發(fā)布“十四五”期間的數(shù)據(jù)表明：中國(guó)經(jīng)濟(jì)增速平均為 5.5%，對(duì)世界經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的貢獻(xiàn)率保持在 30% 左右；內(nèi)需對(duì)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的平均貢獻(xiàn)率為 86.4%，最終消費(fèi)對(duì)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的平均貢獻(xiàn)率達(dá)到 56.2%；中國(guó)鋼鐵產(chǎn)量連續(xù) 28 年穩(wěn)居世界之首，連續(xù) 15 年穩(wěn)坐全球制造業(yè)“頭把交椅”，200 多種主要工業(yè)品產(chǎn)量居世界第 1 位；2024 年研發(fā)支出占 GDP 的比例達(dá)到 2.68%，接近經(jīng)濟(jì)合作與發(fā)展組織（Organisation for Economic Co-operation and Development，OECD）國(guó)家的平均水平；2024 年，集成電路年產(chǎn)量比“十三五”末增長(zhǎng) 72.6%；同時(shí)，中國(guó)還是第一貨物貿(mào)易大國(guó)、第一外匯儲(chǔ)備大國(guó)、第一能源生產(chǎn)大國(guó)、第一人力資源大國(guó)。另據(jù)世界銀行、國(guó)際貨幣基金組織（International Monetary Fund，IMF）以購買力平價(jià)（purchase power parity，PPP）法測(cè)算 GDP，中國(guó)經(jīng)濟(jì)總量在 2016 年已追平美國(guó)。2024 年，中國(guó)的 PPP GDP 為 38.19 萬億國(guó)際元（PPP 比較中用于統(tǒng)一轉(zhuǎn)換各國(guó)貨幣的虛擬單位），美國(guó)為 29.18 萬億國(guó)際元，中國(guó)是美國(guó)的 134%。中國(guó)已成為世界發(fā)展最穩(wěn)定、最可靠、最積極的力量。

當(dāng)今中國(guó)正面臨世界百年未有之大變局。對(duì)中國(guó)而言的“好時(shí)代”是，中國(guó)正在崛起，正走在由“富起來”邁向“強(qiáng)起來”的康莊大道。根據(jù)聯(lián)合國(guó)工業(yè)發(fā)展組織（United Nations Industrial Development Organization，UNIDO）2024 年 10 月發(fā)布的《工業(yè)化的未來》報(bào)告，中國(guó)的制造業(yè)產(chǎn)值已占全球總量的 35%。作為世界第二大經(jīng)濟(jì)體的中國(guó)，在“小院高墻”“脫鉤斷鏈”“關(guān)稅高壓”的威脅面前，成為了無懼狂風(fēng)巨浪的中流砥柱。對(duì)中國(guó)而言的“壞時(shí)代”是，要面對(duì)各種以中國(guó)為敵的圍剿、制裁和霸凌。僅在 2021 年以后，美國(guó)就 出臺(tái)了《2021 年美國(guó)創(chuàng)新與競(jìng)爭(zhēng)法案》《2022 年芯片與科學(xué)法案》《國(guó)家安全戰(zhàn)略》《2024 年人工智能開發(fā)使用行政令》等政策，明確將中國(guó)視為“戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手”和“最嚴(yán)峻的競(jìng)爭(zhēng)者”，要將“擊敗中國(guó)”列為優(yōu)先事項(xiàng)，美國(guó)甚至將國(guó)防部（the Department of Defense）更名為戰(zhàn)爭(zhēng)部（the Department of War）。歐洲和日本也相繼出臺(tái)了“去中國(guó)化”的《歐洲芯片法案》和《半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)緊急強(qiáng)化方案》。在這樣波詭云譎的形勢(shì)中，我們必須“丟掉幻想，準(zhǔn)備斗爭(zhēng)”。

2 集成電路產(chǎn)業(yè)成為推動(dòng)生產(chǎn)力發(fā)展的引擎

馬克思說：“各種經(jīng)濟(jì)時(shí)代的區(qū)別，不在于生產(chǎn)什么，而在于怎樣生產(chǎn)，用什么勞動(dòng)資料生產(chǎn)?！比缜拔乃?，第 5 個(gè)經(jīng)濟(jì)長(zhǎng)波周期的引擎是信息產(chǎn)業(yè)。對(duì)于 1958 年集成電路的發(fā)明，諾貝爾獎(jiǎng)評(píng)審委員會(huì)的評(píng)價(jià)是：“為現(xiàn)代信息技術(shù)奠定了基礎(chǔ)?！毙畔⒃趥鞑?、交換和應(yīng)用中體現(xiàn)價(jià)值。如今，信息已經(jīng)成為人們生產(chǎn)和生活中的重要資源，成為國(guó)家安全的重要保障。

在中國(guó)制造業(yè)產(chǎn)值已占全球總量 35% 的基礎(chǔ)上，加速發(fā)展中國(guó)信息產(chǎn)業(yè)應(yīng)成為“十五五”規(guī)劃的重中之重。這是保證 GDP 總量增長(zhǎng)速度的需要，是持續(xù)增進(jìn)民生福祉的需要，是“止戈為武”、保障國(guó)家安 全、維護(hù)和平發(fā)展環(huán)境的需要。

在“十五五”的 5 年中，集成電路相關(guān)人員將承擔(dān)著強(qiáng)軍、強(qiáng)國(guó)的重任，肩負(fù)著中華民族偉大復(fù)興的歷史使命。信息產(chǎn)業(yè)的核心是集成電路和在集成電路中運(yùn)行的軟件，以及由集成電路和軟件共同構(gòu)成的信 息系統(tǒng)。正在亞洲、歐洲和中東地區(qū)進(jìn)行的局部戰(zhàn)爭(zhēng)，凸顯了以集成電路和軟件構(gòu)成的體系戰(zhàn)爭(zhēng)特征。體系戰(zhàn)爭(zhēng)不再是兵員多寡、鋼鐵堆砌的簡(jiǎn)單比拼，戰(zhàn)爭(zhēng)勝負(fù)的砝碼已經(jīng)從制陸權(quán)、制海權(quán)、制空權(quán)向制天權(quán)、制電磁權(quán)、制信息權(quán)傾斜?！爸啤钡暮诵氖恰爸恰?，是“不戰(zhàn)而屈人之兵”。當(dāng)今，集成電路是“智”的載體。

衛(wèi)星、有源相控陣?yán)走_(dá)、預(yù)警機(jī)、殲擊戰(zhàn)機(jī)、無人機(jī)群、導(dǎo)彈已然是體系戰(zhàn)爭(zhēng)中的主導(dǎo)裝備。傳感器、中央處理器（central processing unit，CPU）、圖形處理器（graphics processing unit，GPU）、數(shù)據(jù)處理器（data processing unit，DPU）、存儲(chǔ)器、基帶芯片、射頻芯片、電源管理等芯片，在上述裝備中承擔(dān)著信息獲取、信息處理、信息存儲(chǔ)、信息傳輸和信息執(zhí)行的所有重任。集成電路性能的高低、產(chǎn)能的強(qiáng)弱，以及由其中運(yùn)行的軟件系統(tǒng)所構(gòu)成的數(shù)據(jù)鏈，已經(jīng)成為武器即時(shí)響應(yīng)、實(shí)時(shí)應(yīng)變、指揮控制、精準(zhǔn)打擊的“智能”關(guān)鍵；而寬禁帶半導(dǎo)體（如 SiC、GaN）的應(yīng)用，對(duì)于電磁彈射系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)化效率、彈射效率與可靠性的提升，成為航母戰(zhàn)斗群“體能”延伸的重要保障。可以說，現(xiàn)代裝備體系中的集成電路和軟件正在改變戰(zhàn)爭(zhēng)規(guī)則。

在民生領(lǐng)域中，信息體系成為人們提高生活水平和幸福指數(shù)的平臺(tái)，架起了全世界人們相互溝通的橋梁。在互聯(lián)網(wǎng)支持的環(huán)境下，移動(dòng)通信、電子商務(wù)和數(shù)字支付的普及使得傳統(tǒng)的郵政系統(tǒng)、紙媒傳播、實(shí) 體店購物和膠片產(chǎn)業(yè)在市場(chǎng)上感到落寞。微信（WeChat）、抖音（TikTok），以及快遞服務(wù)成為許多國(guó)家普通人生活中不可或缺的組成部分，媒體觸及人群龐大，如 2025 年，“9·3”閱兵全媒體渠道直播和重播點(diǎn)播總觸達(dá) 296.21 億人次，電視端直播收視份額達(dá) 92.61%，央視總臺(tái)直播信號(hào)和新聞視頻被 129 個(gè)國(guó)家和地區(qū)的 2016 家海外主流媒體采用播出。2024 年 8 月，中國(guó)電子行業(yè)以 11.54 萬億元的總市值首次超越銀行業(yè)，成為 A 股市場(chǎng)第一大行業(yè)。

3 從“六五”到“十四五”的中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)

20 世紀(jì) 50 年代，以中國(guó)固體物理和半導(dǎo)體物理學(xué)科的開創(chuàng)者之一黃昆為代表的一代大師秉承著“中國(guó)有我們和沒有我們，makes a difference”的堅(jiān)定信念，放棄了國(guó)外優(yōu)渥的生活和科研條件回到祖國(guó)，成為了中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的奠基者；他們培養(yǎng)的第一批半導(dǎo)體專業(yè)人才成為中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的開拓者。

從 20 世紀(jì) 60 年代到 90 年代末，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)在初始創(chuàng)業(yè)中探索前進(jìn)。進(jìn)入 21 世紀(jì)，從“十五”起，在改革開放的大環(huán)境中，以中芯國(guó)際集成電路制造有限公司（中芯國(guó)際）為代表的一批與國(guó)際接軌的企業(yè)涌現(xiàn)，在國(guó)家政策的支持下，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)駛?cè)肓艘?guī)范發(fā)展的快車道，自 2001 年至 2011 年，平均 1 年的銷售額（810.9 億元）就超過了前 20 年銷售額的總和（519.2 億元）。自“十二五”起，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速成長(zhǎng)階段。圖 2 表明，從“六五”起，每 2 個(gè)相鄰的 10 年段，后者的集成電路年平均銷售額就增加一個(gè)數(shù)量級(jí)，按此規(guī)律預(yù)計(jì)，“十四五”到“十五五”這 10 年的年平均銷售額將達(dá)到 104 億元。

圖2 中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)歷年銷售額（數(shù)據(jù)來源：中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

圖 3 表明了中國(guó)集成電路銷售額、電子信息產(chǎn)業(yè)銷售額和 GDP 的正相關(guān)關(guān)系。其中，從 2004 年到 2024 年，電子信息產(chǎn)業(yè)銷售額與 GDP 之比均值約為 1/5；而集成電路銷售額與 GDP 之比則從 1/300 上升到 1/100，這一是表明中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)對(duì) GDP 的貢 獻(xiàn)越來越大，二是證明了以集成電路為核心的電子信息產(chǎn)業(yè)的確是第 5 個(gè)經(jīng)濟(jì)長(zhǎng)波周期的驅(qū)動(dòng)器。

圖3 中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)、信息產(chǎn)業(yè)銷售額和 GDP 的比較

（數(shù)據(jù)來源：國(guó)家統(tǒng)計(jì)局、工業(yè)和信息化部）

圖 4 為世界半導(dǎo)體市場(chǎng)總額與世界 GDP 總額的比較，同樣證明了二者之間的正相關(guān)關(guān)系。24 年間，半導(dǎo)體銷售額/GDP≈1/220（24 年均值）。

圖4 世界半導(dǎo)體市場(chǎng)總額與世界 GDP 總額的正相關(guān)關(guān)系

（數(shù)據(jù)來源：世界銀行、世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)）

4 集成電路的產(chǎn)業(yè)體系

4.1 集成電路產(chǎn)業(yè)體系的基本架構(gòu)

集成電路產(chǎn)業(yè)體系包括集成電路產(chǎn)業(yè)鏈和支撐其發(fā)展的各種外部條件：集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的生產(chǎn)發(fā)端于社會(huì)進(jìn)步和國(guó)家安全需求，根據(jù)這些需求，由不斷追求技術(shù)創(chuàng)新的生產(chǎn)鏈生產(chǎn)各種集成電路產(chǎn)品；最 后，由集成電路+軟件構(gòu)成的整機(jī)系統(tǒng)，在各種信息設(shè)備的市場(chǎng)應(yīng)用中體現(xiàn)其最終價(jià)值。作為集成電路產(chǎn)業(yè)體系，還要考慮國(guó)際環(huán)境變化、國(guó)內(nèi)政策支持、持續(xù)投資強(qiáng)度和人才隊(duì)伍建設(shè)等必要支撐條件（圖 5）。

圖5 集成電路產(chǎn)業(yè)體系基本構(gòu)成

體積小、重量輕、智能強(qiáng)、速度高、功能多、容量大、功耗低是人們?cè)谏a(chǎn)和生活中對(duì)信息終端不斷提出更新迭代的需求。為滿足上述需求，作為集成電路產(chǎn)業(yè)體系核心部分的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈，要在器件結(jié)構(gòu)、設(shè)計(jì)工具、專用材料、專用設(shè)備、生產(chǎn)工藝等各個(gè)方面不斷創(chuàng)新。

作為外部支撐條件，首先要?jiǎng)?chuàng)造有利于生產(chǎn)和進(jìn)出口貿(mào)易穩(wěn)定的和平環(huán)境；要加強(qiáng)人才，尤其是領(lǐng)軍人才隊(duì)伍的建設(shè)；同時(shí)，在已經(jīng)發(fā)布的《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》和《國(guó)務(wù)院關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提高政策支持的方式和力度；在國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（國(guó)家大基金）的基礎(chǔ)上要持續(xù)增加國(guó)家對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)的高強(qiáng)度投入。

4.2 中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀與面臨的挑戰(zhàn)

4.2.1 中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀

1）安全。在衛(wèi)星、國(guó)家安全與軍事網(wǎng)絡(luò)、所有制導(dǎo)的攻防裝備中應(yīng)用的集成電路和加密軟件，已經(jīng)做到 100% 由自主可控的產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)行生產(chǎn)、維護(hù)和迭代，對(duì)有關(guān)國(guó)家安全的領(lǐng)域構(gòu)筑了堅(jiān)實(shí)屏障。

2）電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化。國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI）統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2024 年，全球電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（electronic design automation，EDA）市場(chǎng)規(guī)模為 117.93 億 美元，其中，國(guó)外的 3 家——新思科技（Synopsys）、楷登（Cadence）和西門子（Siemens）的 EDA 銷售額分別 為 42.21 億、32.95 億和 19.89 億美元，合計(jì)占世界 EDA 市場(chǎng)總額的 81%。這 3 大企業(yè)形成了較高的行業(yè)進(jìn)入壁壘，同時(shí)也積累了較強(qiáng)的用戶黏性。

1993 年，中國(guó)第一款具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的 EDA 工具“熊貓系統(tǒng)”研制成功，打破了國(guó)外封鎖的大門，點(diǎn)燃了中國(guó) EDA 產(chǎn)業(yè)發(fā)展的星星之火。其后，輸出管制統(tǒng)籌委員會(huì)解除封鎖，國(guó)外 EDA 企業(yè)以其成熟產(chǎn)品涌入，國(guó)內(nèi) EDA 工具研發(fā)和應(yīng)用陷入低谷。2002 年起，北京華大九天科技股份有限公司、上海概倫電子股份有限公司、杭州廣立微電子股份有限公司、上海合見工業(yè)軟件集團(tuán)有限公司、上海思爾芯技術(shù)股份有限公司、深圳鴻芯微納技術(shù)有限公司、芯華章科技股份有限公司、蘇州培風(fēng)圖南半導(dǎo)體有限公司等一批 EDA 公司陸續(xù)成立，迄今逾百家。2024 年，北京華大九天科技股份有限公司以 1.56 億美元銷售額躋身世界 10 強(qiáng)，居第 6 位。在模擬電路設(shè)計(jì)、存儲(chǔ)電路設(shè)計(jì)、射頻電路設(shè)計(jì)、平板顯示電路設(shè)計(jì)等領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)全流程覆蓋，并在數(shù)字電路設(shè)計(jì)、晶圓制造 EDA、先進(jìn)封裝 EDA 等領(lǐng)域取得突破，其電路仿真工具、物理驗(yàn)證工具、超大規(guī)模版圖數(shù)據(jù)處理與分析工具、時(shí)序優(yōu)化工具、電源可靠性簽核工具達(dá)到全球領(lǐng)先水平，并可支持鰭式晶體管（fin field?effect transistor，F(xiàn)inFET）工藝。其 EDA 產(chǎn)品已在中芯國(guó)際、深圳市海思半導(dǎo)體有限公司、紫光展銳（上海）科技股份有限公司、海光信息技術(shù)股份有限公司、京東方科技集團(tuán)股份有限公司等客戶中得到廣泛應(yīng)用。

3）設(shè)計(jì)。據(jù)集邦咨詢（TrendForce）的研究報(bào)告，2024 年，在無生產(chǎn)線設(shè)計(jì)企業(yè)（fabless）中，英偉達(dá)（NVIDIA）、高通（Qualcomm）和博通（Broadcom）的營(yíng)收額分別為 1243.77 億、348.57 億和 306.44 億美元，豪威集成電路（集團(tuán)）股份有限公司以 30.49 億美元的營(yíng)收額位列第 9。2024 年，國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)有 3626 家，其產(chǎn)品以通信和消費(fèi)類的中低端芯片為主， 全行業(yè)產(chǎn)值為 6460.4 億元（約 909.9 億美元）。也就是說，3626 家企業(yè)的銷售總額尚不及英偉達(dá)一家的銷售額。但是，除了需要在性能、功耗、成本和體積上都有高要求的手機(jī)芯片外，其他芯片，包括 AI 芯片、 CPU 芯片、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（field?programmable gate array，F(xiàn)PGA）芯片等，美國(guó)已經(jīng)無法對(duì)中國(guó)實(shí)施限制。國(guó)內(nèi)一批設(shè)計(jì)企業(yè)進(jìn)入全球前列，芯片設(shè)計(jì)水平已躋身國(guó)際第一梯隊(duì)，深圳市海思半導(dǎo)體有限公司、紫光展銳（上海）科技股份有限公司分別是國(guó)內(nèi)智能手機(jī)處理器芯片第 1、第 2 大設(shè)計(jì)商，市場(chǎng)占有率分別為 20％、10％。

高端芯片的設(shè)計(jì)與生產(chǎn)主要受限于：EDA 工具的禁運(yùn)嚴(yán)重影響國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)的研發(fā)效率和質(zhì)量，同時(shí)還會(huì)增加風(fēng)險(xiǎn)和成本；國(guó)內(nèi)芯片制造能力的提升；下游企業(yè)傾向于進(jìn)口國(guó)外產(chǎn)品。

4）制造。根據(jù)集邦咨詢（TrendForce）發(fā)布的報(bào)告，2025 年第二季度，中芯國(guó)際在芯片代工企業(yè)的全球市場(chǎng)占有率（市占率）中超過了聯(lián)華電子股份有限公司和格芯（GlobalFoundries），位居世界第 3。上海華虹（集團(tuán)）有限公司位居世界第 6。

2025 年上半年，中芯國(guó)際≥28 nm 工藝的晶圓月產(chǎn)能達(dá)到 35 萬片，產(chǎn)能利用率達(dá)到 92.5%；其 14 nm 及以下 FinFET 技術(shù)代工的芯片，已實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)和商業(yè)化，為國(guó)內(nèi)先進(jìn)邏輯產(chǎn)能需求提供了支撐。

5）封測(cè)。2024 年，全球集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 821 億美元。其中，中國(guó)臺(tái)灣日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司營(yíng)收 185.4 億美元，位列第一，美國(guó)安靠科技（Amkor Technology）公司以 63.2 億美元位列其次，江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司以 50 億美元營(yíng) 收居世界第 3 位，通富微電子股份有限公司營(yíng)收 33.2 億美元位列全球第 4；天水華天科技股份有限公司營(yíng)收 20.1 億美元排名第 6。

截至 2024 年，國(guó)內(nèi)先進(jìn)封裝的企業(yè)數(shù)量為 116 家。江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司在高算力（含相應(yīng)的存儲(chǔ)、通信）、AI 端側(cè)、功率與能源、汽車和工業(yè)等重要領(lǐng)域擁有行業(yè)領(lǐng)先的半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)。通富微電子股份有限公司大力開發(fā)扇出型、圓片級(jí)、倒裝焊等封裝技術(shù)并擴(kuò)充其產(chǎn)能，積極布局芯粒（Chiplet）、2D+等頂尖封裝技術(shù)，形成了差異化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。天水華天科技股份有限公司持續(xù)進(jìn)行先進(jìn)封裝技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)及量產(chǎn)工作，推進(jìn) Chiplet、汽車電子、板級(jí)封裝平臺(tái)相關(guān)技術(shù)的研發(fā)。完成了 2.5D 生產(chǎn)線建設(shè)和設(shè)備調(diào)試，扇出型面板級(jí)封裝（fan?out panel level packaging，F(xiàn)OPLP）技術(shù)通過了客戶認(rèn)證。盛合晶微 半導(dǎo)體（江陰）有限公司是國(guó)內(nèi) 12 英寸中段凸塊加工產(chǎn)能和加工規(guī)模最大的企業(yè)，也是國(guó)內(nèi)首家大規(guī)模量產(chǎn)基于硅通孔載板（TSV Interposer）的 2.5D Chiplet 全流程先進(jìn)封裝企業(yè)。

6）設(shè)備。設(shè)備作為半導(dǎo)體行業(yè)的核心支柱，近年來在自主可控與國(guó)產(chǎn)替代的大背景下，本土化趨勢(shì)愈發(fā)明顯。北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備的平臺(tái)型企業(yè)，已形成“刻蝕+薄膜沉積+熱 處理+濕法+離子注入”全品類布局。2025 年 6 月，北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司取得芯源微控股權(quán)，補(bǔ)全光刻配套的涂膠顯影設(shè)備短板。2024 年，北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司全球排名第 6 位。中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司刻蝕機(jī)占全球市場(chǎng)份額 的 17%，據(jù)公開報(bào)道是唯一進(jìn)入中國(guó)臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司（臺(tái)積電）7 nm/5 nm 工藝的大陸本土設(shè)備商。上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司 28 nm 光刻機(jī)（ArF，Immersion）進(jìn)入工藝測(cè)試階段。拓荊科技股份有限公司 14 nm 次常壓化學(xué)氣相沉積（subatmospheric chemical vapor deposition，SACVD）設(shè)備在中 芯國(guó)際產(chǎn)線成功替代國(guó)外同類產(chǎn)品。盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司自主研發(fā)出的單片兆聲波清洗設(shè)備已經(jīng)進(jìn)入臺(tái)積電 CoWoS（2.5D、3D 的封裝技術(shù)）生產(chǎn)線。華海清科股份有限公司新一代 12 英寸超精密晶圓減薄機(jī)批量進(jìn)入大生產(chǎn)線，連續(xù)發(fā)往國(guó)內(nèi) 多家半導(dǎo)體龍頭企業(yè)。

據(jù) SEMI 統(tǒng)計(jì)，2024 年全球半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額為 1171 億美元。其中，阿斯麥（ASML）、應(yīng)用材料（Applied Materials）和泛林集團(tuán)（Lam Research）的營(yíng)收分別為 310.2 億、250.3 億和 162.1 億美元。中國(guó)大陸排名前 10 位的主要半導(dǎo)體設(shè)備制造商在 2024 年的半導(dǎo)體設(shè)備銷售收入 486 億元左右（約 67.51 億美 元），合計(jì)市場(chǎng)份額約占全球 5.77%，占國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額 13.6%。

目前，中國(guó)大陸晶圓制造設(shè)備供應(yīng)商有 185 家，半導(dǎo)體封裝設(shè)備供應(yīng)商有224家。

7）材料。集成電路材料主要包括硅材料、高純電子化學(xué)品、高純電子氣體、光刻膠、高純石英制品、濺射靶材、框架引線封裝材料等。直拉硅單晶（硅片）包括拋光片、外延片、SOI 硅片（絕緣體上硅）等類型。

日本的信越（Shin?Etsu）、勝高（SUMCO），中國(guó)臺(tái)灣的環(huán)球晶圓股份有限公司，德國(guó)的世創(chuàng)（Siltronic）和韓國(guó)的 SK Siltron 這 5 家企業(yè)占據(jù)了全球硅片市場(chǎng) 85% 的份額，其中信越和勝高 2 家企業(yè)的市場(chǎng)占比達(dá) 50% 以上。2024 年，中國(guó) 150 mm 及以下集成電路硅片已經(jīng)完全國(guó)產(chǎn)化；200 mm 硅片被本土芯片廠商的接受程度在進(jìn)一步提升，已獲得約 70% 的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額；300 mm 集成電路硅片的國(guó)產(chǎn)化正在加速，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)約 55% 已經(jīng)由國(guó)產(chǎn)硅片替代使用，特別是 300 mm 存儲(chǔ)芯片用硅片基本可以實(shí)現(xiàn)自主供應(yīng)。但是多晶硅的 70%、拋光機(jī)的 70%、拋光墊和漿料的 90% 依賴進(jìn)口。

目前，國(guó)內(nèi)主要的 12 英寸硅片廠家有西安奕斯偉材料科技股份公司、杭州立昂微電子股份有限公司、上海硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)股份有限公司及中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體科技股份有限公司。2024 年，西安奕斯偉材料科技股份公司硅片產(chǎn)能達(dá)到 71 萬片/月，全球市占率 6%（測(cè)試片占 50%），排名第 6 位。山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司在碳化硅襯底制造市場(chǎng)中占 22.80%，居全球第 2 位。江蘇南大光電材料股份有限公司實(shí)現(xiàn)了 ArF 光刻膠（28 nm 工藝）量產(chǎn)，客戶覆蓋中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技控股有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)），2025 年國(guó)產(chǎn)替代率預(yù)計(jì)突破 30%。晶瑞電子材料股份有限公司在 G 線光刻膠市占率達(dá) 30%；KrF 光刻膠國(guó)產(chǎn)化率達(dá) 42%。

8）存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（dynamic random access memory，DRAM）、NAND 閃存（NAND Flash）、NOR 型閃存（NOR Flash）和存儲(chǔ)器接口等產(chǎn)品。據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（World Semiconductor Trade Statistics Organization，WSTS）統(tǒng)計(jì)，2024 年世界半導(dǎo)體市場(chǎng)總額為 6305.5 億美元，其中存儲(chǔ)器為 1655.16 億美元，占 26.25%。存儲(chǔ)器的市場(chǎng)份額中，DRAM 占 58.26%，NAND Flash 占 41.68% ，是存儲(chǔ)器競(jìng)爭(zhēng)的主要賽道。

1976 年，北京大學(xué)王陽元團(tuán)隊(duì)研制成功的硅柵 N 溝道 1024 位金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）DRAM 比日本電氣股份有限公司（NEC）于 1973 年研制的 1024 位 MOS DRAM（型號(hào) μPD404）僅晚了 3 年，一舉打破了西方封鎖，成為繼美、日之后的第 3 個(gè)擁有 1024 位 MOS DRAM 的國(guó)家。

其后，由于資金、設(shè)備、人才等因素的制約，加之國(guó)外產(chǎn)品的涌入，中國(guó) DRAM 的研發(fā)和生產(chǎn)一度中止；直至 2004 年，中芯國(guó)際的第一款產(chǎn)品 64 Mb 的 DRAM 交付用戶。但由于中芯國(guó)際轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠（Foundry），DRAM 的研發(fā)與生產(chǎn)再度中止。

自 1976 年中國(guó)第一款 DRAM 誕生后的 40 年，長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司（長(zhǎng)鑫科技）于 2016 年成 立，彌補(bǔ)了中國(guó) DRAM 研發(fā)和生產(chǎn)的空白。作為集設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)一體的垂直整合制造（IDM）廠商，2019 年，長(zhǎng)鑫科技推出了自主設(shè)計(jì)生產(chǎn)的 8Gb DDR4 產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了中國(guó)大陸 DRAM 產(chǎn)業(yè)“從 0 到 1”的突破。目前，該企業(yè)已通過“跳代研發(fā)”策略，完成了從第一代工藝技術(shù)平臺(tái)到第四代工藝技術(shù)平臺(tái)的量產(chǎn)，以及 DDR4、LPDDR4X 到 DDR5、LPDDR5/5X 等產(chǎn)品的覆蓋和迭代。2024 年，三星電子（SAMSUNG Electronics）、SK 海力士（Hynix）和美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）在全球 DRAM 市場(chǎng)占有率 分別為 40.49%、29.38% 和 22.93%，長(zhǎng)鑫科技為 4%，成為全球第 4 的 DRAM 制造商。作為全球 DRAM 市場(chǎng)的后起之秀，長(zhǎng)鑫科技一直致力于通過加大研發(fā)資源投入和自主技術(shù)創(chuàng)新，在 DRAM 產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝測(cè)試、模組設(shè)計(jì)與應(yīng)用等各業(yè)務(wù)環(huán)節(jié)構(gòu)建了全面、完善的核心技術(shù)體系，主要核心技術(shù)已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)也是一家集芯片設(shè)計(jì)、研發(fā)制造、封裝測(cè)試及系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品于一體的存儲(chǔ)器 IDM 企業(yè)，2024 年實(shí)現(xiàn)了 294 層 3D NAND 閃存量產(chǎn)，月產(chǎn)能達(dá)到 30 萬片晶圓，其世界市場(chǎng)份額為 8.6%，位居第 6。長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧 3.0 架構(gòu)率先突破 200 層。日本 鎧俠（KIOXIA）和韓國(guó)三星電子均放棄臨近型外圍電路/置底型外圍電路（PNC/PUC）架構(gòu)，向長(zhǎng)江存儲(chǔ)購買晶棧架構(gòu)專利授權(quán)用于新技術(shù)代開發(fā)。晶棧架構(gòu)在集成電路存儲(chǔ)領(lǐng)域首次實(shí)現(xiàn)中國(guó)技術(shù)反向定義國(guó)際主流技術(shù)路線，引領(lǐng)了國(guó)際 3D NAND 技術(shù)發(fā)展方向。2024 年，全球 NOR Flash 市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 26.99 億美元，兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)股份有限公司以 23% 的全球市場(chǎng)份額居第 2 位。瀾起科技股份有限公司的主要產(chǎn)品是內(nèi)存接口芯片，內(nèi)存擴(kuò)展控制芯片，內(nèi)存模組配套芯片。2024 年，瀾起科技股份有限公司內(nèi)存接口芯片的世界市場(chǎng)份額達(dá) 36.8%，位居全球第 1。其客戶集中于三星電子、SK 海力士、美光科技有限公司這 3 家企業(yè)。

9）進(jìn)出口。中國(guó)集成電路國(guó)產(chǎn)化率逐漸提高，進(jìn)口集成電路開始減少（圖 6）。但是，2024 年中國(guó)集成電路進(jìn)口額為 3857.9 億美 元 ，超過原油進(jìn)口額 3247 億美元，仍位列第 1。2024 年，進(jìn)口集成電路中，處理器（手機(jī)、電腦、 GPU）和控制器占進(jìn)口額的 49.9%，存儲(chǔ)器占 24.1%；進(jìn)口集成電路均價(jià)為 0.69 美元/個(gè)。國(guó)產(chǎn)汽車 95% 的芯片依靠進(jìn)口。90% 以上的存儲(chǔ)芯片依靠進(jìn)口。2024 年，中國(guó)集成電路出口總額為 1595.5 億美元，超過手機(jī)的 1343.6 億美元，成為出口額最高的單一商品，出口集成電路均價(jià) 0.54 美元/個(gè)?？梢钥闯觯瑹o論是進(jìn)口還是出口的集成電路，仍在中、低檔產(chǎn)品的范疇之內(nèi)，尚未突破高端集成電路生產(chǎn)的瓶頸。

圖6 中國(guó)集成電路的進(jìn)口額

（數(shù)據(jù)來源：中國(guó)海關(guān)）

10）投資。國(guó)家大基金一期 1387 億元、二期 2041.5 億元，在支持中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展過程中起到了重要作用，2024 年 5 月 24 日正式成立的第三期大基金 3440 億元即將持續(xù)對(duì)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供鼎力支持。3 期大基金合計(jì)約 967.4 億美元。但是，2024 年，英特爾公司（Intel Corporation）、三星和臺(tái)積電 3 家 1 年的資本支出合計(jì)就達(dá)到 857.8 億美元（圖 7）。三星電子 1 年約 360 億美元的資本支出，接近組建一支航母戰(zhàn)斗群的費(fèi)用（據(jù)美國(guó)國(guó)防部的武器項(xiàng)目成本報(bào)告《SAR》估算一個(gè)航母戰(zhàn)斗群的初始裝備成本約為 375 億美元）。

圖7 Intel、臺(tái)積電和三星的資本支出

（數(shù)據(jù)來源：各公司財(cái)報(bào)）

反觀有限的國(guó)家大基金，要在多少年內(nèi)、由多少企業(yè)來分配這 900 多億美元？在資本的唆使與糖衣炮彈的攻擊中，又如何保證國(guó)家大基金有效地發(fā)揮作用？這是我們必須慎重思考，也要加強(qiáng)管理的課題。

11）小結(jié)。集成電路生產(chǎn)是一項(xiàng)牽涉百種設(shè)備、千種材料、萬種產(chǎn)品的，龐大的、極其復(fù)雜的系統(tǒng)工程，上述現(xiàn)狀梳理只是以管中窺豹的方式對(duì)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中的部分環(huán)節(jié)進(jìn)行概貌性描述，核心結(jié)論為：

（1）在政治、軍事、太空、經(jīng)濟(jì)、文化、社會(huì)、網(wǎng)絡(luò)等涉及《中華人民共和國(guó)國(guó)家安全法》規(guī)定的國(guó)家安全領(lǐng)域，中國(guó)已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn) 100% 自主制造、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的芯片，筑牢了國(guó)家安全的底線；

（2）≥ 28 nm 成熟工藝的中低端芯片占世界市場(chǎng)的 80%，中國(guó)≥28 nm 芯片產(chǎn)能占該世界市場(chǎng)的 33%，且芯片的設(shè)計(jì)與制造均不受制約；

（3）在攀登集成電路產(chǎn)業(yè)頂峰的征途中，中國(guó)已經(jīng)登上了進(jìn)入世界前 10 的“第一臺(tái)階”（表 1），并在這個(gè)臺(tái)階上建立了繼續(xù)攀登的“大本營(yíng)”。

表1 中國(guó)集成電路公司主要領(lǐng)域及世界排名

4.2.2 中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)存在的主要問題

1）小、散、弱同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)內(nèi)卷嚴(yán)重。小而散是中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的痼疾。EDA企業(yè)逾百家，封測(cè)企業(yè) 116 家，晶圓制造設(shè)備企業(yè) 185 家，封裝設(shè)備企業(yè) 224 家。設(shè)計(jì)企業(yè) 3626 家，銷售額小于 1000 萬 元的企業(yè) 1769 家，人數(shù)少于 100 人的小微企業(yè)占總 數(shù)的 87.9%。其根源是“寧為雞頭，不為牛尾”“小富即安”的小農(nóng)經(jīng)濟(jì)文化延續(xù)。當(dāng)然，在市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)中，很難實(shí)施對(duì)小微企業(yè)的強(qiáng)行并購，但占 87.9% 的小微企業(yè)“優(yōu)不勝，劣不汰”的結(jié)果就是因內(nèi)卷而產(chǎn)生內(nèi)耗，占據(jù)了眾多的公共資源，也分散了眾多的公共資源。小微企業(yè)綁在一起也不可能與英偉達(dá)、高通、新思科技、楷登這樣的集團(tuán)軍正面交鋒，散沙難以相聚成塔。

2）上下游企業(yè)之間欠缺容錯(cuò)、試錯(cuò)機(jī)制。EDA 工具要經(jīng)過設(shè)計(jì)企業(yè)使用才能逐漸成熟，與制造企業(yè)合作才能創(chuàng)造更多可以復(fù)用的知識(shí)產(chǎn)權(quán)（intellectual property，IP）；新的設(shè)備、新的材料要經(jīng)過生產(chǎn)線批量生產(chǎn)的考驗(yàn)才能逐步穩(wěn)定運(yùn)行與可靠供貨；設(shè)計(jì)的新產(chǎn)品要在整機(jī)上經(jīng)過反復(fù)試用才能改進(jìn)其性能。這期間的容錯(cuò)、試錯(cuò)是不可回避的過程，然而這一過程都需要付出成本，成本的增加有可能成為加速產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化的障礙。尤其是當(dāng)某一產(chǎn)品不受制約，可以從國(guó)際市場(chǎng)上采購時(shí)，由于供方與客戶之間所產(chǎn)生的黏性和已經(jīng)建立的生態(tài)關(guān)系，使得能夠國(guó)產(chǎn)化的產(chǎn)品更是難以在市場(chǎng)中殺出一條血路。以汽車電子為例，雖然中國(guó)已經(jīng)成為汽車生產(chǎn)第 1 大國(guó)，占全球市場(chǎng) 66% 的份額，但國(guó)產(chǎn)汽車 95% 的芯片仍依靠進(jìn)口，其中計(jì)算和控制類芯片依賴度高達(dá) 99%，功率和存儲(chǔ)類芯片依賴度達(dá) 92% 。而這些電路的絕大部分國(guó)內(nèi)均可以生產(chǎn)。

3）整合權(quán)威數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)。制定規(guī)劃的第一步是“知己知彼”，“己”和“彼”的直觀表現(xiàn)是數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)的權(quán)威與否在于統(tǒng)計(jì)對(duì)象的設(shè)定和統(tǒng)計(jì)方法的運(yùn)用。由于統(tǒng)計(jì)對(duì)象和統(tǒng)計(jì)方法的差異，不同的統(tǒng)計(jì)單位也會(huì)產(chǎn)生不同的數(shù)據(jù)。全球宏觀數(shù)據(jù)（如 GDP）一般以世界銀行、IMF 和國(guó)家統(tǒng)計(jì)局的數(shù)據(jù)庫為準(zhǔn)。世界半導(dǎo)體行業(yè)數(shù)據(jù)一般以美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（Semiconductor Industry Association，SIA）、WSTS、IC Insight、Gartner 所公布的數(shù)據(jù)作為參考。

中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)公布數(shù)據(jù)的權(quán)威部門是中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、工業(yè)和信息化部及海關(guān)總署。有以下問題需要解決。

（1）可以公開、共享、連續(xù)的宏觀數(shù)據(jù)。對(duì)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)，有相關(guān)政府部門、各部門行業(yè)協(xié)會(huì)，也有眾多咨詢公司和顧問公司將數(shù)據(jù)變?yōu)榧堎|(zhì)、售價(jià)高企的“研究報(bào)告”。不反對(duì)將數(shù)據(jù)分析轉(zhuǎn)化為利益，但某些可以公開、共享的數(shù)據(jù)也不應(yīng)轉(zhuǎn)變?yōu)槟承┢髽I(yè)的私有財(cái)產(chǎn)。從世界銀行官網(wǎng)可以查到歷年世界及各大洲的 GDP 數(shù)據(jù)，但要進(jìn)一步查找各國(guó)的數(shù)據(jù)就需要成為注冊(cè)會(huì)員。同樣，在 WSTS 官網(wǎng)上可以查到世界半導(dǎo)體總銷售額的數(shù)據(jù)，但月度數(shù)據(jù)或增長(zhǎng)率就只有 PDF 格式圖片，若查找各國(guó)具體數(shù)據(jù)，也需要注冊(cè)成為會(huì)員，并交納相關(guān)費(fèi)用。

（2）明確“中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)與市場(chǎng)”的定義。WSTS 對(duì)世界半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的定義很簡(jiǎn)單，即所有總部所在地企業(yè)當(dāng)年銷售總額之和（所有海外建設(shè)的企業(yè)銷售額一概并入總部所在地企業(yè)的銷售總額，如 SK 海力士（無錫）產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司、三星半導(dǎo)體（西安）有限公司的銷售額并入總部在韓國(guó)的海力士、三星的銷售額）。把上述單個(gè)企業(yè)的銷售額累加，最后形成世界數(shù)據(jù)。中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的統(tǒng)計(jì)是設(shè)計(jì)、制造、封裝三業(yè)之和，制造與封裝的產(chǎn)值在最終產(chǎn)品的價(jià)值中就產(chǎn)生了重復(fù)統(tǒng)計(jì)，始終與國(guó)際數(shù)據(jù)不能接軌。中國(guó)集成電路市場(chǎng)的真實(shí)規(guī)模，目前仍是待解之謎。進(jìn)口電路中，有多少集成電路用于中國(guó)的整機(jī)制造，復(fù)又隨整機(jī)出口；有多少集成電 路用于國(guó)內(nèi)整機(jī)，并在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)“消費(fèi)”；而國(guó)內(nèi)企業(yè)生產(chǎn)的集成電路有多少由國(guó)人消費(fèi)，多少出口，似乎沒有人說得清。

另外，行業(yè)協(xié)會(huì)將所有在本土建設(shè)的企業(yè)銷售額，包括外企在國(guó)內(nèi)建設(shè)的公司的銷售額都統(tǒng)計(jì)在中國(guó)的產(chǎn)業(yè)銷售額之內(nèi)，如 SK 海力士（無錫）產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司等的營(yíng)收就被國(guó)內(nèi)、國(guó)外統(tǒng)計(jì)了 2 次。綜上，中國(guó)權(quán)威主管部門需要明確中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)和市場(chǎng)的定義，并以此作為今后制定規(guī)劃和指導(dǎo)企業(yè)發(fā)展的統(tǒng)一依據(jù)。

4）制定產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。僅以設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)為例。半導(dǎo)體設(shè)備及零部件標(biāo)準(zhǔn)體系存在 3 大缺陷，制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展：

（1）基礎(chǔ)性標(biāo)準(zhǔn)難滿足先進(jìn)制程（如極紫外光刻）對(duì)精度、純度、可靠性的嚴(yán)苛要求，缺乏前瞻性專屬規(guī)范，導(dǎo)致研發(fā)方向不明、性能評(píng)估失準(zhǔn)；

（2）新型特種零部件（耐等離子體部件、精密陶瓷件）缺乏細(xì)化性能與壽命標(biāo)準(zhǔn)；設(shè)備協(xié)同控制及自動(dòng)化集成等系統(tǒng)級(jí)接口規(guī)范缺失，制約良率優(yōu)化；

（3）現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)多定性描述，缺乏高精度量化指標(biāo)及極端工況測(cè)試方法，導(dǎo)致壽命預(yù)測(cè)失準(zhǔn)、質(zhì)量管控困難。這些問題引發(fā)設(shè)備性能瓶頸、供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)加劇、研發(fā)成本高企、產(chǎn)業(yè)協(xié)同受阻。

5）將“舉國(guó)之力”化為可以具體實(shí)施的舉措。美國(guó)遏制中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展主要是利用 EDA、設(shè)備和材料 3 張牌?！笆逦濉逼陂g應(yīng)首先解決 EDA、極紫外光刻（EUV）和硅片這 3 個(gè)關(guān)鍵問題。“打得一拳開，免得百拳來?！薄芭e國(guó)之力”不應(yīng)是口號(hào)，而應(yīng)該是“十五五”期間必須由國(guó)家層面建立的整合機(jī)制，從而鍛造出真正可以與強(qiáng)手對(duì)壘的“頭部企業(yè)”。

以光刻機(jī)為例，ASML 的 EUV 有 10 萬個(gè)零部件，零部件供應(yīng)商有 5000 家，ASML 不過是集大成者。據(jù)報(bào)道，中國(guó) EUV 的激光光源、移動(dòng)平臺(tái)和光學(xué)系統(tǒng)均在不同單位取得突破性進(jìn)展，如何以舉國(guó)之力將其集成，是“十五五”期間必須解決的問題。如何創(chuàng)立中國(guó)的 ASML，讓“被集成者”跳出“名利”的藩籬，統(tǒng)一調(diào)度資金和人力資源，是有關(guān)部門應(yīng)立即制定實(shí)施方案的緊急課題。同樣，EDA 和硅片也必須由國(guó)家層面統(tǒng)籌引導(dǎo)，在企業(yè)合作中創(chuàng)造出嶄新的共贏機(jī)制。

5 集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)

就戈登·摩爾（Gordon Moore）最初的論述而言，最低成本下，每 2 年芯片上的晶體管數(shù)增加 1 倍（是 2 年前的 2 倍），或可以表述為：本年每單位價(jià)格所能購買的晶體管數(shù)是前 2 年的 2 倍。實(shí)際上，由于芯片越來越復(fù)雜，制作成本越來越高，這個(gè)“2 倍”的倍數(shù) 越來越低，也就是說，摩爾定律前進(jìn)的腳步越來越遲緩。2014 年每 1 美元所能購買的晶體管數(shù)只與 2012 年相等，這與摩爾最初的論斷已經(jīng)完全相悖，可以認(rèn)為，這是傳統(tǒng)摩爾定律經(jīng)濟(jì)論述上的“終結(jié)”（圖 8）。

圖8 每 1 美元購買的晶體管數(shù)

（資料來源：Great Graphic: Is this the End of Moore’s Law? ?

Marc to Market）

隨著加工線寬越來越小，工藝也越來越復(fù)雜，芯片加工成本也就越來越高。至 28 nm 以后的工藝，每百萬門的成本不降反升，這與 1965 年摩爾最初的論述“集成的晶體管數(shù)超過一定數(shù)量后，成本反而迅速上升”的結(jié)論一致。也就是說，并非在“最低成本下”每 2 年晶體管數(shù)量可以翻一番。可以認(rèn)為，2014 年 20 nm 后，傳統(tǒng)的摩爾定律已經(jīng)終結(jié)（圖9）。

圖9 每百萬門的成本

后摩爾時(shí)代的集成電路將向延續(xù)摩爾、拓展摩爾、超越摩爾和豐富摩爾 4 個(gè)方向發(fā)展（圖10）。

圖10 后摩爾時(shí)代集成電路的發(fā)展方向

1）延續(xù)摩爾。延續(xù)摩爾即在工藝、材料、器件、設(shè)備的不斷創(chuàng)新和完善中，仍以縮小加工尺寸為提高芯片集成度的動(dòng)力，從圖 11 可以看出，Intel 工藝發(fā)展趨勢(shì)線與摩爾預(yù)測(cè)的晶體管數(shù) 2 年翻一番趨勢(shì)線基本平行，故稱為“延續(xù)摩爾”。但自臺(tái)積電采用 FinFET 和 EUV 工藝后，該趨勢(shì)斜率產(chǎn)生了明顯變化（1989—2015 年加工線寬每 2 年縮小 31%，2015—2027 年加工線寬每 2 年縮小 37%）。由于加工線寬的進(jìn)一步縮小，此時(shí)的芯片可以容納更多器件，可以把 CPU、GPU、存儲(chǔ)器接口、調(diào)制解調(diào)器、音頻電路、視頻電路等集成在一個(gè)芯片上的“系統(tǒng)”，因而稱之為“片上系統(tǒng)”，即“System on Chip”（SoC）。SoC 既可以處理數(shù)字信號(hào)、模擬信號(hào)，也可以處理混合信號(hào)和射頻信號(hào)。

圖11 后摩爾時(shí)代集成電路加工尺寸的縮小

（數(shù)據(jù)來源：Transistor count ? Wikipedia，臺(tái)積電制程年鑒?Bing images）

2）拓展摩爾。系統(tǒng)級(jí)封裝（system in package，SiP）是拓展摩爾的發(fā)展方向。它可以將不同功能（處理器、存儲(chǔ)器）、不同材料（硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等）、不同加工線寬（例 3~180 nm）、不同工藝（光電器件、微機(jī)電系統(tǒng)）、不同功率的各種電路、元件、器件，用并列或堆疊（3D）的方式集成在一個(gè)封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)一個(gè)完整的系統(tǒng)功能（圖 12）。當(dāng) SoC 進(jìn)入介觀物理范疇、受物理極限制約時(shí)，SiP 則不會(huì)受此約束。當(dāng)前，Chiplet 是 SiP 技術(shù)的研究熱點(diǎn)之一。

圖12 SiP 示意

3）超越摩爾和豐富摩爾。未來 5 年先進(jìn)邏輯器件的發(fā)展，必須是器件結(jié)構(gòu)、互連、新材料、新工藝以及 EDA 軟件的全方位協(xié)同創(chuàng)新。圍柵晶體管（gate?all?around FET，GAAFET）將取代 FinFET，是未來 5 年內(nèi)先進(jìn)邏輯器件的主流方向。GAAFET 的具體實(shí)現(xiàn)形式主要包括納米片（nanosheet）和叉片（forksheet） 結(jié)構(gòu)。納米片是目前產(chǎn)業(yè)界公認(rèn)的主流 GAAFET 結(jié)構(gòu)。此外，垂直場(chǎng)效應(yīng)晶體管（vertical field effect transistor，VFET）、倒裝堆疊晶體管（flip?FET 或 FFET）和互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（complementary FET，CFET）同是 3D 新器件結(jié)構(gòu)的研究方向（圖 13）。

圖13 3D 晶體管結(jié)構(gòu)示意

其中 FFET 于 2023 年由北京大學(xué)黃如院士團(tuán)隊(duì)在全球范圍內(nèi)首次提出，是當(dāng)前設(shè)備成熟度、工藝成熟度最高的不依賴于 EUV 實(shí)現(xiàn) 3~2 nm 的中國(guó)路徑，有望在全球?qū)崿F(xiàn)技術(shù)引領(lǐng)。該技術(shù)通過在同一晶圓的正反兩面分別形成有源器件與金屬互連網(wǎng)絡(luò)，并通過垂直通孔實(shí)現(xiàn)雙面器件、雙面電路的電源與信號(hào)互連，可將單片晶圓上的晶體管密度提升 50% 以上，并增加芯片的布局布線空間和自由度，可大幅提升芯片集成度。FFET 概念首次發(fā)表于 2024 年超大規(guī)模集成電路（very large scale integration circuit，VLSI）國(guó)際技術(shù)會(huì)議，并在 2025 年 VLSI 國(guó)際技術(shù)會(huì)議上首次發(fā)表了正背面器件驗(yàn)證成果，引起了國(guó)際集成電路產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注（圖14）。

圖14 FFET 的發(fā)展方向

從 FinFET 向 GAA、VFET 和 FFET 的演進(jìn)，以及背部互連技術(shù)的引入，都對(duì)制造工藝提出了前所未有的挑戰(zhàn)。例如，背部供電網(wǎng)絡(luò)（back?side power delivery network，BSPDN）的實(shí)現(xiàn)需要全新的工藝流程，包括精密的晶圓減薄、晶圓鍵合以及背面刻蝕和高精度對(duì)準(zhǔn)等高難度步驟。這些工藝必須確保在不影響晶體管電學(xué)性能的前提下完成。此外，隨著晶體管尺寸的持續(xù)微縮，傳統(tǒng)的銅互連材料已經(jīng)難以滿足需求，需要采用鈷（Co）、釕（Ru）等新型金屬材料作為互連線。這些新材料的導(dǎo)入也需要開發(fā)相應(yīng)的沉積和刻蝕工藝，增加了制造的復(fù)雜性和成本。這就要求做到設(shè)計(jì)與工藝協(xié)同優(yōu)化（design?technology co?optimization，DTCO），系統(tǒng)與工藝協(xié)同優(yōu)化（system?technology co?optimization，STCO）（圖15）。

圖15 IMEC 最新技術(shù)路線圖

（資料來源：根據(jù) IMEC 在 ITF（2017—2020）上發(fā)布的最新路線圖多圖綜合整理）

在 EDA 方面，新的器件架構(gòu)，尤其是垂直堆疊器件，無法直接沿用傳統(tǒng)的平面布局設(shè)計(jì)方法，需要全新的版圖設(shè)計(jì)方法和策略來優(yōu)化晶體管密度。這種根本性的轉(zhuǎn)變對(duì) EDA 平臺(tái)提出了新的要求，需要開 發(fā)能夠支持三維設(shè)計(jì)、雙面互連和復(fù)雜堆疊架構(gòu)的工具和算法，以及 Chiplet 或異構(gòu)集成的 EDA 工具。

在集成電路設(shè)計(jì)中，軟件定義芯片技術(shù)是一種顛覆性的芯片設(shè)計(jì)技術(shù)，通過軟件編程可以實(shí)時(shí)對(duì)芯片功能進(jìn)行靈活配置和動(dòng)態(tài)調(diào)整，成為新一代先進(jìn)芯片架構(gòu)的典型代表。

在智能化需求顯著增長(zhǎng)的背景下，芯片算力越來越大，但數(shù)據(jù)處理能力提升后，數(shù)據(jù)供應(yīng)成了芯片的重要瓶頸。在人工智能應(yīng)用下，有龐大的數(shù)據(jù)量，數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t已經(jīng)成為制約芯片，乃至人工智能系統(tǒng)發(fā)展的關(guān)鍵因素。存算一體技術(shù)通過將計(jì)算和存儲(chǔ)集成到一體的新型芯片設(shè)計(jì)技術(shù)，打破了傳統(tǒng)計(jì)算架構(gòu)中“計(jì)算”和“存儲(chǔ)”分離的模式，減少了數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)單元和計(jì)算單元搬運(yùn)的延遲和功耗開銷。

在硅基之外，將大規(guī)模引入具有優(yōu)異物理特性的新一代半導(dǎo)體材料（如 SiC、GaN），并探索超寬禁帶材料（如 Ga2O3、AlN、BN 等），以應(yīng)對(duì)高壓、高頻、高溫、高功率、光電子等應(yīng)用場(chǎng)景的極限需求。

為了滿足從納米尺度邁向原子級(jí)制造工藝，EUV 將持續(xù)提升光源功率和穩(wěn)定性，發(fā)展更高數(shù)值孔徑光刻機(jī)（high?NA EUV），并配套開發(fā)更精密的掩模版制造與檢測(cè)設(shè)備、新型光刻膠與顯影設(shè)備。

4）投資。隨著集成電路技術(shù)的進(jìn)步，其投資也隨之不斷增長(zhǎng)，持續(xù)、穩(wěn)定、高強(qiáng)度的投資是集成電路技術(shù)進(jìn)步的切實(shí)保障。圖16為不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路設(shè)計(jì)費(fèi)用增長(zhǎng)趨勢(shì)。可以看出，5 nm 集成電路產(chǎn)品是 28 nm 產(chǎn)品設(shè)計(jì)成本的 7.6 倍。設(shè)計(jì)成本中 EDA 軟件占比最高，達(dá) 43%。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷縮小，制造業(yè)的投資也在不斷增加。

圖16 主流節(jié)點(diǎn)集成電路的設(shè)計(jì)成本

（資料來源：What’s After FinFETs?（semiengineering.com））

6 對(duì)“十五五”規(guī)劃的思考和建議

6.1 發(fā)展目標(biāo)

（1）按 WSTS 的統(tǒng)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)躋身集成電路產(chǎn)業(yè)強(qiáng)國(guó)前 3 名的行列。

（2）國(guó)民經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域需求的芯片自給率提高到 80%，加強(qiáng)集成電路全產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈的建設(shè)，國(guó)內(nèi)能夠滿足市場(chǎng)需求的、小于 1 美元的中低檔產(chǎn)品逐步減少進(jìn)口或停止進(jìn)口（用于整機(jī)產(chǎn)品加工復(fù)出口產(chǎn)品除外）。

（3）夯實(shí)自主可控的 28 nm 全產(chǎn)業(yè)鏈體系；14 nm 生產(chǎn)鏈能夠穩(wěn)定生產(chǎn)；初步完成全國(guó)產(chǎn)化的 7 nm 生產(chǎn)線建設(shè)及試運(yùn)行。

（4）建設(shè)最先進(jìn)工藝能力的公共平臺(tái)來研發(fā)驗(yàn)證最新器件結(jié)構(gòu)、工藝（邏輯、存儲(chǔ)、光電、異構(gòu)集成等）、裝備、零部件、材料、EDA 軟件等。成熟的新結(jié)構(gòu)器件迅速擴(kuò)大產(chǎn)能。

（5）在基礎(chǔ)研究領(lǐng)域，原始創(chuàng)新能更多地涌現(xiàn)，在新器件結(jié)構(gòu)、新材料、新工藝研發(fā)和生產(chǎn)的某些領(lǐng)域引領(lǐng)世界發(fā)展潮流。

6.2 建議實(shí)施的舉措

1）研究制定有利于企業(yè)整合、并購的政策，集中各種資源創(chuàng)建與世界產(chǎn)業(yè)巨頭比肩的頭部企業(yè)，將“各自為戰(zhàn)”變?yōu)椤皥F(tuán)隊(duì)作戰(zhàn)”。以舉國(guó)之力攻克最重要的材料（硅圓片、電子氣體）、設(shè)備（曝光機(jī)）難關(guān)，努力提高國(guó)產(chǎn) EDA 軟件的系統(tǒng)集成水平，擴(kuò)大其在國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)的占有率。

2）研究制定有利于各生產(chǎn)環(huán)節(jié)上下游之間容錯(cuò)、試錯(cuò)和驗(yàn)證的機(jī)制與鼓勵(lì)措施，通過國(guó)產(chǎn)化應(yīng)用的補(bǔ)貼、保險(xiǎn)等方式，加速已研制成功產(chǎn)品的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，縮短國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品進(jìn)入大生產(chǎn)線的時(shí)間。

3）持續(xù)加大對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)的投資力度，一是在世界半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)率下降的低谷期進(jìn)行投入，二是要加強(qiáng)創(chuàng)新投入，尤其是對(duì)基礎(chǔ)研究、不求短期回報(bào)的投入。要加強(qiáng)對(duì)國(guó)家投資的調(diào)控能力，必須將有限的資金在有限的時(shí)間和有限的空間內(nèi)集中使用，切不可在地域或部門的利益分配中，造成資金的游移、分散和遲延。要加大對(duì)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的投資強(qiáng)度和集中度，通過稅收、補(bǔ)貼等政策支持和制度設(shè)計(jì)加強(qiáng)對(duì)投資的計(jì)劃制定和監(jiān)管。

4）基礎(chǔ)研究要提前 10 年部署。以性能功耗比作為標(biāo)尺，以 3D 集成為發(fā)展方向，沉下心來進(jìn)行器件結(jié)構(gòu)、材料、EDA 算法等基礎(chǔ)研究工作，使其能夠產(chǎn)生革命性的創(chuàng)新成果。要擴(kuò)展研究成果轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)力的渠道，縮短研究成果轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)力的時(shí)間，使其在產(chǎn)業(yè)發(fā)展中產(chǎn)生價(jià)值，同時(shí)要注重科研成果的知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)工作。

5）加強(qiáng)國(guó)際合作，對(duì)于一般材料和設(shè)備的研發(fā)或采購，要融入國(guó)際產(chǎn)業(yè)鏈和生態(tài)鏈，構(gòu)建國(guó)內(nèi)國(guó)際雙循環(huán)的發(fā)展格局。

6）加大人才培養(yǎng)力度和吸引力。支持骨干企業(yè)和高校聯(lián)合，以市場(chǎng)和企業(yè)需求為導(dǎo)向，培養(yǎng)產(chǎn)業(yè)急需人才，使北京大學(xué)軟件與微電子學(xué)院等單位充分發(fā)揮人才培養(yǎng)示范作用。對(duì)企業(yè)開展的師資、課程體 系、教材、實(shí)踐基地等支撐能力建設(shè)給予一定額度的補(bǔ)貼。對(duì) EDA、材料等基礎(chǔ)支撐產(chǎn)業(yè)從業(yè)人員在個(gè)人所得稅減免、落戶、子女入學(xué)等方面給予政策傾斜，增強(qiáng)行業(yè)對(duì)人才的吸引力。在深化產(chǎn)教融合中，要優(yōu)化課程模塊化設(shè)計(jì)，推進(jìn)多學(xué)科交叉培養(yǎng)，培育復(fù)合型創(chuàng)新人才。要構(gòu)建創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)孵化體系，培養(yǎng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)業(yè)力量，同時(shí)注重國(guó)際化培養(yǎng)，開展國(guó)際交流合作。

6.3 結(jié)論

今后 5 年，中國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè)將會(huì)是“臥薪嘗膽”的 5 年；是丟掉幻想、準(zhǔn)備斗爭(zhēng)的 5 年；是扎穩(wěn)中端腳跟、夯實(shí)內(nèi)循環(huán)市場(chǎng)的 5 年；是尊重科學(xué)規(guī)律、潛心基礎(chǔ)研究“磨一劍”的 5 年。既然核心技術(shù)買不來、要不來、討不來，那就只能“干出來”。中國(guó)芯，前進(jìn)的道路上有落石、有陷阱、有荊棘、有蛇蝎，但是沒有任何障礙能夠阻擋中華民族崛起的步伐，已經(jīng)點(diǎn)燃的中國(guó)芯火炬正在撕開黑暗勢(shì)力編織的鐵幕，照亮了中華民族前進(jìn)的征途。已經(jīng)站起來、富起來的中國(guó)必將在強(qiáng)起來的道路上永遠(yuǎn)闊步前進(jìn)。

本文作者：王陽元，卜偉海，于燮康，王潤(rùn)聲，王永文，劉偉平，楊德仁，嚴(yán)曉浪，陳南翔，張興，趙晉榮，康勁，魏少軍

文章來 源 ： 王陽元, 卜偉海, 于燮康, 等. 構(gòu)建自主可控的集成電路產(chǎn)業(yè)體系——“十五五”期間對(duì)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的思考與建議[J]. 科技導(dǎo)報(bào), 2026, 44(3): 34?49 .

文章轉(zhuǎn)載自“科技導(dǎo)報(bào)”微信公眾號(hào)