1、核電：全球在建核電裝機(jī)容量創(chuàng)40年來新高

據(jù)媒體報(bào)道，國際能源署署長法提赫·比羅爾近日表示，目前全球在建核電裝機(jī)容量已達(dá)約70吉瓦，創(chuàng)40年來新高。

西南證券表示，基于國際原子能機(jī)構(gòu)（IAEA）的預(yù)測，全球核電裝機(jī)容量預(yù)計(jì)到2050年將達(dá)到561GW（低值預(yù)測）至992GW（高值預(yù)測），比2024年分別增加48.8%和163.1%。全球核電行業(yè)正迎來新一輪發(fā)展機(jī)遇期。在能源安全、低碳轉(zhuǎn)型和AI算力需求等多重因素驅(qū)動下，核電作為穩(wěn)定、高效的清潔基荷電源，其戰(zhàn)略價(jià)值被重新評估。

A股上市公司方面

融發(fā)核電：公司具有四代高溫汽冷堆/蒸汽發(fā)生器鍛件材料制造技術(shù)、四代快堆蒸發(fā)器管板鍛件材料制造技術(shù)，在四代核電產(chǎn)業(yè)等前沿技術(shù)上已有技術(shù)儲備和戰(zhàn)略布局。

百利電氣：公司控股子公司蘇州貫龍電磁線有限公司新一代核耐高溫電磁線已完成研發(fā)并交付客戶，控股子公司遼寧榮信興業(yè)電力技術(shù)有限公司參與國際熱核聚變實(shí)驗(yàn)堆ITER項(xiàng)目無功補(bǔ)償及濾波設(shè)備設(shè)計(jì)制造。

2、碳化硅：三星電子計(jì)劃第三季度量產(chǎn)SiC功率半導(dǎo)體樣品

三星電子計(jì)劃于今年第三季度量產(chǎn)SiC（碳化硅）功率半導(dǎo)體樣品，該公司近期已訂購原材料和組件。據(jù)悉，三星電子將量產(chǎn)的首款樣品是一款平面SiC MOSFET。MOSFET是一種用于開關(guān)和放大電子信號的晶體管。

碳化硅（SiC）器件具備耐高壓、低損耗和高頻三大優(yōu)勢，可以滿足高溫、高壓、大功率等條件下的應(yīng)用需求。當(dāng)前功率碳化硅器件仍主要應(yīng)用于新能源市場，包括新能源車、光伏及儲能逆變器以及充電樁、風(fēng)電等高壓滲透率較高的領(lǐng)域。

五礦證券認(rèn)為，需求端的全面爆發(fā)推動行業(yè)規(guī)?？焖贁U(kuò)張，預(yù)計(jì)2027年碳化硅襯底供需緊平衡，甚至存在出現(xiàn)產(chǎn)能供應(yīng)緊張的可能性；2030年，全球1676萬片的襯底需求量，較2025年的供給，存在約1200萬片的產(chǎn)能缺口。

A股上市公司中

天岳先進(jìn)：公司在8英寸襯底上進(jìn)行了前瞻性布局，已經(jīng)具備先發(fā)優(yōu)勢和領(lǐng)先地位。公司不僅實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅襯底國產(chǎn)化替代，公司8英寸碳化硅襯底已經(jīng)率先實(shí)現(xiàn)海外客戶批量銷售。根據(jù)權(quán)威行業(yè)調(diào)研機(jī)構(gòu)日本富士經(jīng)濟(jì)報(bào)告測算，2024年全球?qū)щ娦吞蓟枰r底材料市場占有率，天岳先進(jìn)穩(wěn)居全球前三。

中瓷電子：公司是擁有氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、碳化硅功率模塊及其應(yīng)用、電子陶瓷等核心業(yè)務(wù)能力的高科技企業(yè)，碳化硅業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)8英寸工藝升級，未來將切入更高壓等級應(yīng)用。