一款全新的芯片正式亮相，它不僅是全球首款基于二維半導體材料的32位處理器，更直接打破了困擾行業(yè)多年的摩爾定律物理極限，讓相關領域的科研者都為之震動。

這款芯片的誕生，背后是一支團隊五年的默默攻關，更是一次從材料到架構的全鏈條突破，它的出現，到底意味著什么？

長期以來，全球半導體行業(yè)都在跟著摩爾定律往前走，簡單說就是芯片上的晶體管數量每兩年翻一番，性能也隨之提升。

但隨著技術不斷推進，傳統硅基芯片遇到了繞不開的難題——當晶體管尺寸縮小到5納米以下，就會出現漏電、散熱困難等問題，再想提升集成度，幾乎難如登天。

為了突破這個瓶頸，全球科研機構都把目光投向了二維半導體材料。這種材料只有單個原子層厚度，天生具備無懸掛鍵的表面，能讓載流子在平面內無損輸運，是公認的后摩爾時代破局關鍵。

但難題在于，把這種原子級厚度的材料組裝成完整的集成電路，難度極大。

在此之前，國際上最高的二維半導體數字電路集成度，只有115個晶體管，是奧地利維也納工業(yè)大學團隊在2017年實現的，且無法實現穩(wěn)定的系統級運行。

如何將原子級精密元件組裝成完整的集成電路系統，受制于工藝精度與規(guī)模勻性的協同良率控制，這成為全球科研界的共同難題。

直到復旦團隊的成果問世，這個僵局才被打破。

“無極”芯片的研制，遠比想象中艱難。二維半導體材料的特性，決定了它的制造過程不能沿用傳統硅基芯片的工藝。

傳統硅基芯片制造好比在石頭上雕刻，而二維芯片就像是在豆腐上雕花，必須用更溫和、更精細的工藝，稍有不慎就會損壞超薄的材料。

團隊首先要解決的，就是二維材料的生長難題。二維材料無法像硅晶圓那樣通過直拉法生長出高質量的大尺寸單晶，只能通過化學氣相沉積法生長，這就容易導致材料本身出現缺陷和不均勻性，直接影響芯片質量。

為了攻克這個問題，團隊創(chuàng)新采用了“原子級界面精準調控+全流程AI算法優(yōu)化”的雙引擎模式。他們收集了大量工藝參數數據，讓AI模型篩選最優(yōu)的工藝配方，把原本需要大量試錯的研發(fā)過程，效率提升了數十倍。

這種方式不僅解決了材料生長的均勻性問題，還讓芯片核心部件反相器的良率達到了99.77%，具備單級高增益和關態(tài)超低漏電的優(yōu)異性能。

在工藝選擇上，團隊采用柔性等離子處理等低能量工藝，避免高能粒子對二維半導體表面造成損害，充分發(fā)揮出材料的優(yōu)勢。

同時，他們還兼顧了產業(yè)化的可行性，芯片集成工藝中，70%左右的工序可以直接沿用現有硅基產線的成熟技術，剩下的核心特色工藝，也已積累了20余項發(fā)明專利，為后續(xù)落地鋪平了道路。

芯片架構上，團隊選擇了開源的RISC-V架構，這種架構無需依賴封閉架構，對接全球技術標準的同時，還能自主構建用戶生態(tài)，避免了受制于國外廠商的架構和IP專利。

經過測試，“無極”芯片在1kHz時鐘頻率下，能串行實現37種32位RISC-V指令，滿足32位RISC-V整型指令集要求，不僅能進行簡單邏輯運算，還能執(zhí)行復雜的指令集。

很多人可能會問，這款芯片到底有什么實際價值？它的突破，絕不僅僅是一項科研成果那么簡單，更為全球半導體行業(yè)提供了一條全新的發(fā)展路徑。

從性能來看，“無極”芯片雖然目前采用的是微米級工藝，但功耗已經與納米級硅基芯片相當，未來如果接入更好的光刻設備，功耗還能進一步降低。

這意味著它在低功耗場景中有著天然優(yōu)勢，比如物聯網設備、邊緣算力、AI推理，以及無人機、可穿戴設備等需要長期續(xù)航的產品，都能發(fā)揮其特長。

這款芯片的全鏈條自主研發(fā)，讓相關領域在二維半導體賽道上占據了先發(fā)優(yōu)勢。

目前，英特爾、三星、臺積電等國際半導體巨頭，都已將二維半導體列為1納米節(jié)點后的核心技術方向，而復旦團隊的突破，讓我們在這一領域實現了與國際同行并駕齊驅，甚至在部分性能上實現領先。

2026年1月，國內首條二維半導體工程化示范工藝線在上海浦東正式點亮，首批驗證產品順利推出，標志著這項技術已經具備從科研走向規(guī)模化制造的基礎條件。

不過客觀來說，“無極”芯片目前還處于概念驗證原型階段，整體性能與商用芯片還有差距，暫時不具備市場優(yōu)勢。

團隊下一步的計劃，是進一步提高芯片集成度，搭建穩(wěn)定的工藝平臺，為后續(xù)開發(fā)具體應用產品打下基礎。

回顧全球半導體行業(yè)的發(fā)展，每一次材料和技術的突破，都會帶來行業(yè)的洗牌。

摩爾定律的逼近，讓整個行業(yè)陷入了“無路可走”的困境，而二維半導體的出現，以及“無極”芯片的誕生，無疑為行業(yè)打開了一扇新的大門。

這項突破的意義，不在于一蹴而就實現芯片行業(yè)的全面超越，而在于它打破了技術壟斷的可能，走出了一條自主創(chuàng)新的道路。

它證明了在新興半導體材料領域，我們有能力實現從材料生長到芯片集成的全鏈條突破，有能力在全球競爭中搶占制高點。

在全球半導體領域競爭日益激烈的背景下，每一項核心技術的突破，都值得我們重視。

未來，隨著二維半導體技術的不斷成熟，它或許會與硅基芯片形成長期共存、應用互補的局面，在更多前沿領域發(fā)揮作用。

而這次突破，只是一個開始，后續(xù)還會有更多的技術難題需要攻克，更多的創(chuàng)新成果等待出現。