高空穴遷移率實現(xiàn)，氮化鎵有望賦能量子與低溫電子。

這是一項有望重塑半導(dǎo)體技術(shù)未來的里程碑式突破：研究人員在氮化鎵（GaN） 這種寬禁帶半導(dǎo)體材料中實現(xiàn)了異常高的空穴遷移率。氮化鎵以往主要用于固態(tài)照明和高性能射頻電子器件，而此次進(jìn)展將為探索 p 型摻雜、量子振蕩現(xiàn)象開辟全新路徑，并最終有望開創(chuàng)低溫氮化鎵互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）器件的先河。該突破的關(guān)鍵，是在氮化鎵 / 氮化鋁（GaN/AlN）界面構(gòu)建出了極化誘導(dǎo)的二維空穴氣（2DHG）。

長期以來，氮化鎵在電子器件中的應(yīng)用一直受到p 型摻雜難題的嚴(yán)重制約。在氮化鎵中，電子傳輸已被充分理解并高效利用，但空穴傳輸卻受制于低效的摻雜技術(shù)和本征低遷移率。這種低遷移率使得研究人員難以通過舒布尼科夫–德哈斯振蕩等手段探究量子輸運現(xiàn)象、繪制價帶結(jié)構(gòu)。而近期在 p 型氮化鎵中成功觀測到這類量子振蕩，標(biāo)志著該領(lǐng)域取得重大飛躍 —— 這一目標(biāo)此前一直難以實現(xiàn)。

研究團隊設(shè)計了一種異質(zhì)結(jié)構(gòu)，利用GaN/AlN 界面的本征電極化效應(yīng)，誘導(dǎo)出高度局域化的二維空穴氣。這些空穴分布在氮化鎵的兩個不同價帶中：輕空穴帶（LH） 與 重空穴帶（HH）。兩個價帶均被空穴簡并占據(jù)，且遷移率差異顯著：在約 2 K 的低溫下，輕空穴遷移率高達(dá) 2000 cm2·V?1·s?1，重空穴遷移率約為 400 cm2·V?1·s?1。

這些遷移率數(shù)值較以往報道的氮化鎵空穴遷移率有顯著提升，為研究空穴動力學(xué)提供了前所未有的實驗平臺。利用兩個價帶各自對應(yīng)的特征量子振蕩，研究團隊精確獲得了輕、重空穴的面密度、量子散射時間及有效質(zhì)量。這些深入認(rèn)識對推動價帶工程至關(guān)重要，也是將氮化鎵應(yīng)用于下一代電子器件的關(guān)鍵。

舒布尼科夫–德哈斯振蕩 —— 材料在強磁場下電阻發(fā)生的振蕩現(xiàn)象 —— 是探測電子結(jié)構(gòu)的有力手段。在氮化鎵二維空穴氣中觀測到該振蕩，證明了異質(zhì)結(jié)構(gòu)的高質(zhì)量，以及體系中空穴的高遷移率與相干性。輕空穴與重空穴振蕩信號的清晰分辨，充分證實：如今已能極高精度地實驗表征氮化鎵的價帶結(jié)構(gòu)。

這一突破對低溫電子學(xué)發(fā)展意義重大，尤其對量子計算控制系統(tǒng)。憑借寬禁帶、優(yōu)異熱穩(wěn)定性以及如今大幅提升的空穴傳輸能力，氮化鎵器件可在極低溫下高效工作，功耗更低、速度更快，這是傳統(tǒng)硅基器件難以實現(xiàn)的。這些特性對量子計算平臺的規(guī)?；c穩(wěn)定性至關(guān)重要。

GaN/AlN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)充分展現(xiàn)了本征極化效應(yīng)在半導(dǎo)體體系中的強大作用。與傳統(tǒng)雜質(zhì)摻雜不同 —— 雜質(zhì)往往因電離雜質(zhì)散射降低遷移率 —— 利用極化誘導(dǎo)電荷可形成極低無序度的二維空穴氣。這一范式轉(zhuǎn)變有望催生全新器件架構(gòu)，使極化工程成為調(diào)控電子特性的核心手段。

此外，在氮化鎵中實現(xiàn)對兩種不同空穴子帶的分離與操控，為研究自旋–軌道相互作用與多體效應(yīng)提供了絕佳機會，這些效應(yīng)正是自旋電子學(xué)與拓?fù)淞孔硬牧系幕A(chǔ)。輕、重空穴帶的簡并占據(jù)意味著器件設(shè)計者可利用能帶混合效應(yīng)與各向異性輸運行為，這些效應(yīng)此前僅停留在理論層面，如今終于可被實驗實現(xiàn)。

該進(jìn)展最令人振奮的一點是：氮化鎵與現(xiàn)有半導(dǎo)體工藝兼容，這為將高遷移率空穴溝道與先進(jìn)電子器件集成提供了可行路徑。這種集成對同時利用電子與空穴的互補邏輯電路至關(guān)重要，有望突破長期以來氮化鎵基CMOS 邏輯僅能依賴電子傳輸?shù)钠款i。

從材料科學(xué)角度，該研究揭示了氮化物半導(dǎo)體中外延應(yīng)變、極化電荷與價帶結(jié)構(gòu)之間的微妙相互作用。對這些參數(shù)的精準(zhǔn)調(diào)控，將使未來人工異質(zhì)結(jié)構(gòu)的輸運特性與量子行為得到精細(xì)設(shè)計，大幅拓展電子與光電子器件的性能設(shè)計空間。

從振蕩數(shù)據(jù)中提取的量子散射時間，也直接反映了空穴氣的本征質(zhì)量與主導(dǎo)散射機制。更長的量子散射時間對應(yīng)更低的無序度與更高的電子態(tài)相干性，這對需要高保真度、長相干時間的量子器件應(yīng)用至關(guān)重要。

這一發(fā)現(xiàn)也重新激發(fā)了學(xué)界對寬禁帶材料中空穴輸運物理的基礎(chǔ)研究興趣。盡管氮化鎵中的電子輸運已被廣泛研究，但空穴一直是充滿挑戰(zhàn)的前沿領(lǐng)域，限制了理論認(rèn)知與實際應(yīng)用。如今能夠?qū)嶒炋綔y空穴子帶及其量子輸運參數(shù)，標(biāo)志著半導(dǎo)體物理學(xué)的重要里程碑。

展望未來，其影響將遠(yuǎn)超量子計算領(lǐng)域：高遷移率p 型氮化鎵層還可能革新功率電子器件，在提升效率與開關(guān)速度的同時降低發(fā)熱。憑借氮化鎵在惡劣環(huán)境下的優(yōu)異穩(wěn)定性，將高空穴遷移率與現(xiàn)有電子遷移率體系結(jié)合，可構(gòu)建高效、可靠的功率晶體管與集成電路。

總而言之，Chang 及其合作者報道的這項突破有力證明：通過 GaN/AlN 界面的極化工程，可制備出支持量子振蕩的高遷移率空穴氣。這為氮化鎵中空穴物理的研究與應(yīng)用打開了全新大門，有望對低溫電子學(xué)、量子技術(shù)與先進(jìn)半導(dǎo)體器件帶來變革性影響。隨著研究人員對這類異質(zhì)結(jié)構(gòu)的持續(xù)探索，氮化鎵中高遷移率空穴的全部潛力，即將開啟電子學(xué)與量子材料科學(xué)的創(chuàng)新新時代。

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