《科創(chuàng)板日報》3月30日訊（記者 陳俊清） 持續(xù)近半年的DRAM單邊上漲行情，在消費級市場迎來拐點。

2026年3月下旬以來，全球消費級DDR5內存價格出現(xiàn)回調，終結了自2025年7月以來的連續(xù)上漲周期，這也是本輪存儲超級周期中，消費級DDR5首次出現(xiàn)明確的月度價格下跌。

然而，這場被裝機用戶熱議的“降價潮”卻呈現(xiàn)出結構性分化。終端零售渠道的拋貨，與DRAM顆粒的較為堅挺定價形成對比。多方數(shù)據顯示，DRAM顆粒與HBM高帶寬內存受AI算力需求支撐價格表現(xiàn)穩(wěn)定，與消費級市場的回調形成反差。

全球市場同步回調

來自硬件價格監(jiān)測機構3DCenter的最新數(shù)據顯示，2026年3月，德國市場DDR5內存零售均價環(huán)比下跌7.2%，價格指數(shù)從2025年7月為基準的440%回落至408%，為連續(xù)8個月上漲后的首次月度下跌。

其中，高端型號跌幅尤為顯著，2×32GB DDR5-6000 CL28旗艦套裝從999歐元降至805歐元，單月跌幅高達19%；主流2×16GB DDR5-5600套裝均價環(huán)比下跌13%。

圖：DDR5內存價格變動走勢 來源：3dcenter

美國市場同步跟進降價，亞馬遜、新蛋等主流電商平臺數(shù)據顯示，海盜船VENGEANCE系列32GB DDR5-6400套裝從490美元的峰值回落至379.99美元，單套降價超110美元，跌幅達22%；Patriot、金士頓等頭部品牌同規(guī)格產品普遍出現(xiàn)15%-21%的價格回調。

國內市場的降價節(jié)奏也較為迅猛?！犊苿?chuàng)板日報》記者注意到，截至今年3月30日，國內某電商平臺主流16GB DDR5 5600/6000MHz單條價格，從今年1-2月1300元左右的峰值回落至1000元附近，主流型號累計跌幅普遍達25%-30%；32GB主流套裝從3800元左右的高位，普遍回落至3200元附近，部分國產型號價格跌破3000元。

值得注意的是，3DCenter的數(shù)據顯示，即便出現(xiàn)大幅回調，當前消費級DDR5內存均價仍較 2025年7月的低位高出308%，僅為極端高位的小幅回落，距離2025年三季度前的正常價格區(qū)間仍有巨大差距。

從供給端來看，天使投資人、人工智能專家郭濤對《科創(chuàng)板日報》記者表示，DDR5內存基本面已出現(xiàn)變化。此前AI算力爆發(fā)，廠商將大量產能轉向HBM，消費級DDR5供給銳減；如今國產產能釋放加上國際大廠產能回流，消費級DDR5供給大幅增加，而需求端因前期高價受到抑制，尚未恢復，供需關系從供不應求轉變?yōu)楣┻^于求，市場從極端的賣方市場向相對平衡狀態(tài)過渡。

谷歌TurboQuant影響范圍有限

中國企業(yè)資本聯(lián)盟副理事長、中國區(qū)首席經濟學家柏文喜對《科創(chuàng)板日報》記者表示，本次DDR5產品回調的導火索為谷歌于3月26日發(fā)布的TurboQuant壓縮算法。

具體來看，谷歌新推出的TurboQuant內存壓縮算法宣稱可以在不損失準確性的前提下，將大型語言模型運行時的鍵值緩存內存占用減少至少6倍。在英偉達H100加速器上，最高可實現(xiàn)約8倍性能提升。

但市場也出現(xiàn)了不同聲音，Quilter Cheviot分析師Ben Barringer近日在參加采訪節(jié)目時表示，TurboQuant只是“漸進式的，而非革命性的”。它只涉及推理，而非訓練，并不會降低對 DRAM芯片的整體需求。最重要的是，這里存在杰文斯悖論：降低AI每次請求的內存占用，意味著我們可以運行更多AI程序。

摩根士丹利分析認為，TurboQuant技術的影響范圍是有限的。它僅作用于推理階段KV緩存，不影響模型權重，也不涉及訓練環(huán)節(jié)。因此，這并不意味著整體存儲需求下降到原來的1/6，而是提升單位硬件效率，讓相同的硬件能處理更長的上下文或服務更多用戶。

此外，摩根士丹利認為，通過大幅降低單次查詢的服務成本，TurboQuant能夠讓原本只能在云端昂貴集群上運行的模型遷移至本地，有效降低AI規(guī)模化部署的門檻，這可能反而能進一步提振整體需求。

DRAM顆粒端的價格波動幅度較小 短期回調難改長期分化

前期囤貨資金被迫拋售和新產能集中釋放，也是導致DDR5內存價格出現(xiàn)回調的主要誘因。

中國企業(yè)資本聯(lián)盟副理事長、中國區(qū)首席經濟學家柏文喜認為，2025年下半年至2026年初，內存價格暴漲超300%，吸引大量圈外資本和經銷商囤貨。當32GB套裝價格突破450美元時，終端需求被徹底抑制，DIY市場銷量暴跌超60%。高價導致庫存周轉停滯，資金鏈壓力迫使商家恐慌性拋貨，形成"價格下跌—拋售加劇"的負反饋。此外，海外原廠2026年第一季度規(guī)劃的新增產能集中投產，有效補充消費級內存供應缺口。

《科創(chuàng)板日報》記者注意到，三星、SK海力士和美光科技三大海外原廠都在積極進行擴產，提升HBM供給，維持DRAM原有收縮策略，這也導致DRAM顆粒價格仍然較為堅挺。

SK集團董事長崔泰源在今年3月17日舉行的GTC大會上表示，由于芯片生產存在系統(tǒng)性瓶頸，全球內存芯片短缺的情況很可能持續(xù)到2030年。其預計DRAM、NAND和HBM等各類存儲芯片的價格將持續(xù)上漲，漲勢可能會持續(xù)較長時間；美光在2026財年Q2財報會議上表示，將持續(xù)優(yōu)先保障AI相關存儲產能。

有媒體報道稱，三星電子已于2026年2月完成一季度DRAM供貨價格的最終談判，用于服務器、PC及移動端的通用DRAM產品均價較上一季度上漲約100%，價格較2025年四季度翻倍，SK海力士與美光同步跟進了同等幅度的合約價漲幅。

從今日（3月30日）DRAM顆粒現(xiàn)貨價格來看，其走勢并未出現(xiàn)明顯波動。

TrendForce集邦咨詢現(xiàn)貨市場數(shù)據顯示，DDR5 16Gb (2Gx8) 4800/5600，單日價格幅度變動為零，均價仍維持39.458美元的歷史高位，較3月20日有所回升；同期DDR4 16Gb (2Gx8) 3200下跌0.46 %，均價74.341美元；DDR3 4Gb 512Mx8 1600/1866漲幅為0.68 %，達7.425美元。顆粒端的價格波動幅度，與終端零售市場較大幅度的跌幅形成較大反差。

來源：TrendForce集邦咨詢

對于DDR5內存未來的價格走勢，華福證券在近期研報中表示，本輪內存短缺或持續(xù)至2027年。盡管主要DRAM廠商預計2026年產量將增加約26%，NAND產量增加約24%，但包括國內存儲廠商在內供給端的實質性擴張仍需時日。

中國企業(yè)資本聯(lián)盟副理事長、中國區(qū)首席經濟學家柏文喜表示，短期來看，恐慌性拋貨持續(xù)，價格繼續(xù)承壓，但跌幅趨緩。32GB套裝或將回落至2000元附近。中期來看，隨著國產長鑫產能爬坡、新產能進一步釋放，價格有望回歸至2025年7月水平的2-3倍區(qū)間。長期來看，供需缺口逐步收窄，預計2026年底DDR5 16GB單條價格可能回歸理性水平。