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今日，根據(jù)外媒報(bào)道，三星計(jì)劃2030年前實(shí)現(xiàn)1nm制程量產(chǎn)，采用「叉型片」架構(gòu)替代GAA，通過納米片間絕緣層提升電晶體密度，突破物理極限，目標(biāo)爭奪AI芯片與HBM領(lǐng)域話語權(quán)，2025年研發(fā)投入已達(dá)90.4兆韓元，2026年再增22%。
臺(tái)積電則推進(jìn)埃米時(shí)代路線圖，A16制程（2nm家族）2026年下半年量產(chǎn)，A14（1.4nm）2028年投產(chǎn)，搭載超級(jí)電軌技術(shù)的版本2029年推出，旨在通過更高運(yùn)算速度與能效推動(dòng)AI轉(zhuǎn)型，強(qiáng)化終端設(shè)備AI功能。
OpenAI自研ASIC芯片已由博通、Marvell合作開發(fā)，并在臺(tái)積電3nm及A16制程投片。三星同步優(yōu)化現(xiàn)有制程，開發(fā)客制化2nm「SF2T」供應(yīng)特斯拉AI6芯片，預(yù)計(jì)2027年德州新廠量產(chǎn)。
雙方技術(shù)競爭聚焦電晶體密度提升與功耗優(yōu)化，1nm電晶體密度較2nm翻倍，被視為芯片微縮關(guān)鍵里程碑，而AI需求激增正驅(qū)動(dòng)雙方持續(xù)加大資本支出與技術(shù)投入。
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