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SK海力士正在加速努力，以加強(qiáng)其領(lǐng)先的10nm級第六代（1c）DRAM工藝的競爭力。該工藝的極紫外（EUV）設(shè)備投資已從原計劃擴(kuò)大約三倍。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，SK海力士正專注于推進(jìn)1c DRAM技術(shù)，該技術(shù)將應(yīng)用于其第七代高帶寬存儲器（HBM）HBM4E的核心芯片，樣品交付目標(biāo)定在本年度。由于HBM的最大客戶NVIDIA計劃于明年下半年推出搭載HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”，SK海力士正面臨加快開發(fā)速度的壓力。

此前，SK海力士曾將其現(xiàn)有的1b DRAM工藝應(yīng)用于HBM3E和HBM4，同時優(yōu)先將1c工藝用于DDR5、LPDDR5X和GDDR7等大宗DRAM產(chǎn)品。這種策略旨在同時確保HBM開發(fā)的穩(wěn)定性以及領(lǐng)先工藝的參考。最近，隨著1c DRAM良率改善，該公司已擴(kuò)大其在HBM上的應(yīng)用范圍，并增加相關(guān)投資。

SK海力士在2024年8月開發(fā)出16Gb DDR5時，宣稱獲得了1c DRAM工藝技術(shù)的“全球首創(chuàng)”稱號。轉(zhuǎn)向量產(chǎn)后，遇到了良率提升的挑戰(zhàn)，但該工藝相對較快地進(jìn)入了穩(wěn)定階段。

一位業(yè)內(nèi)人士表示：“去年7月時，即使是大宗DRAM而非僅限于HBM，良率也未達(dá)預(yù)期，因此成立了特別工作組（TF）來應(yīng)對。此后情況已大幅改善?！睋?jù)業(yè)內(nèi)人士稱，SK海力士的1c DRAM在大宗DRAM上的良率已攀升至80%。

憑借這一技術(shù)競爭力，1c DRAM的EUV設(shè)備投資也已大幅擴(kuò)大。SK海力士上個月披露，從ASML購入了價值約12萬億韓元的EUV光刻掃描儀。考慮到該公司今年的總設(shè)備投資預(yù)計約為20萬億韓元，超過一半已分配至EUV。

上述人士表示：“據(jù)我了解，這超過公司原定的EUV掃描儀交付計劃三倍以上?！?/p>

SK海力士采購的設(shè)備是ASML最新的EUV掃描儀型號，預(yù)計采購量約為20臺。該合同似乎不包括高數(shù)值孔徑（High-NA）設(shè)備。高NA EUV是一種下一代系統(tǒng)，能夠?qū)崿F(xiàn)比傳統(tǒng)EUV更精細(xì)的電路圖案化，每臺價格約5000億韓元。鑒于披露中提到的設(shè)備交付截止日期為2027年，而高NA尚未進(jìn)入商業(yè)化階段，其大規(guī)模采用的時間表似乎過于緊迫。

EUV掃描儀價格通常在3000-4000億韓元范圍內(nèi)，但此次合同預(yù)計以更高價格成交。分析認(rèn)為，由于生產(chǎn)力提升，最新型號的價格更高。

此外，還有觀察指出，SK海力士支付了15-20%的“加急費(fèi)”以加速設(shè)備交付。該公司預(yù)計將于2027年底從ASML收到EUV掃描儀的最終交付——相比2021年以五年合同采購價值約5萬億韓元同類設(shè)備的時間表，這是一個顯著壓縮的周期。然而，該公司的立場是“該合同以與整個行業(yè)類似水平簽訂，沒有特殊差異”。

SK海力士計劃將EUV掃描儀部署到正在進(jìn)行1c DRAM工藝轉(zhuǎn)換的生產(chǎn)線，包括清州M15X、利川M16以及龍仁半導(dǎo)體集群的第一座工廠。

此外，1c DRAM的EUV應(yīng)用層數(shù)正從1a DRAM的一層和1b DRAM的四層擴(kuò)展至五層或更多。競爭對手三星電子最初曾考慮為1c DRAM應(yīng)用多達(dá)8-9層，但考慮到成本負(fù)擔(dān)等因素，已調(diào)整至類似水平。

與此同時，SK海力士通過此次投資也在加速1c DRAM產(chǎn)能擴(kuò)張。該公司計劃今年將超過一半的DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為1c工藝產(chǎn)品，到年底產(chǎn)能預(yù)計達(dá)到每月約19萬片晶圓。

（來源：編譯自dealsite）

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