本文來源：時代周報 作者：朱成呈

過去幾個月，內(nèi)存條價格一路上漲，被渠道稱為“電子黃金”，“一盒內(nèi)存條價格堪比上海一套房”。但最近，零售市場情緒突然轉(zhuǎn)向。

電商平臺和線下市場頻繁出現(xiàn)“價格跳水”“斷崖暴跌”的說法，并一度登上熱搜。這種來自消費者的體感變化，容易被放大為一個更宏觀的判斷：內(nèi)存價格周期是否已經(jīng)觸頂，甚至開始反轉(zhuǎn)。

但如果將視角切換到產(chǎn)業(yè)鏈上游，這一結(jié)論并不成立。

就在幾天前，三星電子完成第二季度DRAM合約價談判，整體價格較第一季度上漲約30%。而在此前的第一季度，其平均漲幅已接近100%。這一輪調(diào)價不僅覆蓋通用DRAM，也包括高帶寬內(nèi)存（HBM），反映的是全品類價格的平均抬升。

換句話說，在渠道出貨價格下降的同時，原廠價格仍在上行。

這種背離并不罕見。內(nèi)存市場的價格體系，本質(zhì)上分為合約價與現(xiàn)貨價兩套機制：前者由原廠與大客戶談判決定，反映中期供需預(yù)期；后者則更多受到渠道商庫存、情緒與短期需求波動影響。

TrendForce集邦咨詢認為，近期現(xiàn)貨價走弱，反映的是消費型產(chǎn)品無力承受成本而下修生產(chǎn)計劃，通路拋售去庫存因應(yīng)，整體存儲器供應(yīng)短缺現(xiàn)況并未改變。

多項數(shù)據(jù)也印證了這一點。截至3月底，DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示，C端DDR4 8Gb顆粒的固定合約價環(huán)比持平；PCPartPicker數(shù)據(jù)則顯示，近期DDR4與DDR5成品價格并未出現(xiàn)明顯下跌，反而有小幅上行。

圖源：PCPartPicker官網(wǎng)

所謂“暴跌”，更多是發(fā)生在渠道層面的短期波動，而非整個市場的價格塌陷。

從需求端看，當(dāng)前內(nèi)存市場已明顯分化為兩條主線：一是消費電子，二是企業(yè)級基礎(chǔ)設(shè)施。

消費電子領(lǐng)域，蘋果正在瘋狂搶貨。產(chǎn)業(yè)鏈消息顯示，蘋果今年的策略比任何時候都更加激進，正以較高價格鎖定移動DRAM供給，即便因此壓縮部分產(chǎn)品利潤率，也優(yōu)先確保供應(yīng)穩(wěn)定。知名分析師郭明錤指出，在存儲芯片市場格局動蕩的背景下，蘋果可通過承擔(dān)高昂的內(nèi)存成本、犧牲部分產(chǎn)品利潤率來穩(wěn)定自身產(chǎn)品定價，以此擴大市場占有率。

更關(guān)鍵的，是企業(yè)級需求。隨著大模型與云計算基礎(chǔ)設(shè)施持續(xù)擴張，對高帶寬內(nèi)存（HBM）及服務(wù)器DRAM的需求呈現(xiàn)出結(jié)構(gòu)性爆發(fā)。谷歌、微軟等云服務(wù)廠商，正在嘗試與SK海力士簽署多年期供應(yīng)協(xié)議，合同不僅設(shè)定價格下限，還引入預(yù)付款機制。

這意味著，部分需求開始被“提前鎖定”。當(dāng)價格不再完全由市場波動決定，周期的彈性也會被壓縮。

另一方面，需求在大幅增長，供給卻沒有同步釋放。

從供給側(cè)看，全球DRAM市場長期呈現(xiàn)高度集中格局。三星、SK海力士與美光三家廠商，占據(jù)超過90%的產(chǎn)能。三大原廠的資本開支與產(chǎn)能節(jié)奏，幾乎直接決定了行業(yè)供需關(guān)系。

現(xiàn)在三家的共同選擇是擴大投入，例如三星已重啟位于韓國平澤的P5晶圓廠建設(shè)，目標投產(chǎn)時間在2028年前后；SK海力士清州產(chǎn)線于2026年4月開工建設(shè)，預(yù)計于2027年底竣工。龍仁工廠原定于2027年5月投產(chǎn)，現(xiàn)已提前三個月；美光則通過收購力積電廠區(qū)補充制造能力，并強化后段封裝合作。

然而，這些新增產(chǎn)能大致在2027年至2030年才集中釋放，短期內(nèi)供給不會明顯增加。與此同時，三大原廠正主動收縮DDR4產(chǎn)能，加速向DDR5與HBM遷移。制程切換與產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級，帶來階段性的產(chǎn)能空窗期，使得短期供給進一步收緊。這也是近期終端市場出現(xiàn)波動，原廠價格仍能維持上漲的原因。

換句話說，2026年第二季度的內(nèi)存市場，更像是“漲得慢了”，而不是“開始下跌”。

當(dāng)然，這并不意味著內(nèi)存行業(yè)的周期消失。相反，本輪周期正在被“拉長”，其拐點也將由傳統(tǒng)的消費電子需求波動，轉(zhuǎn)向更復(fù)雜的變量所決定。

可以預(yù)見，未來價格回落主要取決于兩個因素。其一，是HBM供給的釋放節(jié)奏。當(dāng)前HBM產(chǎn)能高度緊張，并在一定程度上“擠占”傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)線資源。隨著新產(chǎn)線陸續(xù)投產(chǎn)，HBM供給顯著增加，其對整體產(chǎn)能的擠占效應(yīng)減弱，供需關(guān)系可能逐步走向?qū)捤伞?/p>

其二，是技術(shù)路徑的變化。業(yè)內(nèi)已經(jīng)開始討論以HBF為代表的新型存儲架構(gòu)。這一方案以NAND閃存替代DRAM進行堆疊，在部分應(yīng)用場景中具備替代HBM的潛力。按照產(chǎn)業(yè)界的判斷，相關(guān)工程樣品或在2027年前后出現(xiàn)，最早到2028年有望進入實際應(yīng)用。

如果這一技術(shù)路徑實現(xiàn)突破，并對現(xiàn)有需求形成替代，當(dāng)前以HBM為核心的內(nèi)存價格體系，將面臨重新定價。

從歷史經(jīng)驗看，真正引發(fā)周期反轉(zhuǎn)的，往往不是需求的小幅波動，而是供給的集中釋放或技術(shù)范式的切換。一旦條件具備，價格調(diào)整的幅度，反而可能遠超市場預(yù)期。

因此，當(dāng)下渠道端的“降溫”，更接近一次庫存與情緒驅(qū)動的短期修正，而非周期意義上的拐點。在AI需求和產(chǎn)能約束的共同作用下，內(nèi)存價格仍有支撐。當(dāng)前上漲的速度可能放緩，但缺乏下行的基礎(chǔ)。

內(nèi)存價格不會馬上逆轉(zhuǎn)性下跌。真正的拐點，更可能出現(xiàn)在供給集中釋放或技術(shù)路徑改變之后。