前沿導(dǎo)讀

據(jù)科技日報發(fā)布新聞指出，美國議員提出的MATCH法案在多個維度全面升級對中國芯片產(chǎn)業(yè)的制裁打壓。

其核心推動者查克·舒默以及約翰·穆勒納爾認為，此前美國的制裁措施要比盟友國更加嚴格，這導(dǎo)致中國企業(yè)趁機大量采購盟友國企業(yè)的先進制造設(shè)備。MATCH法案將會對盟友國提出管制要求，荷蘭、日本等國需要在150天內(nèi)對齊美國的出口管制標準，不然美國將會對盟友國的企業(yè)動用“外國直接產(chǎn)品規(guī)則”，強制性叫停具有美國技術(shù)的設(shè)備出口。

參考資料：

• https://mp.weixin.qq.com/s/xgpckjBuMUDqT1V4fIgqgw

四條規(guī)定

MATCH法案包含以下四條規(guī)定：

1、確定相關(guān)國家企業(yè)無法自主制造的半導(dǎo)體設(shè)備清單。

2、禁止向相關(guān)國家繼續(xù)提供制造設(shè)備和相關(guān)技術(shù)，對此前已出售的設(shè)備實施售后方面的限制。

3、將中芯國際、華虹集團、長鑫存儲、長江存儲、華為這5家中國企業(yè)所需的所有芯片設(shè)備列入受管制清單中。

4、確保出口管制的統(tǒng)一性，要求盟友國在150天內(nèi)對其美國的出口管制標準，否則美國將啟動“外國直接產(chǎn)品規(guī)則”。

此次法案來勢洶洶，不但將5家中國科技巨頭劃入全面出口管制的清單當(dāng)中，而且還要求盟友國在150天內(nèi)把出口管制標準與美國對齊，對中國企業(yè)實施更加全面的出口管制。

在這5家中國企業(yè)當(dāng)中，中芯國際與華虹集團是晶圓制造工廠，并且這兩家是中國大陸地區(qū)規(guī)模最大、技術(shù)儲備最足、資源投入最多的本土晶圓廠，可以代表中國大陸地區(qū)最先進的芯片制造技術(shù)。

而長鑫存儲與長江存儲則是中國最大的兩家存儲芯片制造商，長鑫存儲負責(zé)DRAM內(nèi)存制造，長江存儲負責(zé)NAND閃存制造。這兩家存儲芯片制造商均已經(jīng)掌握了較為先進的自主技術(shù)，大幅度縮短了與國際企業(yè)的技術(shù)差距，而且依靠國內(nèi)手機品牌的支持，兩家企業(yè)均實現(xiàn)了自主芯片的商業(yè)化發(fā)展。

華為則是美國制裁清單的“老用戶”，從2018年開始，美國就一直在對華為進行限制，先禁止華為使用美國供應(yīng)鏈設(shè)計芯片，隨后又禁止臺積電給華為代工芯片，最后則是切斷國際供應(yīng)鏈與華為的合作。

雖然華為只是一個民營企業(yè)，但是其橫跨了通訊、芯片設(shè)計、終端產(chǎn)品銷售等多個業(yè)務(wù)板塊，甚至還布局自主操作系統(tǒng)與ai產(chǎn)業(yè)。從產(chǎn)業(yè)規(guī)模上面來看，華為有一種“中國版英特爾”的發(fā)展趨勢。

這5家企業(yè)分別代表了中國在晶圓制造、存儲芯片制造、芯片設(shè)計這3個領(lǐng)域中的門面，MATCH法案對這幾家中國門面企業(yè)實施完全體的出口管制，相當(dāng)于給中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“七寸”位置來了一拳，危機感十足。

法案影響

此前美國制定的出口管制都是有明確的技術(shù)標準，比如禁止那些制造18nm DRAM內(nèi)存芯片、14nm及以下邏輯芯片、128層及以上NAND閃存芯片所需的設(shè)備出口。

這些制裁標準都是卡在了先進芯片與成熟芯片的分界點，只是限制了中國企業(yè)先進芯片的發(fā)展，并沒有限制中國企業(yè)繼續(xù)采購制造成熟芯片所需的設(shè)備。

而此次MATCH法案則是將制裁范圍從當(dāng)初的先進節(jié)點擴大至成熟節(jié)點，以上5家中國企業(yè)無論是發(fā)展先進芯片還是發(fā)展成熟芯片，均不允許繼續(xù)采購海外的制造設(shè)備。

法案重點針對的進口設(shè)備有兩個，一個是老生常談的ASML光刻機，另一個是日本東京電子制造的刻蝕機。

ASML雖然總部位于歐洲荷蘭，但是其背后與美國資本高度綁定。

1997年，ASML加入美國政府和英特爾主導(dǎo)的EUV LLC技術(shù)聯(lián)盟，攻克EUV制造技術(shù)。

2001年，ASML收購美國硅谷集團，將美國的光刻機技術(shù)納入麾下。

2013年，在韓國公平交易委員會、日本公平交易委員會、美國司法部的共同批準下，ASML收購了光源供應(yīng)商美國Cymer公司。

Cymer是ASML DUV光刻機和EUV光刻機的獨家光源供應(yīng)商，雖然ASML是一家歐洲企業(yè)，但是其制造光刻機所需的技術(shù)零件與美國資本深度融合，這也是美國可以對荷蘭政府施壓，禁止ASML出口給中國光刻機的主要原因。

而日本東京電子對華出口的重點設(shè)備是搭配光刻機使用的刻蝕機，尤其是低溫刻蝕機設(shè)備。

低溫刻蝕機可以搭配特定的光刻膠材料實現(xiàn)更加優(yōu)秀的高深寬比結(jié)構(gòu)，被廣泛應(yīng)用于制造高堆疊層數(shù)的3D NAND閃存芯片。該設(shè)備可以實現(xiàn)400層甚至是1000層的閃存顆粒堆疊，其制造效率要比傳統(tǒng)刻蝕機提高了2倍-4倍左右。

低溫刻蝕機主要的應(yīng)用場景就是提升閃存芯片的制造效率，同時繼續(xù)提升閃存芯片的顆粒堆疊密度，以實現(xiàn)更高水平的存儲速率。SK海力士、三星、鎧俠等日本存儲器制造商，均已經(jīng)開始使用東京電子的低溫刻蝕機對下一代3D NAND閃存芯片進行技術(shù)評估。

低溫刻蝕機屬于是面向未來的產(chǎn)業(yè)設(shè)備，含金量相當(dāng)于中國企業(yè)在2018年采購的EUV光刻機，也是美國此次MATCH法案重點針對的設(shè)備。

MATCH法案還要求分析中國自主設(shè)備的發(fā)展情況，將中國企業(yè)可以自主制造以及無法自主制造的設(shè)備羅列出來。對于中國企業(yè)可以制造出來的自主可控設(shè)備，美國政府不對同類型的海外設(shè)備實施管制，而那些中國企業(yè)暫時無法制造的設(shè)備，美國政府則會大力限制。

在上個月結(jié)束的上海半導(dǎo)體展會當(dāng)中，許多中國企業(yè)均在展會中亮出了自家推出的自主芯片設(shè)備。只有少部分國產(chǎn)設(shè)備達到了國際先進水平，支持5nm節(jié)點的芯片制造，大部分設(shè)備的技術(shù)水平處于中端層面，正在向高端設(shè)備進發(fā)。

國產(chǎn)設(shè)備可以滿足28nm及以上節(jié)點的芯片制造，而14nm及以下芯片需要海外設(shè)備的輔助，這也讓部分歐洲企業(yè)以及日本企業(yè)從中獲利。

此次MATCH法案強迫盟友國家的企業(yè)對齊美國的管制標準，這必然會讓那些依靠中國市場獲得經(jīng)濟增長的企業(yè)遭到嚴重損失，從而影響全球產(chǎn)業(yè)鏈彼此依賴的合作關(guān)系。