山東
IT之家 5 月 4 日消息，據(jù) TrendForce 今天報(bào)道，鎧俠、閃迪將在 6 月 14-18 日參加 VLSI Symposium 研討會(huì)，屆時(shí)將同步展出多層堆疊單元架構(gòu) QLC NAND 閃存，向突破 1000 層 3D NAND 邁進(jìn)。
據(jù)報(bào)道，閃迪和鎧俠已經(jīng)提前展示了 MSA-CBA（IT之家注：多層堆疊單元陣列-CMOS 鍵合）器件架構(gòu)圖，還帶有兩塊 218 字線陣列晶圓形成的堆疊單元陣列的 FIB-SEM 圖像。
值得注意的是，鎧俠早在 2024 年就提出了 1000 層 3D NAND 路線圖。根據(jù)日媒 PC Watch 的說法，鎧俠預(yù)計(jì)到 2027 年，NAND 閃存密度有望達(dá)到 100 Gbit / mm2，同時(shí)實(shí)現(xiàn) 1000 字線 3D NAND。
而三星電子雖然也規(guī)劃過 1000 層 NAND 路線，但最終選擇更穩(wěn)健的策略。該公司曾在舊金山國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)（ISSCC）展示 multi-BV NAND 概念，通過將兩塊晶圓堆疊在兩塊外圍晶圓上，實(shí)現(xiàn) 1000 層擴(kuò)展，整體思路與鎧俠的方案高度相似。
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