• 五十年代：奠基

1952年，成立電子計算機科研小組，由中科院數(shù)學所所長華羅庚負責；

1956年，半導體技術作為四大緊急措施之一寫入中科院的學部委員們編撰德《十二年科學技術發(fā)展遠景規(guī)劃》，獲得周總理批示；

• 六七十年代：前進

1966年，中科院下屬109廠與上海光學儀器廠協(xié)作，研制成功我國第一臺65型接觸式光刻機；

1970年代，中國科學院開始研制計算機輔助光刻掩模工藝；

1971年，清華大學精密儀器系教師徐端頤，回京負責新一代光刻機的研發(fā)；

1972年，武漢無線電元件三廠編寫《光刻掩模版的制造》；

1977年，光刻機座談會在江蘇吳縣召開；

1977年，中國第一臺GK-3型半自動接觸式光刻機誕生，與國際水平有一定差距；

1978年，中科院1445所升級開發(fā)GK-4，仍為接觸式，中美技術差距20年；

• 八十年代前期：僅次美國，比肩日韓

1980年，徐端頤及其團隊研制第四代分步式投影光刻機獲得成功，光刻精度達到3微米，接近國際主流水平；

1981年，中國科學院半導體所研制成功JK-1型半自動接近式光刻機；

1982年，科學院109廠的KHA-75-1光刻機，估計跟當時最先進的canon相比最多也就不到4年差距；

1984年，“撥改貸”，眾多半導體項目無奈停止；

1985年，中電科45所研制出分步投影式光刻機，通過電子部技術鑒定，認為達到1978年美國GCA公司推出的4800DSW水平。這應當是中國第一臺分步投影式光刻機，中國在分步光刻機上與國外的差距不超過7年。后來的光刻機巨頭ASML公司剛剛誕生。

（國內半導體產業(yè)薄弱，雖有光刻機，沒有市場，也就沒有商業(yè)化，機器都只是實驗室擺放，相關研究成果及論文，在通過專家評審后即被束之高閣，之后與國外差距越來越大。“紙上談兵”，應該是對這個階段中國光刻機技術的最好注解。）

• 火種湮滅：集中攻關與停滯不前

1986年，電子工業(yè)部在廈門,舉辦集成電路戰(zhàn)略研討會，提出“531戰(zhàn)略”,即“普及推廣以742廠為基點的5微米技術、研發(fā)3微米技術,攻關1微米技術”，但742廠后兩種技術的設備和技術仍然全從國外引進；

1987年，724廠與電子部第24所無錫分所合并，成立無錫微電子，即華晶電子前身；

1990年，電子工業(yè)部啟動“908工程”，目標是建成一條６英寸0.8~1.2微米的芯片生產線，項目由無錫華晶承擔；

1991年，中科院光電所研制出分辨率1微米同步輻射X-射線光刻機；

1994年，中電科45所研制出g線0.8微米分步式投影光刻機；

1995年，電子工業(yè)部提出實施“909工程”，投資100億人民幣，由上海華虹承擔，與NEC合作，項目于1996年啟動，未來的二號企業(yè)誕生；

908、909兩大工程選擇與美、日企業(yè)合作，國內主體承擔企業(yè)無錫華晶和上海華虹，工程失敗和收效甚微，國內產業(yè)也受到嚴重沖擊與擠壓。

（上層希望通過市場化和運動式集中攻關換取行業(yè)發(fā)展，然而外國封鎖解除，企業(yè)可以購買到更具性價比的國外產品，“造不如買”的思潮迅速蔓延，我國光刻技術的研發(fā)和產業(yè)化開始停滯不前，國內市場需求成為外企的蛋糕）

• 重新啟程

1996年西方國家簽訂的瓦森納協(xié)議，對中國半導體技術及光刻機等設備出口實行“N-2”原則（即比最先進技術落后兩代）；限制華裔工程師進入歐美知名半導體公司的核心部門，以防技術泄露；面對困境，上層曾提出“以市場換技術”，大幅降低關稅，結果國內僅存的產業(yè)更是受到外企暴風雨般沖擊；

1999年，北約入侵科索沃，讓國內意識到信息戰(zhàn)的威力；

2000年，6月，國務院印發(fā)《鼓勵軟件產業(yè)和集成電路產業(yè)發(fā)展的若干政策》，即18號文件；刺激了海歸創(chuàng)業(yè)和自主發(fā)展熱潮；

2002年，新型光刻機被列入“863重大科技攻關計劃”，同年，臺機電聯(lián)合ASML成功研發(fā)出的新一代光刻機，將芯片制程推進到45nm；

（卡脖子，沒得說，市場換技術，換不來最先進技術，街邊架鐵爐也沒法做出芯片，核心技術還是得掌握在自己手上）

• 艱難突破

2002年，成立上海微電子裝備有限公司，中電科45所分步投影光刻機的團隊一起遷入，承擔“十五”光刻機攻關項目，重點研發(fā)100nm步進式掃描投影光刻機；

2007年，上海微電子宣布突破365nm光波長的DUV（深紫外）光刻技術，研制出90nm工藝的分布式投影光刻機；（大部分關鍵元器件外國提供，西方禁運，基本成擺設）

2008年，國家成立“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝專項”（02專項），將ASML的EUV技術列為下一代光刻技術重點攻關的方向，國家計劃在2030年實現(xiàn)EUV光刻機的國產化；

鑒于上海微電子的前車之鑒，02專項扶持一整批配套企業(yè)，長春光電所、上海光電所和國科精密研究曝光光學系統(tǒng)，北京華卓精科承擔雙工件臺，南大光電研制光刻膠，啟爾機電負責突破DUV光刻機液浸系統(tǒng)等；

2015年4月，北京華卓精科科技股份有限公司“65nmArF干式光刻機雙工件臺”通過整機詳細設計評審，具備投產條件；

2016年，國科精密研發(fā)國內首套用于高端IC制造的NA=0.75投影光刻機物鏡系統(tǒng)，國望光學研發(fā)首套90nm節(jié)點ArF投影光刻機曝光光學系統(tǒng)；

2016年，華卓精科成功研制兩套雙工作臺樣機，打破ASML壟斷，成為全球第二家掌握這項技術企業(yè)；

2016年，上海微電子SSX600系列量產，分別為90nm、110nm和280nm三款，落后時間更久了；且90nm制程一般用于電源、MCU等非核心芯片生產領域；

2017年，6月21日，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所（現(xiàn)北京國望光學）牽頭研發(fā)的“極紫外光刻關鍵技術”通過驗收；

2018年，逐步進入更嚴重的卡脖子時代；

2018年，11月29日，中科院研制的“超分辨光刻裝備”通過驗收。光刻分辨力達到22nm，結合雙重曝光技術后，未來還可用于制造10nm級別的芯片；

2019年，清華大學和華卓精科的雙工件臺系統(tǒng)完成研發(fā)和試產基地建設；

2019年，10月，國家大基金二期注冊成立，注冊資本2041.5億，其投資方向之一就是光刻機等核心設備及關鍵零部件；

2020年，中科院光電研究院負責的準分子激光光源系統(tǒng)，由北京科益虹源負責產業(yè)轉化，研究成果40W 4kHz ArF光源交付；

2020年，8月4日，國務院印發(fā)了《新時期促進集成電路產業(yè)和軟件產業(yè)高質量發(fā)展若干政策》，對進口掩模版等制造光刻機所需要的原材料，實施免征關稅；

2021年上海微電子計劃交付首臺國產的28nm的immersion光刻機，和世界上最先進的ASML公司仍然具有20年左右的差距；（跳票中）

2021年，2月，全國集成電路標準化技術委員會成立；

2022年，浙江大學流體動力與機電系統(tǒng)國家重點實驗室和啟爾機電研發(fā)的浸液系統(tǒng)，已成功交付0號樣機、1號機，進入產品制造階段。

就是做個整理。