就在美國(guó)和中國(guó)在以芯片為核心打科技戰(zhàn)的關(guān)頭，印度發(fā)了一個(gè)大新聞：開發(fā)尺寸小于1納米級(jí)的“埃級(jí)”芯片。

4月21日消息，印度聯(lián)合新聞社發(fā)布文章表示，印度頂尖研究機(jī)構(gòu)印度科學(xué)研究所（IISc）的30名科學(xué)家團(tuán)隊(duì)聯(lián)合向政府提交了一份開發(fā)“埃級(jí)”芯片的議案，旨在開發(fā)一種使用新型半導(dǎo)體材料（稱為二維材料）的技術(shù)，該技術(shù)可使芯片尺寸縮小至目前全球生產(chǎn)的最小芯片尺寸的十分之一，并鞏固印度在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

1納米等于1000埃米，進(jìn)入埃米級(jí)尺度，差不多到了單原子級(jí)別。現(xiàn)在硅基半導(dǎo)體，最先進(jìn)生產(chǎn)工藝發(fā)展到3nm，僅三星、臺(tái)積電、英特爾有能力進(jìn)行生產(chǎn)，芯片第一生產(chǎn)大國(guó)中國(guó)大陸也僅只能勉強(qiáng)造出7nm的芯片。

而在半導(dǎo)體制造方面嚴(yán)重依賴外國(guó)的印度突然表現(xiàn)出它們的雄心壯志，要把這些牛人都干趴！

實(shí)際上三哥的“科學(xué)家”不是第一次提出這個(gè)宏偉藍(lán)圖的。早在2022年4月，印度科學(xué)研究所（IISc）就提過(guò)一份詳細(xì)的項(xiàng)目報(bào)告，同年10月它們修過(guò)后再次提交了，IISc希望用石墨烯和過(guò)渡金屬二硫化物等超薄材料來(lái)開發(fā)二維半導(dǎo)體。

所謂二維材料是指電子僅可在兩個(gè)維度的非納米尺度（1-100nm）上自由運(yùn)動(dòng)（就是平面運(yùn)動(dòng)）的材料，如納米薄膜、超晶格、量子阱。

石墨烯二維材料的起源與發(fā)展

石墨烯是一種天然的半金屬二維材料，它最早由英國(guó)曼徹斯特大學(xué)物理學(xué)家安德烈·蓋姆和同事諾沃肖洛夫通過(guò)撕粘在石墨上的膠帶獲得。

蓋姆用過(guò)的膠帶現(xiàn)在收藏在瑞典諾貝爾博物館

我嚴(yán)重懷疑三哥會(huì)利用印度龐大的人口優(yōu)勢(shì)，給印度人都發(fā)膠帶來(lái)生產(chǎn)石墨烯，要不然再大的腦洞也無(wú)法解釋，三哥如何突破由中國(guó)、美國(guó)、韓國(guó)、日本把持了66%的生產(chǎn)專利技術(shù)限制。

在三哥這個(gè)報(bào)告之前，二維材料就引起了廣泛關(guān)注。歐洲已投資超過(guò)10億美元（約合830億盧比），韓國(guó)投資超過(guò)3億盧比，中國(guó)和日本等國(guó)家也對(duì)基于二維材料的半導(dǎo)體研究進(jìn)行了大規(guī)模但未公開的投資。

今年3月，我國(guó)科學(xué)院物理研究所/松山湖材料實(shí)驗(yàn)室通過(guò)原子級(jí)制造的范德華擠壓技術(shù)，制備出原子極限厚度的各種二維金屬。而且實(shí)驗(yàn)設(shè)備價(jià)格已經(jīng)降到了幾萬(wàn)元的水平，可以得到鉍、錫、鉛、銦、鎵等的單原子層金屬。

單層二硫化鉬封裝的二維金屬鉍

我國(guó)的二維半導(dǎo)體材料與場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）已經(jīng)于去年9月搭載在“實(shí)踐十九號(hào)”衛(wèi)星上，被安置在衛(wèi)星艙壁與防隔熱層之間，直接暴露于太空強(qiáng)輻射以及發(fā)射/回收階段的強(qiáng)烈振動(dòng)沖擊等復(fù)雜環(huán)境中，以驗(yàn)證二維過(guò)渡金屬硫族化合物（TMDCs）材料的在軌適應(yīng)性。

而印度在二維材料方面，可以說(shuō)是默默無(wú)聞，也不知是誰(shuí)給他們的勇氣要率先突破“埃級(jí)”芯片的？更不要說(shuō)在世界芯片生產(chǎn)領(lǐng)域毫無(wú)地位的印度，如何鞏固它們的“領(lǐng)先地位”？