光刻機之所以備受關注，主要是因為芯片制造根本離不開它，而美方為了阻撓我們芯片產(chǎn)業(yè)向高端發(fā)展，又不斷擴大光刻機對華限制范圍，導致我們只能推進國產(chǎn)替代。

目前，全球光刻機技術最先進的是荷蘭ASML，其高端EUV和先進浸潤式DUV被限制對華出口，因此我們只能研發(fā)國產(chǎn)光刻機。那么進展如何呢，近日高盛發(fā)布消息。

大家應該都了解，光刻機的先進程度決定著芯片制造工藝的先進程度，進入7nm制程以下就需要使用高端EUV光刻機，2nm及以下制程要用更先進的High NA EUV。

然而，EUV光刻機目前只有荷蘭光刻機巨頭ASML一家能夠生產(chǎn)，且其又依賴美方的關鍵零部件，因此出貨就受到美方和荷蘭禁令影響，先進光刻機對華出口受到限制。

這導致大陸晶圓廠不能獲得獲得的光刻機，目前芯片制造最先進水平才到7nm級別。

不過，我們早就開始進行國產(chǎn)光刻機研發(fā)，還擁有數(shù)量不多的芯片制造用前道光刻機廠商，目前全球僅有4家，分別是荷蘭ASML、日本尼康和佳能、我國上海微電子。

那進展如何呢？近日，外資投行高盛發(fā)布了關于中國光刻機的最新研究報告，指出中國近年來半導體領域發(fā)展迅速，但半導體制造關鍵環(huán)節(jié)的光刻機研發(fā)上仍存在瓶頸。

高盛報告顯示，目前中國國產(chǎn)光刻機仍停留在65納米，至少落后國際大廠約20年。

高盛還在報告中指出，如今全球領先的晶圓制造大廠臺積電，已經(jīng)在利用ASML先進的EUV光刻機，大規(guī)模量產(chǎn)了3nm制程芯片，并且今年第四季度還將量產(chǎn)2nm。

而中國國產(chǎn)的光刻機技術水平仍停留在相對陳舊的65nm制程，即使大陸最先進的晶圓廠中芯國際能夠生產(chǎn)出7nm制程芯片，也是用ASML較舊的DUV光刻機來制造。

因為大陸目前造不出這類先進光刻機，因為相關核心零部件來自歐美等全球的供應商。

高盛認為我們國產(chǎn)光刻機停留在65納米，應該是基于我們工信部去年發(fā)布的重大技術裝備推廣應用指導目錄，其中提到兩款國產(chǎn)光刻機，一款分辨率小于等于65nm。

于是，高盛引述公開數(shù)據(jù)強調(diào)，荷蘭ASML從65nm制程光刻機提升到低于3nm制程的光刻光刻機，用了二十年時間，先后投入了高達400億美元的研發(fā)和資本支出。

經(jīng)過綜合考量后，高盛認為中國光刻機在短期內(nèi)趕上西方先進光刻技術的可能性較小。

至于情況如何，咱們先不評論，有外媒直接指出，網(wǎng)友評論亮了！一網(wǎng)友表示“高盛的報告也就聽聽算了，真有預見性的話，也不至于2008年金融危機自己差點倒閉”。

還一網(wǎng)友表示“高盛這個說的太好了，讓他繼續(xù)麻痹西方，永遠沉浸在自我陶醉之中?！?/p>

在現(xiàn)在網(wǎng)絡如此發(fā)達的時代，網(wǎng)友已經(jīng)不再那么單純了，都有自己的判斷，也有網(wǎng)友表示“荷蘭ASML用了二十年，我們中國必須要用二十年嗎，三年是吹，五年足矣！”

恐怕大家應該聽說過一個道理，那就是我們正式公開的，一般都不是最先進的。我們雖然公開了65nm光刻機，但相信我們實際上有了更先進的，并且已進入產(chǎn)線應用。

試想下，為什么華為能做出7nm性能的芯片，難道美方會允許使用ASML光刻機嗎？

如今，我們正在推進芯片國產(chǎn)替代，這就需要相關產(chǎn)業(yè)鏈全面國產(chǎn)替代，核心光刻機更不例外。其實，背后我們正在構(gòu)建一個從光源、鏡頭到整機的完整光刻機產(chǎn)業(yè)鏈。

當前，我們國產(chǎn)光刻機的突圍路線本質(zhì)上是“成熟制程自主化與先進制程技術儲備”的雙線作戰(zhàn)?，F(xiàn)有的全自主國產(chǎn)光刻機能夠解決28nm制程，成熟芯片已不受限制。

事實上，我們正在攻堅28nm 浸潤式 ArFi 光刻機，一旦突破7nm甚至5nm制程更容易。同時還布局了EUV技術，整體就是成熟制程保基本盤、先進制程逐步突破。