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光伏是中國(guó)制造的一張靚麗的名片。中國(guó)光伏制造全球市場(chǎng)份額超過(guò)90%，相比之下，中國(guó)大陸本土企業(yè)芯片制造的全球市場(chǎng)份額不足10%（加上在華外資企業(yè)可達(dá)20%）。芯片制造被稱(chēng)為最后一個(gè)沒(méi)有實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代的大產(chǎn)業(yè)。那么，中國(guó)光伏制造為什么能夠成功？中國(guó)芯片制造又能否復(fù)制中國(guó)光伏的成功經(jīng)驗(yàn)？

讀懂中國(guó)光伏，就讀懂了中國(guó)制造。我們來(lái)簡(jiǎn)單回顧一下中國(guó)光伏的崛起過(guò)程。

2001年，無(wú)錫尚德成立，為中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)的啟動(dòng)拉開(kāi)了序幕。2004年，德國(guó)修訂《可再生能源法》，歐洲對(duì)光伏的需求爆發(fā)，中國(guó)利用“進(jìn)口原料+進(jìn)口設(shè)備+國(guó)內(nèi)低成本制造”快速擴(kuò)產(chǎn)，但面臨原料、設(shè)備、市場(chǎng)“三頭在外”的風(fēng)險(xiǎn)。2008金融危機(jī)使光伏市場(chǎng)需求暴減，疊加光伏產(chǎn)能過(guò)剩，讓中國(guó)光伏行業(yè)遭遇重大危機(jī)。2011-2012年歐美聯(lián)合“雙反”關(guān)稅，歐美市場(chǎng)關(guān)上大門(mén)，中國(guó)幾百家光伏電池組件廠倒閉，行業(yè)第一次大洗牌。光伏廠家通過(guò)原料和設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化大幅降本，自身技術(shù)升級(jí)提高效率，加上中國(guó)政府通過(guò)補(bǔ)貼啟動(dòng)國(guó)內(nèi)光伏市場(chǎng)，讓光伏行業(yè)度過(guò)危機(jī)。中國(guó)光伏廠家還通過(guò)海外建廠規(guī)避歐美關(guān)稅壁壘，重啟海外市場(chǎng)，此后一騎絕塵，通過(guò)“原料設(shè)備國(guó)產(chǎn)化降低成本+技術(shù)迭代取得效率領(lǐng)先”，從而成就全球霸主地位。

我們看到，中國(guó)光伏崛起的模式是先利用國(guó)內(nèi)的低人工成本，從海外進(jìn)口原料和設(shè)備，占據(jù)中低端市場(chǎng)。然后，通過(guò)在國(guó)內(nèi)采購(gòu)原料和設(shè)備實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代，進(jìn)一步降低成本。穩(wěn)定中低端市場(chǎng)后，通過(guò)大量研發(fā)投入，挺進(jìn)高端市場(chǎng)。在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)上，一方面依托國(guó)內(nèi)市場(chǎng)兜底，另一方面通過(guò)海外建廠拓展國(guó)際銷(xiāo)售渠道，從而實(shí)現(xiàn)中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)的逆襲。

實(shí)際上，不僅是光伏，中國(guó)其它產(chǎn)業(yè)的崛起過(guò)程或多或少用的都類(lèi)似于這個(gè)模式。需要注意的是，這個(gè)模式僅適用于大產(chǎn)業(yè)，不適用于細(xì)分領(lǐng)域的高精尖的小產(chǎn)業(yè)。細(xì)分市場(chǎng)由于市場(chǎng)容量很小，能容納的玩家很有限。比較典型的如圓珠筆芯上的那粒鋼珠，中國(guó)仍全部從日本進(jìn)口。之所以沒(méi)有國(guó)產(chǎn)化，不是中國(guó)企業(yè)做不出來(lái)，而是因?yàn)槭袌?chǎng)太小。筆尖鋼和鋼珠的用量極小，全球市場(chǎng)也就幾千萬(wàn)人民幣規(guī)模，中國(guó)鋼廠不愿為這種小眾、高精度材料頻繁調(diào)試、小批量生產(chǎn)。生產(chǎn)筆頭要在2.3毫米的球座體上加工出微米級(jí)溝槽，調(diào)試復(fù)雜、設(shè)備昂貴，需要用瑞士米克朗的高精度機(jī)床，國(guó)內(nèi)的設(shè)備廠商也沒(méi)有興趣生產(chǎn)同類(lèi)機(jī)床。很多高精尖的實(shí)驗(yàn)室設(shè)備，甚至是光刻機(jī)，情形都與圓珠筆鋼珠相似。非不能也，實(shí)不欲為。

然而，先用低價(jià)占據(jù)市場(chǎng)，再通過(guò)原料、設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)一步降本，積累資金投入研發(fā)，挺進(jìn)高端市場(chǎng)，這個(gè)模式在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)卻失效了。為什么中國(guó)大陸企業(yè)不能通過(guò)這個(gè)模式占領(lǐng)芯片市場(chǎng)，最主要的原因在于芯片的技術(shù)迭代太快，兩年時(shí)間就將產(chǎn)品性能提高一倍，產(chǎn)品價(jià)格下降一半。在這種速度下，中國(guó)大陸企業(yè)首先就連芯片的低端市場(chǎng)都占據(jù)不了，沒(méi)有市場(chǎng)就沒(méi)有能力扶持國(guó)內(nèi)的原料和設(shè)備廠商，原料和設(shè)備無(wú)法國(guó)產(chǎn)化，就不可能進(jìn)一步降低成本，企業(yè)就缺乏利潤(rùn)支持研發(fā)投入，如此惡性循環(huán)，中國(guó)大陸企業(yè)在芯片市場(chǎng)就始終處于落后追趕的局面。

以28納米成熟工藝為例。28納米工藝的芯片由于性價(jià)比高，目前仍處在黃金生命周期，被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車(chē)、工業(yè)與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、通信、物聯(lián)網(wǎng)和智能設(shè)備、安全與專(zhuān)用芯片等多個(gè)領(lǐng)域。28納米芯片的市場(chǎng)，臺(tái)積電占據(jù)45%的市場(chǎng)份額一家獨(dú)大，三星占據(jù)20%緊隨其后，格芯和聯(lián)電各占13%和12%據(jù)第三、第四位。中國(guó)大陸企業(yè)有中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體和晶合集成，市場(chǎng)份額合計(jì)約在10%（依據(jù)MRA報(bào)告）。

中國(guó)大陸企業(yè)之所以在28納米工藝上直到現(xiàn)在還處于落后地位，首先在于最初技術(shù)迭代時(shí)間的落后。臺(tái)積電、格芯等企業(yè)早在2010年左右就實(shí)現(xiàn)了28納米工藝的規(guī)?；慨a(chǎn)，中國(guó)大陸最早量產(chǎn)28納米的中芯國(guó)際2015年才實(shí)現(xiàn)該工藝量產(chǎn)。半導(dǎo)體企業(yè)的生產(chǎn)成本在設(shè)備上占大頭，普遍實(shí)行5年折舊。中國(guó)大陸企業(yè)在28納米工藝上落后了5年時(shí)間，意味著剛啟動(dòng)市場(chǎng)時(shí)，海外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手已經(jīng)把設(shè)備的折舊都提完了，可將產(chǎn)品價(jià)格大幅降低，中國(guó)大陸企業(yè)根本連低端市場(chǎng)都難以占領(lǐng)。

中國(guó)大陸企業(yè)在28納米芯片上只能靠低價(jià)甚至虧損來(lái)維持市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，市場(chǎng)份額小、企業(yè)利潤(rùn)低，自然沒(méi)有實(shí)力扶持國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商的國(guó)產(chǎn)化替代。加上海外對(duì)28納米光刻機(jī)不禁售，也打擊中國(guó)大陸芯片廠采購(gòu)國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的意愿。

直到2023年底，上海微電子（SMEE）才宣布首臺(tái)28納米浸沒(méi)式DUV樣機(jī)（SSA800/10W）研制完成，通過(guò)工廠內(nèi)部工藝驗(yàn)證。2024年，該設(shè)備進(jìn)入中芯國(guó)際北京線做晶圓級(jí)驗(yàn)證，良率從85%提到90%，達(dá)到可量產(chǎn)門(mén)檻。2025年5 月，上海微電子完成首臺(tái)商業(yè)28納米光刻機(jī)交付，宣布開(kāi)始“小批量量產(chǎn)”。9月，中芯國(guó)際開(kāi)始測(cè)試相關(guān)設(shè)備，進(jìn)一步推進(jìn)產(chǎn)線兼容性驗(yàn)證。10月，華虹半導(dǎo)體無(wú)錫廠接收了首批驗(yàn)證機(jī)，測(cè)試結(jié)果顯示良率穩(wěn)定在95%以上，性能指標(biāo)已能滿足28納米芯片生產(chǎn)的核心需求。這款28納米光刻機(jī)的國(guó)產(chǎn)化率已突破70%，核心的雙工件臺(tái)、投影物鏡等部件均實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)供應(yīng)。預(yù)計(jì)要到2026年完成更多客戶驗(yàn)證后，才會(huì)正式宣布商業(yè)化。

連28納米光刻機(jī)都要到2026年才能?chē)?guó)產(chǎn)化，更不要說(shuō)能生產(chǎn)14納米、7納米、5納米、3納米和2納米等先進(jìn)工藝芯片的DUV甚至是EUV光刻機(jī)了。以光刻機(jī)為代表的半導(dǎo)體設(shè)備遲遲未能?chē)?guó)產(chǎn)化，以硅晶圓為代表的半導(dǎo)體原料才剛部分國(guó)產(chǎn)化，中國(guó)大陸芯片廠也就無(wú)法通過(guò)國(guó)內(nèi)的設(shè)備和原料采購(gòu)來(lái)降低成本，不能通過(guò)低價(jià)競(jìng)爭(zhēng)來(lái)占領(lǐng)低端芯片市場(chǎng)。連28納米這樣相對(duì)低端的芯片市場(chǎng)都占領(lǐng)不了，自然就在研發(fā)投入無(wú)法與海外大廠相比，難以追趕14納米及以下先進(jìn)工藝。如此惡性循環(huán)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也就成為最后一個(gè)未實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代的大產(chǎn)業(yè)了。

好消息是，摩爾定律快要到頭，芯片先進(jìn)工藝到1納米（10埃）后就將難以為繼，英偉達(dá)GPU的耗電量越來(lái)越大就是明證。這就意味著，中國(guó)大陸企業(yè)，無(wú)論是芯片制造廠還是半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，與海外的技術(shù)差距一定是在不斷縮小的。只要海外大廠的技術(shù)不再迭代，再先進(jìn)的技術(shù)，如EUV光刻機(jī)，遲早也會(huì)變成落后技術(shù)，中國(guó)大陸企業(yè)取得技術(shù)突破指日可待。一旦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵設(shè)備（如EUV光刻機(jī)）和關(guān)鍵原料（如硅晶圓）實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代，光伏產(chǎn)業(yè)通過(guò)降本增效實(shí)現(xiàn)逆襲的歷史就可在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上重演，芯片國(guó)產(chǎn)替代也將隨之成為現(xiàn)實(shí)。

（作者簡(jiǎn)介：余盛，硬科技財(cái)經(jīng)作家、荷蘭商學(xué)院行業(yè)導(dǎo)師，著有《中國(guó)光伏突圍戰(zhàn)》《芯片戰(zhàn)爭(zhēng)》《芯片浪潮》《手機(jī)戰(zhàn)爭(zhēng)》《金龍魚(yú)背后的糧油帝國(guó)》等作品。歡迎關(guān)注公眾號(hào)“余盛”，第一時(shí)間閱讀余盛本人的原創(chuàng)科技、財(cái)經(jīng)和歷史類(lèi)深度評(píng)論文章。）

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