截至2026年3月4日 10:35，科創(chuàng)半導體ETF（588170）下跌0.75%，半導體設(shè)備ETF華夏（562590）下跌0.59%。

熱門個股方面，有研硅領(lǐng)漲6.29%，神工股份上漲2.89%，耐科裝備上漲1.92%；歐萊新材領(lǐng)跌3.28%，芯源微下跌3.13%，天岳先進下跌1.85%。

流動性方面，科創(chuàng)半導體ETF盤中換手5.03%，成交4.36億元；半導體設(shè)備ETF華夏盤中換手3.33%，成交8691.62萬元。

規(guī)模方面，科創(chuàng)半導體ETF近1周規(guī)模增長1.76億元，實現(xiàn)顯著增長，新增規(guī)模領(lǐng)先同類；半導體設(shè)備ETF華夏最新規(guī)模達26.03億元。

資金流入方面，科創(chuàng)半導體ETF近4天獲得連續(xù)資金凈流入，最高單日獲得4.69億元凈流入，合計“吸金”9.17億元，日均凈流入達2.29億元。

消息面上，SK海力士正在推進一項旨在提升HBM4穩(wěn)定性和性能的封裝技術(shù)革新，其核心措施包括增加DRAM厚度和縮小DRAM層間距，目前該技術(shù)正在驗證階段。若其成功商業(yè)化，將有效縮小HBM4及未來產(chǎn)品在DRAM性能上的差距。

開源證券認為，受AI需求增長及潔凈室空間受限影響，存儲芯片正全面進入“賣方市場”。為應(yīng)對當前供應(yīng)瓶頸，以及搶跑AI驅(qū)動下新一輪需求高點，主動擴產(chǎn)或已成為頭部廠商的必然選擇，海力士大規(guī)模追投將成為全球存儲擴產(chǎn)的明確信號。

相關(guān)ETF：科創(chuàng)半導體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）：跟蹤指數(shù)是科創(chuàng)板唯一的半導體設(shè)備主題指數(shù)，其中先進封裝含量在全市場中最高（約50%），聚焦于科技創(chuàng)新前沿的硬核設(shè)備公司。

半導體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），跟蹤中證半導體材料設(shè)備主題指數(shù)，其中半導體設(shè)備的含量在全市場指數(shù)中最高（約63%），直接受益于全球芯片漲價潮對“賣鏟人”（設(shè)備商）的確定性需求。