前言

氮化鎵自高壓領(lǐng)域率先進(jìn)入消費(fèi)級(jí)快充市場(chǎng)以來(lái)，憑借高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、低導(dǎo)阻與高速開關(guān)特性，使充電器功率密度與效率實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍，產(chǎn)品體積較硅基方案縮小了一半以上，迅速成為“小體積快充”的代名詞。然而，相較于高壓GaN在AC-DC領(lǐng)域的全面普及，低壓氮化鎵在過(guò)去長(zhǎng)期處于探索階段，受制于成本與驅(qū)動(dòng)兼容性等因素，難以形成規(guī)?；瘧?yīng)用。

近年來(lái)，隨產(chǎn)能提升及生態(tài)的完善，低壓GaN終于迎來(lái)發(fā)展拐點(diǎn)。為此，英諾賽科深度布局150V等級(jí)低壓氮化鎵器件矩陣，通過(guò)在多個(gè)層面的突破，為高頻電源應(yīng)用帶來(lái)新的可能。

英諾賽科推出多款150V低壓氮化鎵

充電頭網(wǎng)了解到，英諾賽科目前推出五顆150V低壓氮化鎵單管，導(dǎo)阻覆蓋3.9~7mΩ，封裝提供FCQFN、En-FCQFN以及LGA三種封裝形式。

英諾賽科INN150FQ032A

英諾賽科推出的 INN150LA070A 是一款硅基氮化鎵，采用FCLGA 3.2×2.2封裝。該器件具備極低的7 mΩ導(dǎo)阻，能夠在高頻、高效率場(chǎng)景中顯著降低損耗，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度與系統(tǒng)效率。憑借零反向恢復(fù)電荷特性，INN150LA070A 可在高速開關(guān)應(yīng)用中提供更理想的EMI表現(xiàn)。

INN150LA070A適用于同步整流、Class-D音頻、PD快充、高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、通信基站以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

英諾賽科INN150EQ032A

INN150EQ032A是一款由英諾賽科推出硅基氮化鎵，耐壓150V增強(qiáng)型氮化鎵，采用緊湊的En-FCQFN 4×6封裝。該器件基于氮化鎵E-mode，具備3.9 mΩ導(dǎo)阻與低柵極電荷，可在高頻、高效率的功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景中發(fā)揮優(yōu)異性能。憑借其優(yōu)良的性能表現(xiàn)，INN150EQ032 能有效減小系統(tǒng)損耗與體積，為高功率密度設(shè)計(jì)提供理想的開關(guān)器件選擇。

INN150EQ032A適用于同步整流、Class-D音頻、PD快充、高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、通信基站以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

英諾賽科INN150FQ070A

英諾賽科推出的INN150FQ070A為硅基氮化鎵，采用緊湊的FCQFN 4×6封裝形式。該器件具備150V的耐壓能力，導(dǎo)阻為7 mΩ，具備極低的柵極電荷，在高頻、高效率電源設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出色，能夠有效降低開關(guān)損耗并提升系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率。

該器件憑借超低導(dǎo)通損耗、極小封裝尺寸與優(yōu)異的開關(guān)特性，INN150FQ070A適用于高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、PD快充、電信電源、太陽(yáng)能微型逆變器及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。

英諾賽科INN150EQ070A

英諾賽科INN150EQ070A是一顆耐壓150 V硅基的氮化鎵，采用En-FCQFN 4×6封裝，導(dǎo)阻7 mΩ，具備低柵極電荷特性，在高頻、高效率電源設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出色，能夠有效降低開關(guān)損耗并提升系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率。

該器件憑借超低導(dǎo)通損耗、極小封裝尺寸與優(yōu)異的開關(guān)特性，INN150EQ070A適用于高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、PD快充、電信電源及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。

英諾賽科INN150LA070A

英諾賽科INN150EQ070A是一顆耐壓150 V硅基的氮化鎵，采用En-FCQFN 4×6封裝，導(dǎo)阻7 mΩ，具備低柵極電荷特性，在高頻、高效率電源設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出色，能夠有效降低開關(guān)損耗并提升系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率。

該器件憑借超低導(dǎo)通損耗、極小封裝尺寸與優(yōu)異的開關(guān)特性，INN150EQ070A適用于高頻 DC-DC轉(zhuǎn)換、D類音頻放大、電信電源及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

低壓氮化鎵正從實(shí)驗(yàn)室與示范應(yīng)用加速走向主流市場(chǎng)。其憑借更低的導(dǎo)通損耗、更高的開關(guān)頻率與更緊湊的封裝設(shè)計(jì)，正在廣泛滲透至PD快充、車充、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、音頻放大與通信電源等多元場(chǎng)景，推動(dòng)電源系統(tǒng)效率與功率密度的雙重提升。隨著8英寸晶圓產(chǎn)線的產(chǎn)能穩(wěn)步提升，低壓氮化鎵在未來(lái)有望加速在下一代電子產(chǎn)品中的滲透率。