前言

低壓氮化鎵集成驅(qū)動芯片是一種將增強(qiáng)型低壓硅基氮化鎵晶體管和單通道高速驅(qū)動器集成在一起的芯片，具有體積小、高功率密度、高效率、高開關(guān)頻率、低導(dǎo)通電阻、零反向恢復(fù)損耗等優(yōu)點，常在PD快充、電機(jī)驅(qū)動、D類音頻放大、通信設(shè)備等消費以及工業(yè)場景應(yīng)用。

最近，充電頭網(wǎng)了解到，氮矽推出兩款全新GaN PIIP氮化鎵芯片，該系列芯片集成GaN HEMT及氮化鎵柵極驅(qū)動器，能夠降低寄生參數(shù)并提升整機(jī)系統(tǒng)效率。且目前該芯片已經(jīng)成功導(dǎo)入極萌美容儀供應(yīng)鏈，助力產(chǎn)品實現(xiàn)穩(wěn)定、高效的超聲波高頻能量輸出。

氮矽GaN PIIP低壓氮化鎵芯片

氮矽目前累計推出兩款GaN PIIP芯片，型號分別為DXC3510S2CA以及DXC3510S3CA，耐壓均為100V，導(dǎo)阻分別為12mΩ和4mΩ。詳細(xì)參數(shù)下文為您詳細(xì)介紹。

氮矽科技DXC3510S2CA

氮矽科技DXC3510S2CA是一款100V的GaN PIIP，集成了100V耐壓、導(dǎo)阻12 mΩ的E-mode GaN HEMT及氮化鎵柵極驅(qū)動器，專為高效、高密度電源設(shè)計而優(yōu)化。該器件具備0~20V的寬范圍輸入耐壓能力，可適應(yīng)復(fù)雜的電壓波動環(huán)境，同時支持超高開關(guān)頻率，顯著提升系統(tǒng)功率密度和響應(yīng)速度。

得益于氮化鎵材料的先天優(yōu)勢，DXC3510S2CA能夠?qū)崿F(xiàn)快速且可控的上升時間，優(yōu)化開關(guān)損耗并提高能效。此外，其零反向恢復(fù)損耗特性徹底解決了傳統(tǒng)硅基器件在續(xù)流過程中的能量浪費問題，特別適用于高頻開關(guān)電源、同步整流、高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動、D類音頻放大器等電路應(yīng)用。

氮矽科技DXC3510S3CA

DXC3510S3CA是氮矽科技推出的GaN PIIP芯片，該芯片將100 V 增強(qiáng)型GaN HEMT與驅(qū)動器集成在DFN 5×6封裝內(nèi)，導(dǎo)阻為4mΩ。該器件同樣具備0~20V的寬范圍輸入耐壓能力，可適應(yīng)復(fù)雜的電壓波動環(huán)境，同時支持超高開關(guān)頻率，顯著提升系統(tǒng)功率密度和響應(yīng)速度。

得益于氮化鎵材料的先天優(yōu)勢，DXC3510S3CA同樣能夠?qū)崿F(xiàn)快速且可控的上升時間，優(yōu)化開關(guān)損耗并提高能效，此外，其零反向恢復(fù)損耗特性徹底解決了傳統(tǒng)硅基器件在續(xù)流過程中的能量浪費問題，特別適用于高頻開關(guān)電源、同步整流、高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動、D類音頻放大器等電路應(yīng)用。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

上文提到的氮矽GaN PIIP低壓氮化鎵芯片芯片憑借高集成度與高頻開關(guān)特性，有效簡化外圍電路并降低成本，相較于傳統(tǒng)低壓MOS方案，GaN PIIP芯片開關(guān)損耗低，溫升表現(xiàn)更佳，更有效降低系統(tǒng)散熱需求，減少寄生電感，優(yōu)化開關(guān)噪聲，提升產(chǎn)品可靠性。

充電頭網(wǎng)了解到，氮矽科技是一家于2019年4月由海歸團(tuán)隊牽頭，攜手?jǐn)?shù)位電子科技大學(xué)頂尖教授和業(yè)內(nèi)精英，共同創(chuàng)辦的高新技術(shù)企業(yè)。公司總部位于南京，并與ICiSC平臺合作共建國家級集成電路可靠性測試平臺，致力于打造全國產(chǎn)氮化鎵產(chǎn)品線，為新能源及國家先進(jìn)基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)提供高性能、高可靠性的解決方案。自創(chuàng)立以來，公司始終專注于氮化鎵產(chǎn)品的研發(fā)與銷售，以成都和深圳的研發(fā)與營銷中心為支撐，形成覆蓋技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品測試及市場服務(wù)的完整布局，持續(xù)推動氮化鎵技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用。